マッピング分析により、生体試料中の元素分布を明らかにいたします LA-ICP-MS（レーザーアブレーション/ICP質量分析法）による元素マッピング分析をいたします。

TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。 電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM（Automated Crystal Orientation Mapping）-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界（対応粒界）の観察が可能 特定結晶方位の抽出が可能 隣接結晶粒の回転角の測定が可能 数nm以上の結晶粒を評価可能

SiO2膜の不純物の評価 アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中の不純物について定性・定量分析を行うことが可能です。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：微量濃度評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

局所熱分析システム（Nanoscale Thermal Analysis ） 試料表面の局所における、熱特性（ガラス転移,軟化温度,融解温度,膨張傾向）を測定する熱分析法です。試料表面に接地するプローブを加熱し、試料表面の温度を変化させます。図中では1. 昇温時試料膨張がはじまり、2. 転移温度に到達するまでDeflectionが変化、3. 転移温度後変化した試料へプローブの侵入を示しております。温度変化時のDeflectionをモニタリングし、測定点ごとに転移温度をマッピングデータを取得することも可能です。

誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化 積層セラミックコンデンサ(MLCC)は、内部電極(金属)/誘電体層(絶縁体)/内部電極(金属)の積層構造を有するコンデンサです。MLCCの問題の一つとして高電界かつ高温下における誘電体層の絶縁劣化(低抵抗化)、つまり電極間ショートがあります。誘電体層内に形成される低抵抗な伝導パスを可視化することは絶縁劣化現象を解明する重要な手がかりとなります。本資料では、SSRM測定(高電界)と加熱機構(高温)を組み合わせることで、温度変化に伴う誘電体材料の絶縁劣化を可視化した事例を紹介します。 測定法：SSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡) 製品分野：誘電体材料、コンデンサ、MLCC 分析目的：抵抗値分布、電流分布、絶縁劣化評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。