• 「第25回 国際粉体工業展 POWTEX2024」出展のご案内 製品画像

    「第25回 国際粉体工業展 POWTEX2024」出展のご案内

    PR食品や電池・電子材料など各テーマに沿って、粉粒体装置を使用したアプリケ…

    株式会社パウレックは、東京ビッグサイトにて開催される「第25回 国際粉体工業展 POWTEX2024」に出展いたします。 当社のブースでは“POWREXFESTA"と題しまして、パウレックオールスターによる ブース内セミナーを実施。業界別・機種別の各種テーマに沿って、当社装置を使用した アプリケーション事例をご紹介させていただきます。 ドリンクやお菓子もご用意し、学園祭さながらの...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社パウレック

  • 品質向上・装置トラブル防止に!鉄粉捕捉装置『マグトラップ』 製品画像

    品質向上・装置トラブル防止に!鉄粉捕捉装置『マグトラップ』

    PRフラット、チューブ、棒など様々なタイプをご用意!頑丈構造&高耐久性の鉄…

    『マグトラップ』は、パイプライン内液中の鉄、ニッケル、磁化された SUS400シリーズを強力なレアアース磁石(希土類磁石)で捕捉する装置です。 品質向上、PL法対策、装置トラブル防止、外部購入原料チェック、 捕捉金属による故障原因の早期発見等に広く利用されいます。 また当社では、フラットプレートタイプの「MODEL 115」をはじめ、 チューブタイプの「MODEL 135」など、...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アキュレックス 本社、大阪営業所

  • 化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 製品画像

    化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

    化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

    (O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを 試料として用い、深さ分解能を求めました。 1次イオンビー...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析 製品画像

    SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

    SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

    SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 砒素イオン注入深さ分析 製品画像

    砒素イオン注入深さ分析

    SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

    当ページでは、SIMS (アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素(75As)はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子(29Si30...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • アルミイオン注入深さ分析 製品画像

    アルミイオン注入深さ分析

    検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

    半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析(SIMS)が適しています。 SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • 化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集 製品画像

    化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集

    化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載!

    究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した 化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解を求めた結果を 掲載しています。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

1〜5 件 / 全 5 件
表示件数
45件
  • < 前へ
  • 1
  • 次へ >

※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。