住友化学のエンプラで再生医療や低侵襲医療機器の未来を一歩先へ

PR耐久性・信頼性・コストのバランスと実績重視の方へ。タンパク質吸着問題の…

住友化学では、タンパク質吸着問題の解決や医療機器の小型化・軽量化に貢献する ISO10993準拠やUSP ClassVI適合の「スーパーエンプラ」を取り扱っております。 【導入メリット】 ■国内製造による「安定供給、リードタイム短縮化」 ■高精度な設計や部品小型化による「医療機器の高性能化」 ■優れた成形性や耐久性により「PEEK代替」や「部品のコストダウン」としても採用実績あり ・必要な特性に...

メーカー・取り扱い企業： 住友化学株式会社 機能材料事業部 エンジニアリングプラスチックス部

『リーフレットラベル（多層シール）』

PR商品の限られたスペースに多くの情報が入れられる。リーフレット状やハガキ…

『リーフレットラベル（多層シール）』は 商品などに付けて、多くの情報を消費者へ届けられるラベルです。 医薬品・医薬部外品・化粧品・農薬などで必要になる、 能書、説明書、多言語表記などを付けることができます。 また、1枚ずつ異なる可変情報を印字できるため、 製造ロット番号、真贋判定用・トレーサビリティ用の2次元コード なども付けられます。 【豊富なラインアップ】 ■スタン...

メーカー・取り扱い企業： シーレックス株式会社

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集

光電子分光分析装置（ESCA）を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン酸化膜とチタン酸化膜の積層膜をESCA （Quantum-2000）によって分析した結果を掲載しております。 【掲載概要】 ■ESCAによる多層膜の深さ分析の分析結...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

酸素リークによる深さ分析

SIMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介…

材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析（SIMS）が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている ことがわかります。 ※詳しくはPDF資料をご覧い...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

マイクロESCAによる分析 事例集

400LPIの銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）の分析結果を掲載…

当事例集では、400LPIの銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）を マイクロESCA（Quantum-2000）により分析した結果を紹介しております。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行った結果 二次電子像に対応した銅の分布が得られ、さらにこのデータから測長機能を 利用してメッシュ間距離などを測ることができます。 【掲載概要】 ■マイクロESCAによる...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

マイクロESCAによる分析

当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。

400LPI の銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）をマイクロ ESCA （Quantum-2000）により分析した例を紹介します。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行いましたが、 二次電子像に対応した銅の分布が得られました。 さらにこのデータから測長機能を利用してメッシュ間距離などを測ることが できます。 また、通常のESCAでは X 線プローブ径が...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。

歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化 するので、組成比毎の相対感度因子...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

イオン注入装置のラインナップ

低エネルギーから8MeＶまでの多彩な注入装置を完備しております。

室温でのイオン注入はもちろん、世界で数社のみが対応可能な高温でのイオン注入では、トップレベルの技術力と設備を誇ります。 弊社では、チップ小片から300ｍｍ（12インチ）径ウエハまで多種多様なサンプル及び、お客様からのご要望に合わせて各種条件での注入処理が可能です。注入条件は10～8,000KeVまで、室温から高温加熱（600℃）まで、イオン種は約60種の対応が可能です。...※詳しくはPDF...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【Q&A】イオン注入・分析のよくあるご質問

イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介しています

イオンテクノセンターは、先端材料へのイオン注入サービスを行っております。 資料では、イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介。 「イオン注入とは？」をはじめ、「アモルファスとは？」や 「サンプルなどの情報の機密保持は？」等、様々なご質問にお答えしています。 【掲載内容（抜粋）】 ■Q.イオン注入とは？ ■Q.イオン注入できるサンプル、ウェハの大きさや種類を教えて...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

今さら聞けない【半導体の基礎知識】～イオン注入～※イラスト解説

半導体の特性の決め手となるイオン注入の一連の流れをイラストを用いて解説…

当資料では、イオン注入の基礎として、目的、装置、その評価についてイラストにてご紹介しています。 株式会社イオンテクノセンターでは、研究開発のためのサンプル作製から 量産請負まで、半導体の前工程のプロセスの受託サービスを行っています。 イオン注入でお困りでしたら、是非当社にお任せください。 【掲載内容】 ■イオン注入の基礎知識...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽に...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

表面分析　二次イオン質量分析（SIMS）

物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析　二次イオン質量分析（SIMS）】 ○数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される2次イオンの質量分析によって、水素を含む全元...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

微少領域形態観察　透過電子顕微鏡（HR-TEM）

物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【微少領域形態観察　透過電子顕微鏡（HR-TEM）】 ○高速電子線を薄く加工された試料に照射し、透過および散乱する電子の結像により拡大像や結晶構造の...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plas...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

分析『二次イオン質量分析』

優れた測定が可能にする分析手法です！

『二次イオン質量分析』は、数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して 放出される二次イオンの質量分析により、水素を含む全元素の組成分析を 行う手法です。 高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が 可能になっています。 【特長】 ■水素を含む全元素の組成分析を行う ■元素分析が可能 ■低エネルギーイオンによる深さ分解能の測定が可能 ※詳しく...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

株式会社イオンテクノセンター　会社案内

イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつ…

株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と設備を備えた先端の 研究開発を行い、日本を代表する創造的ラボラトリーをめざします。 【事業内容】 ■イオン工学に関する研究開発受託 ■イオン工学に関する装置による金属、セラミックス、半導体...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集

化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した 化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

分析装置『ESCA』

当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます！面分析も可能です。

『ESCA』は、X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 （SXI：Scanning X-ray Image）により測定場所を特定して、局所的な 組成および化学結合状態の分析が可能です。また、面分析も可能です。 【特長】 ■X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能 ■局所的な組成の分析が...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

イオン注入シミュレーション

ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。

お客様のご要望「ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をどれくらいにすればよいのか」や「ご指定のエネルギーと注入量でドーパントのイオンはどのような深さ分布となるか」に対して、シミュレーションをご提供することが可能です。 （イオン注入のご依頼を前提としたサービスです）...イオン注入シミュレーション ・シングルプロファイル 　深さ、濃度から注入条件を計算 ・ボックスプロファイル 　...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

透過型電子顕微鏡

透過型電子顕微鏡(TEM)でサンプルの微細構造がナノレベルで観察が可能…

弊社では、高精度なTEM観察用薄片サンプル作製と高度なTEM観察技術から鮮明なサブナノオーダーの構造観察が可能です。...TEM観察 ・ナノオーダーの構造把握や格子像の観察を行います。 ・TEM画像を使用した解析・評価、EDXによる局所的元素分析を行っております。 TEM画像を用いた解析、評価 ・高分解能TEM像による結晶欠陥の解析や歪みマッピング評価を行います。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...成膜 ・PBII（Plasma Based Ion Implantation) 　カーボン成膜が可能 ・スパッタ 　電極膜の成膜が可能 熱処理 ・RTA（Rapid thermal annealing） 　縦型高周波誘導加熱方式により、～1800度...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

表面分析　X線光電子分光分析（ESCA・XPS）

物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析　X線光電子分光分析（ESCA・XPS）】 ○X線をサンプルに照射して表面から数nmの深さから放出される光電子のエネルギー分析により元素を...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

分析装置『ESCA』

当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます！

『ESCA』は、X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 （SXI：Scanning X-ray Image）により測定場所を特定して、局所的な 組成および化学結合状態の分析が可能です。また、面分析も可能です。 【特長】 ■X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能 ■局所的な組成の分析が...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター