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PR各種ナノ粒子の超精密合成、大量生産ができます。
ULREA(アルリア)シリーズは2枚のディスク間にできるマイクロメートルオーダーの間隙を反応場、晶析場として応用した湿式法・連続式の反応装置です。 金属、合金、酸化物、複合酸化物、有機顔料など各種ナノ粒子の超精密合成・表面処理と大量生産が容易に実現できます。 その他、マイクロスフェア、ナノスフェアも容易に創製可能です。 【ULREA(アルリア)の特長】 1. 確実なスケールアッ...
メーカー・取り扱い企業: エム・テクニック株式会社
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表面電荷分析装置
表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、CVD膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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水銀プローブにより電極の形成が不要!R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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FastGateインライン向けCV・IV測定装置ECV-2500
FastGate インライン向けCV・IV測定装置
USL(極浅層<40nm)のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜(<20Å)の電気的膜厚測定 SiON 膜,High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。 主な測定・評価項目 ・電気的膜厚(CET/EOT) ・フラットバンド電...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…
テッジ法)を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための特別な試料準備は不必要 - 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能 - 空間分解能の高い分布測定(マッピング)が高速で可能 - 再現性の高い測定が可能 - セミラボ社のベンチトッププラットフォームWT-2000、WT-25...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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