解砕機（ダマほぐし機）ランデルミル

PR工程中に発生する二次凝集品の造粒物（ダマ）をほぐします！ 低速回転の…

工程中に発生する二次凝集品の造粒物をほぐします！ ランデルミルは粉体処理の中間工程、特にふるい分け・混合・貯蔵・計量・充填操作など単位操作のコンディショニングにも有効です。 さらに、分解・洗浄が容易なのでサニタリー性を要求する食品・医薬品・化学薬品などの解砕に好適です。 【特長】 ・シンプルなワンローラータイプ ・工具なしで分解、組み立てが可能 ・密閉構造で、粉漏れがない ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社徳寿工作所

桁違いの耐久性で欠けにくい！ARSの超硬丸ナイフ

PR超硬とは？ 導入事例は？ 超硬丸ナイフの特徴をご紹介します。

●超硬丸ナイフとは？ 硬質の金属炭化物の粉末を焼結させて作られる合金のことを超硬合金といい、 これを材料として製作した丸ナイフが超硬丸ナイフです。 鉄系金属よりも非常に硬度が高いため、刃先が摩耗することによる交換やライン停止の頻度を極限まで減らすことができます。 切断時の条件が揃えば、市販品の約20倍以上の耐久性を誇ります。（自社調べ） また、丸ナイフは基本的に軸の回転運動だけで...

メーカー・取り扱い企業： アルスコーポレーション株式会社

1インチ以下～450ｍｍで提供可能　「CZウェーハ」

1インチ以下～４５０ｍｍまで提供が可能です。各種成膜加工、ＦＺウェーハ…

弊社では、半導体製造装置テスト用のモニターウェーハ・ダミーウェーハ、太陽電池用単結晶シリコンウェーハ・太陽電池用多結晶ウェーハ・ＳＯＩウェーハ・拡散ウェーハなどを取り扱っております。 お客様の用途に合わせて適したウェーハをご紹介させていただきます。 CZウェーハは直径1インチ以下から450mmまでご提供が可能です。 また貴社でお持ちのウェーハにＥＰＩ成膜を行ったり、SOIウェーハへの加工など...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

FZウェーハ　FZシリコン製品　ガスドープドＦＺシリコン

汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコン…

ガスドープFZシリコンは、単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングしたFZシリコンです。 弊社では高品質・高純度FZシリコンのご提供が可能です。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。 ★Prime Grade FZ i...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

直径３０ｍｍ程度～8インチまで対応可能　高抵抗FZウェーハ

直径３０ｍｍ程度から8インチ、高ライフタイム、１万オームを超えるような…

直径は３０ｍｍ程度～8インチまで、高ライフタイム・低酸素・低炭素が特徴で、1万Ωを超えるような超高抵抗ウェーハの対応も可能です。 センサー用FZウェーハは、パーティクル検査機・IR検査機等に、ハイパワーデバイス用FZウェーハは、サイリスター・IGBT等に、中耐圧用FZウェーハは、IGBT･ダイオード等に利用されています。 ＊Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時には...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

CZウェーハ　エピ受託加工　SiGeエピウェーハ　他

小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…

「エピウェーハ」 1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 ＊直径: 100-200 mm ＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous ＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm ＊Epi厚: 1-150 um ＊Stacking fault: 10 /cm2 以下 ＊Thickness Uniformity: ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

CZウェーハ　成膜加工

2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。

株式会社エナテックのCZウェーハ 成膜加工は、膜種により2インチから450ｍｍウェーハへの成膜が可能です。 酸化膜系：熱酸化、RTO、LP-TEOS、HDP-USG、P-TEOS、PSG、BPSG、BSG、LP-CVD、PE-CVD 窒化膜系： HCD-SiN、DCS-SiN、P-SiN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD 金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

3インチ～12インチまで対応可能　「SOIウェーハ」

3インチ～12インチまで少量対応が可能です。 仕様により高抵抗基板・…

CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウェーハも対応可能です。 直径：3インチ～12インチ SOI層：2－200um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） SiO2(酸化膜）層：0.5－2um程度(0.1-10umも対応可能） 支持基板：300-725um程度（直径によりますが抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） ＊仕様によります...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社