マルチモードプレートリーダー『Varioskan ALF』

PR1台で吸光・上方蛍光・発光測定可能なマルチモードマイクロプレートリーダ…

Thermo Scientific Varioskan ALFマルチモードマイクロプレートリーダーは、吸光測定用光学系はキセノンフラッシュランプとモノクロメーターをベースにしており、200 nmから1,000 nmの範囲で連続波長選択を可能にしています。波長範囲が広いため、核酸やタンパク質の定量、細菌増殖曲線、ELISA、および細胞生存率など、多くの一般的なアッセイが可能です。 蛍光および発光測...

メーカー・取り扱い企業： サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社／Thermo Fisher Scientific K.K.

【品質管理試験】繰り出し式容器の繰り返しトルク耐久性試験

PR角度を指定しての繰り返しトルク耐久性試験が可能なトルク試験機器 [HP…

イマダ製のトルクゲージ、電動トルクスタンド、アタッチメントなどを組み合わることで、繰り出し式容器の繰り返しトルク耐久性試験が可能です。測定イメージ、製品構成は関連リンク先の測定動画をご確認ください。 【特長】 ■口紅やスティックのりなどに使用される繰り出し式容器のトルク試験が可能です。 ■電動トルクスタンドの使用により、均一スピードでの試験を実現します。 ■指定の回転角度で回転を停止、反転させる...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イマダ

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

表面分析　二次イオン質量分析（SIMS）

物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

○数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される2次イオンの質量分析によって、水素を含む全元素の組成分析を行う手法。 ○高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

分析装置『ESCA』

当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます！面分析も可能です。

線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 （SXI：Scanning X-ray Image）により測定場所を特定して、局所的な 組成および化学結合状態の分析が可能です。また、面分析も可能です。 【特長】 ■X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能 ■局所的な組成の分析が可能 ※詳し...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

株式会社イオンテクノセンター　会社案内

イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつ…

■物理分析評価サービス業務 ■技術情報提供サービス業務 ■大学及び研究機関における研究成果および特許権、実用新案権、意匠権、 　商標権等の産業財産権その他無形財産権の事業支援とその仲介 ■測定器、分析器等精密機械器具の企画、開発、製造、販売並びに技術指導 　及び研究に関する業務の受託 ■電子部品及び自動制御機器の企画、開発、製造、販売並びに技術指導及び 　研究に関する業務の受託 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集

化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスで...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

DEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を 1E16n/cm3に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：180keV ■ドーズ量 ：1E15n/cm2 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

6O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく、質量分離が困難です。 しかしシリコンと砒素の複合分子イオンを測定することによって検出下限を 2×1015 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：700 [keV] ■ドーズ量 ：1×1015 [atoms/...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター