TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。 電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM（Automated Crystal Orientation Mapping）-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界（対応粒界）の観察が可能 特定結晶方位の抽出が可能 隣接結晶粒の回転角の測定が可能 数nm以上の結晶粒を評価可能

マッピング分析により、生体試料中の元素分布を明らかにいたします LA-ICP-MS（レーザーアブレーション/ICP質量分析法）による元素マッピング分析をいたします。

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。本資料では4H-SiCエピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法：蛍光寿命測定 製品分野：パワーデバイス、LSI・メモリ、電子部品 分析目的：故障解析・不良解析、製品調査、キャリアライフタイム、プロセス評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。