ディスポーサブルシリンジ　容量：30ｍL/50mL

PRシリコンフリーの使い捨てシリンジです。シリンジポンプ、シリンジディスペ…

使い捨て可能なディスポシリンジです。 30mL、50mLのオールプラスチックシリンジの取り扱いを開始いたします。 【特長】 ◆シリコンフリー ◆ルアーロック型 ◆滅菌済み個包装 ◆容量50ｍLタイプには拡大容量目盛りが付いています サンプルご希望の方はお気軽にお問合せ下さい。...サンプルご希望の方はお気軽にお問合せ下さい。 ○ルアーロック型 　→30ｍL、50ｍ...

メーカー・取り扱い企業： 大阪ケミカル株式会社

食品工場・卸のデジタル化は衛生管理から！タブレットで簡単入力！

PR衛生管理を含むすべての間接業務をトータルで効率化。デジタル化をじっくり…

『ezHACCP（イージーハサップ）』《プレミアム版》は、パソコンやタブレットで食品関連事業者の効率化を支援するためのクラウドサービスです。 衛生管理計画の作成や日々の記録の継続は大変な作業ですが、 本ソフトならどなたでも簡単に取組むことが可能。 1日の操作も数分で終了しますので、煩わしい業務が格段に効率化します。 また、面倒な準備は一切不要で、衛生管理計画の作成から 実施状況の記録や管理まで...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ソフナーズ

蛍光寿命測定

Fluorescence lifetime measurement

物質の蛍光寿命を測定することにより発光過渡現象をよりダイナミックに把握できます。このため、蛍光寿命測定は有機EL材料などの有機材料、太陽電池、光触媒、生化学等の物性研究における有効な手段の一つです。本装置では、ピコ秒レーザーと分光器及びストリークカメラを組み合わせることにより、ナノ秒やマイクロ秒スケールの時間分解フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトル測定、及び、蛍光寿命測定が可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

超低温プローブによる高感度NMR分析

微量成分のNMR分析が可能です

核磁気共鳴分光法(NMR)は、有機物をはじめとした様々な化合物を対象として、分子構造や分子間相互作用、分子の運動性などの多様な情報を得ることができる分析手法です。本資料では超低温プローブを用いることで、汎用的な室温プローブに比べてより高感度な測定を行った事例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。本資料では4H-SiCエピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法：蛍光寿命測定 製品分野：パワーデバイス、LSI・メモリ、電子部品 分析目的：故障解析・不良解析、製品調査、キ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有限要素法による強誘電体キャパシタ金属の応力評価

昇温・降温時の異種材料間にかかる応力分布を定量化できます

期待されていますが、分極が小さいという欠点があります。FeFET特性改善のために、HZOの強誘電性を高めることが有効であり、HZO層へ応力を加え、強誘電性を示す結晶相を増やす方法が提案されています。本事例は有限要素法を用いて、TiN、W、Pt、HZOなどの線膨張係数が異なる材料から構成される積層構造において、降温時に各層に生じる応力を評価しました。 測定法：計算科学・AI・データ解析 製品分...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM

誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化

として高電界かつ高温下における誘電体層の絶縁劣化(低抵抗化)、つまり電極間ショートがあります。誘電体層内に形成される低抵抗な伝導パスを可視化することは絶縁劣化現象を解明する重要な手がかりとなります。本資料では、SSRM測定(高電界)と加熱機構(高温)を組み合わせることで、温度変化に伴う誘電体材料の絶縁劣化を可視化した事例を紹介します。 測定法：SSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡) 製品分野：誘...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。 測定法：AFM 製品分野：パワーデバイス, 電...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エポキシ樹脂硬化剤の分析

2液性エポキシ樹脂の硬化剤成分の構造推定

く利用されています。その定性分析において、溶媒に不溶である硬化後の樹脂は、熱分解GC/MSで主に主剤を評価できます。一方、硬化剤の評価については、種類によっては硬化前の状態で測定する必要があります。本資料では、ポリメルカプタン硬化剤を硬化前の溶液状態で測定し、イオン化法(EI法とFI法)を併用することで構造推定した事例を紹介します。 測定法：GC/MS 製品分野：高分子材料・電子部品・日用品...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Oリングの使用履歴による形状評価

X線CTにより部品の非破壊観察・厚さ分布解析が可能

X線CT分析では、部品の構造や寸法を非破壊で比較・調査することが可能です。本資料では、真空装置に使用されているゴム製のOリングの測定事例を紹介します。ガスがリークしている長時間使用品を調査するため、Ｘ線CT分析および三次元画像解析を行い、新品のデータと比較しました。その結果...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】X線CTによる円筒形リチウムイオン電池の内部構造評価

非破壊で電池内部の電極間距離計測・欠陥調査が可能

X線CTでは、非破壊で製品内部の構造観察および寸法計測が可能です。 本資料では、円筒形リチウムイオン電池（φ14mm×H50mm）を観察した事例を紹介します。外装缶から電極内部までX線を十分に透過させ、始めに広域観察にて電池全体の三次元構造を確認しました。続いて、一部...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

ッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。 測定法：EMS,SCM,...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化ガリウムGa2O3 イオン注入ダメージ層の評価

イオン注入後のアニール条件の違いによる差異を確認

よりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。デバイスの開発には、特性を左右する不純物濃度や結晶性の制御が重要です。本資料では、イオン注入による結晶構造の乱れから生じるダメージ層及び表面粗さの変化を、アニール条件毎に観察した結果を示します。 測定法：TEM・AFM 製品分野：酸化物半導体・パワーデバイス 分析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例】XRDを用いた負荷印加前後における金属材の残留応力測定

非破壊で引張・圧縮応力を定量することが可能です

残留応力測定は部材が様々な応力条件下に耐えられるかを調べる重要な方法の一つです。XRD（X線回折法）では、格子面間隔を測定することで残留応力を求めることが可能です。本資料では引張試験用にアルミニウム板の左右をＶ字加工した試料を作製し、引張試験用装置で引張負荷を印加する前後の残留応力の比較および、印加後の試料で残留応力の分布を確認した事例について紹介します。なお、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

obility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。 測定法：SIMS・TEM・SCM・SM...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST