KrosFlo KR2i RPM システム

PRサイクル時間を短縮！歩留率を向上させることでプロセスの効率性を高めます

当社では、リアルタイムプロセス管理とラボスケールタンジェンシャル フローろ過(TFF)を統合した『KrosFlo KR2i RPM システム』を 取り扱っております。 当システムは、KrosFlo KR2i システムとCTech FlowVPX 可変光路長紫外可視分光光度計を組み合わせ、インライン濃度 モニタリングとエンドポイント制御を備えた自動TFFを提供。 KR2iとFlo...

メーカー・取り扱い企業： レプリジェンジャパン合同会社

【SDGs対応】高温集塵フィルター『パイロスクリーン』

PR繰り返し使うことで環境負荷削減！金属製の高性能な高温集塵フィルター。

「パイロスクリーン」は、ステンレスまたは、アルミ製の高温集塵フィルターです。 ダストを含んだ気流を強制的に方向転換させるスクリーンを10枚複合することで、90～99%以上の除塵効率を実現しました。 圧力損失が極めて小さい点、材質・構造から高強度な点が大きな特長です。 【パイロスクリーンの特長・メリット】 ■乾性・湿性どちらにも使用可能 　ステンレス製フィルターなので乾・湿どちらにも使...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社布引製作所 本社

非接触CV測定装置 Cn0CV

非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…

世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…

介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動 測定ができ、サンプルは最大6個同...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

サーフェイスチャージプロファイラー QCS2500

非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！

ことができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ（ＳＰＶ）法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

トレンチ深さ測定装置 IR2100

トレンチ深さ測定装置

DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

高感度DLTSシステム　DLS-1000

超高感度DLTSシステム／バルク内欠陥・界面準位測定装置

主な測定・評価項目 主な測定・評価項目 ・測定Max感度 : C=2x10-5pF for S/N=1 （温度・周波数スキャンに可変時） ・トラップ濃度：Nt＜10-5INd-Na) ・I-V/C-Vプロット ・捕獲断面積測定 ・電界依存性測定 ・トラップ深さ測定 ・Mos測定 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

全自動拡がり抵抗測定装置　SRP2000

全自動拡がり抵抗測定装置

Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社