ソーラーシミュレーター『G2009B1』

PRLED光により必要な範囲の波長の光を、キセノンランプより長寿命でかつ安…

『G2009B1』は、小面積セルの太陽電池特性評価に好適な ソーラーシミュレーターです。 AM1.5Gの太陽光スペクトルを高精度に再現し、自然光に限りなく近い 精度を実現しています。 太陽電池の効率測定や光起電力デバイスの研究に活用できます。 【特長】 ■直径15mmのエリアでクラスAAAのスペクトル性能、直径25mmのエリアで 　クラスABAのスペクトル性能(IEC規格...

メーカー・取り扱い企業： 重松貿易株式会社 大阪本社

【AI顔認証と連携】自動ドアシステム『アシスト・スイング』

PRドアに触れずに自動開閉！既存のドアに後付け設置が可能。カギもカードも手…

『ASSIST SWING Slim-SW300』は、既存のドアに後付け設置が可能な スイング自動ドアシステムです。 高性能のAI顔認証デバイスと自動ドアの連携でセキュリティをより強化し、 安心・安全を確保。 【こんなことにお困りではありませんか】 ・台車を押しながらドアを開けることが面倒 ・カードキーを忘れてドアを開けられない ・いちいち荷物を置いてドアを開閉している ・高い衛生環境が求めら...

メーカー・取り扱い企業： ゴールドマン株式会社

イオン注入装置のラインナップ

低エネルギーから8MeＶまでの多彩な注入装置を完備しております。

室温でのイオン注入はもちろん、世界で数社のみが対応可能な高温でのイオン注入では、トップレベルの技術力と設備を誇ります。 弊社では、チップ小片から300ｍｍ（12インチ）径ウエハまで多種多様なサンプル及び、お客様からのご要望に合わせて各種条件での注入処理が可能です。注入条件は10～8,000KeVまで、室温から高温加熱（600℃）まで、イオン種は約60種の対応が可能です。...※詳しくはPDF...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

今さら聞けない【半導体の基礎知識】～イオン注入～※イラスト解説

半導体の特性の決め手となるイオン注入の一連の流れをイラストを用いて解説…

当資料では、イオン注入の基礎として、目的、装置、その評価についてイラストにてご紹介しています。 株式会社イオンテクノセンターでは、研究開発のためのサンプル作製から 量産請負まで、半導体の前工程のプロセスの受託サービスを行っています。 イオン注入でお困りでしたら、是非当社にお任せください。 【掲載内容】 ■イオン注入の基礎知識...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽に...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plas...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

イオン注入シミュレーション

ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。

お客様のご要望「ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をどれくらいにすればよいのか」や「ご指定のエネルギーと注入量でドーパントのイオンはどのような深さ分布となるか」に対して、シミュレーションをご提供することが可能です。 （イオン注入のご依頼を前提としたサービスです）...イオン注入シミュレーション ・シングルプロファイル 　深さ、濃度から注入条件を計算 ・ボックスプロファイル 　...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...成膜 ・PBII（Plasma Based Ion Implantation) 　カーボン成膜が可能 ・スパッタ 　電極膜の成膜が可能 熱処理 ・RTA（Rapid thermal annealing） 　縦型高周波誘導加熱方式により、～1800度...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター