表面分析機器『TOFLAS-3000』

電気的に中性な原子ビームを採用！帯電の問題を解決した表面分析機器

『TOFLAS-3000』は、入射プローブとしてイオンではなく電気的に中性な 原子ビームを用いた飛行時間型原子散乱表面分析装置です。 本製品を使用することにより、半導体，金属のみならず絶縁体表面の 組成および原子配列の解析も可能です。 また、帯電（チャージアップ）の問題も解決します。 【特長】 ■金属、半導体はもとより絶縁体の表面分析にも威力を発揮 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パスカル

コンパクトレーザーMBE装置『PAC-LMBE』

扱いやすいデザインで各種成膜条件の制御が容易！6種類のターゲットが使用…

『PAC-LMBE』は、拡張性の高い超高真空レーザーMBE（PLD）システムです。 基板加熱ユニットとして、赤外線ランプ加熱と半導体レーザー加熱の いずれかを選択可能。6種類のターゲットが使用できます。 また、ロードロック室ユニットにより、真空中でターゲットや基板を 簡単交換いただけます。 【特長】 ■拡張性...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パスカル

モバイルコンビレーザーMBE装置『MC-LMBE』

スキャニングRHEEDを標準装備！モーター駆動コンビナトリアルマスクを…

『MC-LMBE』は、操作性の高いコンパクトな超高真空レーザーMBE（PLD） システムです。 1200℃まで加熱可能な半導体レーザー基板加熱ユニットを搭載。 モーター駆動コンビナトリアルマスクを2枚を装着しています。 また、ロードロック室ユニットにより、真空中でターゲットや基板を 簡単交換できます。 【...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パスカル

プローブに原子を採用した表面分析装置（CAICISSの発展版）

結晶方位・極製は15分で一目瞭然！帯電の影響がなく安定した表面分析が可…

『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(N...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パスカル

飛行時間型原子散乱表面分析装置『TOFLAS-3000』

結晶方位・極製は15分で一目瞭然！帯電の影響がなく安定した表面分析が可…

『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(N...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パスカル