Chemfish 電子特殊ガスカタログ電子特殊ガス

三フッ化塩素（CIF3）は、GWP値ゼロのグリーンで効率的な環境に優しいガスであり、チッププロセスにおける理想的なLPCVDクリーニングガスです。 （詳細を見る）

無色、微臭の非導電性ガスで、ハロサンの理想的な代替品である。 トリフルオロメタンは、超臨界抽出法の溶媒、低温冷媒として使用できる。 また、消火剤、テトラフルオロエチレン製造用原料、電子工業用プラズマ化学エッチング剤、フッ素化合物原料としても使用される。 低温冷媒、消火剤、四フッ化エチレン製造原料として使用される。 低温（-100℃）冷媒、電子工業用プラズマ化学エッチング剤、有機フッ素化合物原料として使用される。 （詳細を見る）

HFC-23はオゾン層破壊係数ゼロの冷却剤である。ジフルオロメタンとペンタフルオロエタンは定沸点混合物（R-410Aとして知られる）を生成する，主にHCFC-22に代わって、新冷媒システムでフロン（別名フレオン）の代替冷媒として使用される。オゾン層破壊係数はゼロだが、地球温暖化係数は高く、100年当たりで二酸化炭素の550倍である。 （詳細を見る）

Si3N4の異方性エッチングガスとして、SiO2やSiに対する選択比が高く、3次元NAND、DRAM、Fin-FET半導体デバイス製造の前工程微細構造エッチングプロセスで注目されている （詳細を見る）

ペンタフルオロホスホランは、一般的に使用される半導体エッチングガスで、シリコン系材料のエッチングや表面処理によく使用されます。 材料表面の有害な酸化物や有機汚染物質を迅速に除去し、半導体表面の化学的・物理的特性を変化させることができる。 （詳細を見る）

4710はSF6の代替品として環境に優しい。電力機器の絶縁やアーククエンチングに使用され、優れた絶縁特性、広い温度範囲を持っており、SF6に比べて環境への影響を大幅に削減することができる。ある圧力において、純粋なNovec 4710ガスの比誘電率はSF₆の2倍です。 このSF₆の代替ガスは、希ガスと混合した場合、地球温暖化係数（GWP）が低く、オゾン層破壊係数（ODP）がゼロです。 4710ガスは不燃性であり、設計目的で使用する場合、作業員の安全マージンが高い。 （詳細を見る）

ペルフルオロブタ－1，3－ジエンは、パーフルオロブタジエン（HFBD）としても知られ、分子式はC4F6である。ペルフルオロブタ－1，3－ジエンは、合成樹脂やフッ素系物質の重要なモノマーであり、半導体産業におけるエッチングガスとしても高い選択性と精度で使用されている。そのほか、さらに、ヘキサフルオロブタジエンは、従来のパーフルオロカーボン（PFCs）エッチングガスに比べ、大気汚染や環境汚染が比較的少ない高アスペクト比プロセスで使用することができます。半導体産業が急速に発展し、環境に対する要求が高まっている今日、広く使用されているPFCsを比較的環境に優しい材料に置き換える傾向にある。 （詳細を見る）

半導体産業では、オクタフルオロプロパンはプラズマエッチング材料として使用され、医療では、オクタフルオロプロパンは網膜硝子体手術後の充填剤や超音波造影剤として使用され、オクタフルオロプロパンは冷凍混合物の製造にも使用されている。 （詳細を見る）

主な用途は、高電圧絶縁、大規模集積回路エッチング、冷媒、エアゾール、電子クリーナー、スプレー、ヒートポンプ作動液など。 （詳細を見る）

テトラフルオロメタンは、現在、マイクロエレクトロニクス産業におけるプラズマエッチングガスの最大週間量であり、シリコン、二酸化ケイ素および他の薄膜村材料のエッチングに広く使用され、電子デバイスの表面洗浄、太陽電池の製造、レーザー技術などでは、アプリケーションの数も多い。 （詳細を見る）

電子グレードの高純度六フッ化硫黄は、理想的な電子エッチング剤であり、マイクロエレクトロニクス技術の分野で広く使用されている。 冷凍業界では冷却剤として使用され、冷却範囲は-45℃～0℃である。 電気産業では、その高い絶縁耐力と優れた消弧特性を利用して、高電圧スイッチ、大容量変圧器、高電圧ケーブル、ガス絶縁材料として使用されている。  （詳細を見る）

フッ素と窒素の混合ガスはファインケミカル分野の重要な原料であり、エレクトロニクス、レーザー技術、医療、プラスチックなどに広く使用されている。 （詳細を見る）

1.絶縁ガス、プラズマエッチング剤、高誘電率冷却剤として使用される。
2.マイクロエレクトロニクス産業において、プラズマエッチングガス、デバイス表面洗浄、光ファイバー製造、低温冷凍に使用される。
ヘキサフルオロエタンは、無毒、無臭、高安定性のため、半導体製造工程で広く使用されている，例えば、エッチャント（ドライエッチング）として。 化学蒸着（CVD、Chemical Vapor Deposition）後のキャビティの洗浄。特に半導体デバイスの発展に伴い、より高精度が要求される集積回路では、従来のウェットエッチングでは、0.18～0.25μmの深さのサブミクロン集積回路の高精度微細ラインエッチングの要求を満たすことができない。 ドライエッチング液であるヘキサフルオロエタンは、エッジの側方侵食が少なく、エッチングレートが高く、高精度であるという利点を有しており、このような線幅の小さいプロセスの要求に応えることができる。特に、元のオクタフルオロシクロブタンは、孔径140nm以下の部品に接触させてもエッチングできなかったのに対し、ヘキサフルオロエタンは110nmの部品にも深い溝を作ることができた。 （詳細を見る）