Fluorescence lifetime measurement 物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際の過程の一つに発光（フォトルミネッセンス）があります。そのうち、パルスレーザーにより物質を瞬間的に励起し、発光の減衰時間を測定する手法が時間分解フォトルミネッセンスと呼ばれるものであり、得られたスペクトルを解析することにより、蛍光寿命を算出します。 物質の蛍光寿命を測定することにより発光過渡現象をよりダイナミックに把握できます。このため、蛍光寿命測定は有機EL材料などの有機材料、太陽電池、光触媒、生化学等の物性研究における有効な手段の一つです。本装置では、ピコ秒レーザーと分光器及びストリークカメラを組み合わせることにより、ナノ秒やマイクロ秒スケールの時間分解フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル測定、及び、蛍光寿命測定が可能です。

3Dプリンターで最終製品をつくる！そのために必要な技術が、八十島には全て揃っています 試作に留まらず、最終製品としても広がりを見せつつある「3Dプリンター」。 実現には、造形品の品質を保証できる機械と技術が必要です。 そこで欠かせないのが「CTスキャナー」で、非破壊、非接触で内部構造の 検査・測定が可能。 3Dプリンターで最終製品をつくるために必要な技術が、八十島には全て 揃っています。ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【X線CTスキャナー「METROTOM」でできること】 ■非破壊・非接触で内部構造を観察 ■内部の欠陥箇所を探す ■三次元測定器で計測できない箇所を測定 ■設計データと重ね合わせることで、対象物との差異を可視化し、数値を出力 ■図面のない部品を正確にデータ・図面化 ■リバースエンジニアリング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。本資料では4H-SiCエピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法：蛍光寿命測定 製品分野：パワーデバイス、LSI・メモリ、電子部品 分析目的：故障解析・不良解析、製品調査、キャリアライフタイム、プロセス評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。 測定法：SIMS・TEM・SCM・SMM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：微量濃度測定・形状評価・膜厚評価・構造評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供 パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。 測定法：EMS,SCM,SEM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。