【事例紹介】RTP（ラピッドサーマルプロセス）

【事例紹介】RTP（ラピッドサーマルプロセス）

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源によるRTPの事例紹介です。 かつての半導体熱処理は、ファーネス（断熱）が一般的だったが ナノオーダーのデバイスの場合、薄い膜形成や浅い接合が必要となり アイソサーマルの代名詞ともなっているRTPがキーテクノロジーとなっています。 ...

メーカー・取り扱い企業： ウシオ電機株式会社

フラッシュランプアニール装置『SUS980シリーズ』

ワークサイズに応じて、フラッシュランプを複数本配置！大面積で一括照射、…

『SUS980シリーズ』は、結晶化、剥離、酸化膜形成などの用途にお使いいただける フラッシュランプアニール装置です。 ランプに流れる電流を半導体スイッチでON／OFF制御することで、 ランプ電流パルス幅の調整が出来、加熱深度をコントロール(0.1～60msec)。 ワークサイズに応じて、フラッシュランプを複数本配置し大面積で一括照...

メーカー・取り扱い企業： ウシオ電機株式会社

ウシオの光で出来ること『不純物拡散』

ウシオの光で出来ること『不純物拡散』

統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源の実用例（不純物拡散）のご紹介です 【特徴】 ○使用光源：クセノンフラッシュランプ・ハロゲンヒータランプ ○半導体工程において、ソースドレインにインプラントを行い 　その後、アニール工程によってドーピングした不純物を活性化 ○クセノンフラッシュランプの特性を活かし 　ミリ秒単位という短時間で今までの...

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ウシオの光で出来ること『高速昇降温加熱』

ウシオの光で出来ること『高速昇降温加熱』

紹介です 【特徴】 ○使用光源：ハロゲンランプヒータ ○熱容量が小さく、3000K以上のフィラメントから照射される 　輻射光により、高温/急速昇降温といった加熱特性に優れた熱源 ○半導体や耐用電池の熱処理プロセスにおいて 　酸化膜形成、不純物拡散、シリサイド形成、電極焼成など 　多くの工程で使用される ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。伝統と豊富な実績...

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様々な分野で利用実績！赤外線ハロゲンヒータの用途

樹脂成形分野や半導体分野など！金型予備加熱や真空前水分除去に使用可能

『赤外線ハロゲンヒータ』は、優れた特性を活かして、樹脂成形分野をはじめ 自動車分野やPV分野、半導体分野など、さまざまな分野で利用されています。 シリコンやガラス、鋼鈑や炭素繊維などを加熱することが可能。 樹脂成形分野では、加熱対象はPET材や非球面レンズで、金型予備加熱や ペット...

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【事例紹介】液体の保温・加熱

【事例紹介】液体の保温・加熱

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源による、液体の保温・過熱の事例紹介です 【特徴】 ○半導体製造ラインにおけるシリコンウェハの洗浄 　液晶製造ラインにおけるガラス基板の洗浄などに使用される 　純水や薬液を保温・加湿することが可能 ○高品質の石英ガラスで2重に覆われた 　ハロ...

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ウシオの光で出来ること『加熱/成膜』

ウシオの光で出来ること『加熱/成膜』

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源の実用例（加熱/成膜）のご紹介です 【特徴】 ○使用光源：ハロゲンランプヒータ ○半導体・FPD・太陽電池などの製造プロセスにおける 　金属膜、絶縁膜の形成に用いられる 　CVDやスパッタリング装置の熱源として最適 ○さらに成膜前の、水分除去や予備加熱にハロゲンランプヒータ...

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ウシオの光で出来ること『太陽電池製造用加熱光源』

ウシオの光で出来ること『太陽電池製造用加熱光源』

陽電池製造用加熱光源の実用例のご紹介です 【特徴】 ○ハロゲンランプヒータによる「非接触による高速昇降温」は 　焼成炉、CVD、スパッタリングなどの装置において標準熱源として採用 ○半導体市場で培った高精度な、熱処理性能、FPD市場において 　長年実績を積んだ長尺ヒータは 　各種太陽電池製造プロセスで即戦力として採用 ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。...

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【事例紹介】成膜装置のプレヒート

【事例紹介】成膜装置のプレヒート

統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源による、成膜装置のプレヒートの事例紹介です。 真空環境下においても非接触・高速昇温性を持った ハロゲンランプヒータを使用することにより 半導体・FPD・太陽電池などの成膜工程において タクトタイム短縮に貢献することができる ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。...

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光応用加熱装置『フラッシュランプアニール装置』

大面積で一括照射・高照度での照射が可能！複数パルスの照射もできる加熱装…

【その他の特長】 ■深さコントロール(パルス制御) ・ランプに流れる電流を半導体スイッチでON/OFF制御することで、 　ランプ電流、パルス幅の調整が出来、加熱深度をコントロール(0.1～60msec) ・複数パルスの照射も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

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