【分析事例】Oリングの使用履歴による形状評価

X線CTにより部品の非破壊観察・厚さ分布解析が可能

X線CT分析では、部品の構造や寸法を非破壊で比較・調査することが可能です。本資料では、真空装置に使用されているゴム製のOリングの測定事例を紹介します。ガスがリークしている長時間使用品を調査するため、Ｘ線CT分析および三次元画像解析を行い、新品のデータと比較しました。その結果、長時間使用品は局所的にリングの太さが細くなっている箇所が検出され、そこからリークが起きていることが示唆されました。 測定法...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで...

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【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

SIMS分析で不純物濃度を求めるためには、分析試料と同じ組成の標準試料を使うことが必要です。紫外LEDやパワーデバイスに使われているAlGaNについて、様々なAl組成のAlGaN標準試料を取りそろえることで、MSTではより精度の高い不純物の定量が可能です。 市販深紫外LEDを解体後、SIMS分析を行い、ドーパントのMgの濃度、及び主成分のAl組成の分布を求めた事例を紹介いたします。 測定法：S...

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分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介し...

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【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パ...

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分析事例】XRDを用いた負荷印加前後における金属材の残留応力測定

非破壊で引張・圧縮応力を定量することが可能です

残留応力測定は部材が様々な応力条件下に耐えられるかを調べる重要な方法の一つです。XRD（X線回折法）では、格子面間隔を測定することで残留応力を求めることが可能です。本資料では引張試験用にアルミニウム板の左右をＶ字加工した試料を作製し、引張試験用装置で引張負荷を印加する前後の残留応力の比較および、印加後の試料で残留応力の分布を確認した事例について紹介します。なお、残留応力値はsin2ψ法を用いて求め...

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X線CTによるスティッチング撮影－広視野観察と高分解能観察の両立

複数のCT像を縦に連結して撮影することができます

一般的に、X線CTの視野サイズと解像度はトレードオフの関係にあり、解像度を上げるほど視野サイズは小さくなります。 そこで、X線CTには、複数のCT像を縦に連結することができる”スティッチング”という撮影法があります。スティッチング撮影法により、高解像度条件でも広い視野サイズで観察可能です。...詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

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[TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法

TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。

電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM（Automated Crystal Orientation Mapping）-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界（対応粒界）の観察が可能 特定結晶方...

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【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な...

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