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PRシンプルな構造とすぐれた操作性!微生物によるものづくり
『小型通気式固体培養装置』は、実用規模の固体培養装置と同質の 基質通気式品温制御を採用した製品です。 産業化を想定した通気式固体培養を再現性高く行うことが可能。 また、品温制御が連続基質通風方式のため、産業化を見据えた培養実験を 小規模で再現性高く行うことが出来ます。 原料投入から洗浄までの全ての工程を一人で対応できるシンプルな 構造と優れた操作性は、高い評価を得ています。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社フジワラテクノアート
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PR洗浄後にワークが自動的に戻ってくるため、一人での作業を実現。 移動…
『バックターン洗浄機』は、洗浄出口からワークの自重でコンベヤに落下し戻ってくる方式で、複雑な制御装置が要らず一人作業で、コスト削減が見込める洗浄システムとなっております。 掲載画像寸法:1,350(H)×1,813(W)×4,800(L)mm。 ※コンベヤー部も含めた寸法です。 ※お客様の仕様により寸法は変わります。 ※乾燥機を装備する事も可能です。 【特長】 ■一人作業でコス...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ヒタカ精機
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SIMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介…
材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析(SIMS)が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている ことがわかります...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。
(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを 試料として用い、深さ分解能を求めました。 1次イオンビー...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…
SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。
当ページでは、SIMS (アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素(75As)はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子(29Si30...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…
半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析(SIMS)が適しています。 SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載!
究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した 化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解を求めた結果を 掲載しています。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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