マッピング分析により、生体試料中の元素分布を明らかにいたします LA-ICP-MS（レーザーアブレーション/ICP質量分析法）による元素マッピング分析をいたします。

HAXPES：硬X線光電子分光法 HAXPESでは、試料表面から深い位置まで（～約50nm）の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が極表面のみに留まらずバルクの中まで進んでいるような材料の評価に有効です。

TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。 電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM（Automated Crystal Orientation Mapping）-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界（対応粒界）の観察が可能 特定結晶方位の抽出が可能 隣接結晶粒の回転角の測定が可能 数nm以上の結晶粒を評価可能

複数のCT像を縦に連結して撮影することができます 一般的に、X線CTの視野サイズと解像度はトレードオフの関係にあり、解像度を上げるほど視野サイズは小さくなります。 そこで、X線CTには、複数のCT像を縦に連結することができる”スティッチング”という撮影法があります。スティッチング撮影法により、高解像度条件でも広い視野サイズで観察可能です。

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。 測定法：SIMS・TEM・SCM・SMM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：微量濃度測定・形状評価・膜厚評価・構造評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

加熱/冷却や応力・圧縮の負荷状態での三次元構造観察が可能です。 様々な負荷状態下での三次元構造観察