- 製品・サービス
110件 - メーカー・取り扱い企業
企業
87件 - カタログ
1589件
-
-
試料のベーク温度の違いによる脱ガスの変化をTDSで確認できます
評価可能です。そのため、試料のベーク温度による脱ガスの評価に有効です。 レジスト膜について50℃ベーク、200℃ベークを行い、それぞれについてTDS分析を行った結果を示します。「50℃ベーク後」に検出された200℃までの脱ガスピークが、「200℃ベーク後」では検出されていないことが確認できました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
TOF-SIMSを用いた最表面の汚染源の特定
TOF-SIMSでは分子に由来する二次イオンを検出し、その分布を可視化します。異常箇所から検出されたイオン種から由来成分を推定することで、異常がどのプロセスで発生したかを調査することができます。 ウェハや製品上に異常箇所(変色・付着)が見つかった...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
雰囲気を保ったまま解体・前処理から装置導入まで可能
は空気に触れると変質することが知られています。窒素雰囲気中と大気中に放置した発光材料表面の状態についてTOF-SIMSから得られた結果を紹介します。窒素雰囲気で作製したサンプルでは親イオンが主として検出されますが、空気中に放置すると親イオンに酸素がついたフラグメントが検出されています。変質しやすい原料については大気にさらさず分析することが必要です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
XPS:X線光電子分光法
XPS分析では評価に使用する光電子ピーク*以外に、他軌道からの光電子ピークや、X線励起のAugerピーク等も検出されます。元素の組み合わせによっては、これらのサブピークが目的のピークに重なって評価を妨害することがあります。 *通常、最外殻に近い内殻準位から放出された、強度の高い光電子ピークを使用します。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
な評価項目となっています。 本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。 GaN表面近傍における結晶構造の乱れや、膜中のN2、格子間Nを高精度で検出することが可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
【分析事例】AES・SEM-EDXによるCu表面変色部の評価
SEM観察を行いながら検出深さの浅い元素分析が可能
金属表面の変色や異物の簡便的な調査にはSEM-EDX分析やAES分析が適していますが、変色や異物が薄い・小さい場合は、表面のごく浅い領域(4~5nm程度)の情報が得られるAES分析が有効です。 MST保有のAES装置はSEM像を取得できるため、SEM像で着目箇所の確認をしながらAES分析を行うことが可能です。本事例では、Cu表面に存在する変色部をAES分析とSEM-EDX分析で評価し、比較したデ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
GC/MS:ガスクロマトグラフィー質量分析法
試料加熱時の発生ガスの定性分析を行う方法として熱分解GC/MS法がありますが、ここで検出された各成分がそれぞれどのような温度で発生するかを調べる方法としてEGA*-MS法が有効です。この方法は、試料を昇温加熱して発生したガスをGCのカラムを通さずに直接質量分析計に導入する方法です。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
縮合系高分子の詳細な構造解析が可能
す。 本事例ではポリウレタン製軽石をメタノールで分解し、GC/MS測定を行った結果を紹介します。ジフェニルメタンジイソシアネート、フタル酸ジメチル、トリメチロールプロパン、プロピレングリコール類が検出され、本製品はこれらの素材から構成されるポリエステルウレタンと推定されました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
TOF-SIMS分析による成分の推定が可能
れています。エポキシ樹脂の原材料に一般的に用いられるビスフェノール類の試薬について、TOF-SIMSで測定したデータを取得しました。 MSTではサンプルの測定データと標準データとを比較することで、検出されたフラグメントイオンが何の成分由来かを調べることができ、エポキシ樹脂に用いられている材料の推定が可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能
活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します
SIMS分析における検出感度は単位時間あたりの試料のスパッタ量に依存します。元素によりますが、取得する不純物を1元素に限定することで感度が大幅に向上し、5E13 atoms/cm3以下のppt (parts pertril...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
一般的にSIMSでは含有量が%を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素)検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求めることが可能です。 GaN系LED構造におけるAl,Ga,Inについて、深さ方向の組成評価を行った例を示します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
複数質量の脱ガスパターンを比較します
TDSの分析結果では、一つの質量電荷比(m/z)に対して複数の成分が検出されることがあります。このような場合でも、複数の質量について測定を行い脱ガスパターンを比較することで、昇温加熱により脱離した成分を推定することが可能です。 Si基板上W膜のTDS分析結果を例に、水...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
実験セルを問わず解体し、分析します
の電解液を測定した結果、有機溶媒はエチレンカーボネート(EC)、プロピレンカーボネート(PC)を主成分としていることが分かりました。 この他の成分としてジエチルカーボネート(DEC)、硫黄化合物が検出されていましたが、後者については添加剤由来の可能性が考えられます。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
めっきの剥がれ、密着不良をTOF-SIMS分析で原因調査
調査するため、TOF-SIMS分析を行いました。 剥がれの部分を強制剥離させ、TOF-SIMSで定性分析を行ったところ、剥離面からはシロキサンやカリウム化合物(塩化カリウムや硫酸カリウム)などが検出されました。これらの成分が剥がれの原因であると考えられます。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
LC/MS/MS分析による劣化成分の構造推定
LC/MS分析により劣化前後の有機溶媒とLiを含む支持塩から成るリチウムイオン二次電池の電解液の比較を行いました。その結果、LiPF6と電解液の反応生成物と考えられる成分が検出されました。 さらに、劣化後に特徴的な成分をLC/MS/MS分析することで劣化試験により生成したと考えられる成分を推定することが出来ました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
高級脂肪酸の分布を可視化
毛髪(ヒゲ)の断面についてTOF-SIMSを用いてイオンイメージ分析を行い、皮脂としても検出される高級脂肪酸の分布を調べました。 その結果、脂肪酸の種類により分布が異なることが分かりました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
使用しているヘアケア剤の種類による浸透成分の違い、分布の違いを可視化
日常生活で使用しているヘアケア剤が異なる5人(A~E)について、毛髪断面をTOF-SIMSで分析しました。 その結果、ヘアケア剤の種類により検出される成分および毛髪中での分布が異なることが分かりました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
適切なサンプリングで異物周辺情報の影響を軽減
ラマン分光分析は微小異物の定性分析に有効な手法です。異物の下地の情報も併せて検出してしまい評価が困難となる場合には、サンプリングを併用することにより測定が可能となります。 下地の影響のほとんど無い電極上異物はフラックスと同定されましたが、プリント基板上異物は異物由来の情報が取...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
-
-
価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます
pDOS)を直接的に得られるため、材料の電子状態を評価する手法として幅広く用いられています。さらに本手法の特長として、1.バルクの情報が得られる 2.絶縁物に対しても帯電の影響を受けず評価可能 3.検出下限が低い(<1atomic%)などが挙げられ、特に軽元素(B,C,N,O等)を含んだ材料の評価に有効です。本資料では測定例としてGaN基板のSXESスペクトルをご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST