• 半導体分析 製品画像

    半導体分析

    各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能!

    半導体の微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析など 各種手法により研究開発のサポートを致します。...半導体材料分析項目 原子レベルの構造観察、結晶構造、転位密度、膜厚 表面形状、断面構造(膜厚) 結晶性(面方位)、積層膜の周期構造 表面組成、結合状態、深さ方向分布 不純物濃度、深さ方向分析 結晶構造、応力歪 構成元素、組成 表面のヤング率、硬度...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 【分析事例】Oリングの使用履歴による形状評価 製品画像

    【分析事例】Oリングの使用履歴による形状評価

    X線CTにより部品の非破壊観察・厚さ分布解析が可能

    X線CT分析では、部品の構造や寸法を非破壊で比較・調査することが可能です。本資料では、真空装置に使用されているゴム製のOリングの測定事例を紹介します。ガスがリークしている長時間使用品を調査するため、X線CT分析および三次元画像解析を行い、新品のデータと比較しました。その結果、長時間使用品は局所的にリングの太さが細くなっている箇所が検出され、そこからリークが起きていることが示唆されました。 測定法...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価 製品画像

    【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

    製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

    GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層(2DEG)が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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