• 静電粉体塗装測定 製品画像

    静電粉体塗装測定

    フリーイオンの影響を受けずに測定可能!塗料の静電反発を把握して予測可能

    静電粉体塗装』では、測定塗膜不良を防止して塗料品質向上をするための 1つのファクターとして、塗料粒子の電荷量を測定することで塗膜の静電気的 付着力を把握できます。 塗料の組成、塗料粒子径、塗料条件...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社笠松豊 株式会社ユーテクノソリューションズ

  • 室内環境測定セット『IES-5000型』 製品画像

    室内環境測定セット『IES-5000型』

    従来機種の1/4の体積、1/3の重さで持ち運びに便利!粉じん・気流・温…

    【測定項目】 ■温度:白金抵抗体(Pt1000) ■相対湿度:高分子薄膜静電容量式 ■気流:ブリッジ平衡型定温度差動作方式 ■一酸化炭素:定電位電解方式 ■二酸化炭素:非分散型赤外線方式 ■浮遊粉じん:光散乱方式 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽に...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イリエ

  • 恒温恒湿槽・恒温槽『大型シリーズ』 製品画像

    恒温恒湿槽・恒温槽『大型シリーズ』

    大型製品の試験に対応した恒温恒湿槽・恒温槽

    の試験 に対応した恒温恒湿槽・恒温槽です。 試験槽寸法を大型化し、液晶などの大型ディスプレイや太陽電池モジュール などの大きなサイズの試料の試験対応を可能としました。 湿度センサーに静電容量式湿度センサーを採用し、乾湿球方式で使用の ウィックの交換を不要とし、槽内灯にLED照明を採用し、照度アップと省 エネを両立しました。 【特長】 ■使い勝手の向上 ■使用電力の低減...

    メーカー・取り扱い企業: 日立グローバルライフソリューションズ株式会社

  • 分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析 製品画像

    分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

    デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

    や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡法)で評価した事例をご紹介します。 測定法:EMS,SCM,SEM 製品分野:パワーデバイス 分析目的:故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】バイポーラトランジスタ(IGBT)の不良品調査 製品画像

    【分析事例】バイポーラトランジスタ(IGBT)の不良品調査

    高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

    発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 20...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価 製品画像

    【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

    試料解体から測定まで一貫して対応します

    本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM(走査型静電容量顕微鏡)を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージセンサ拡散層の...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価 製品画像

    【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されてい...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析 製品画像

    【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

    SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)

    SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM(走査型静電容量顕微鏡)の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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