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    チョコとセンター材を同時充填【小型ワンショットサンドマシン】

    PRチョコレートと色々なセンター材を同時に充填するサンドマシンのご紹介!

    『小型ワンショットサンドマシン』は、クッキー・ビスケットなどに、ソースやクリームなどさまざまなセンター材とそれを包むチョコレートを同時に充填するサンドマシンです。 長方形クッキーへも長しぼりで対応可能。クッキー供給スタッカー装置・表裏反転装置付です。 また、モールドへのワンショット充填にも対応できます。 【特長】 ■クッキー供給スタッカー装置・表裏反転装置付 ■長方形クッキーへも...

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    メーカー・取り扱い企業: 谷沢菓機工業株式会社

  • 大特価キャンペーン! ゲノミクス研究開発サービスを包括的に提供! 製品画像

    大特価キャンペーン! ゲノミクス研究開発サービスを包括的に提供!

    PRNGS、サンガーシーケンシング、プラスミド全長シーケンス解析、人工遺伝…

    この度、当社は10月以降にキャンペーンを開催いたします。 【GENEWIZ ウィンターキャンペーン】 2024年10月1日~2025年3月末までのご注文対象​ RNA-Seq、シーケンシングのみ(解析のみ・Sequencing only)、シングルセル遺伝子発現受託解析など、お得な価格でご提供。 詳細は、10月1日以降、当社Websiteにてご確認ください。 【キャン...

    メーカー・取り扱い企業: アゼンタ株式会社

  • 組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化 製品画像

    組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

    2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。

    歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化 するので、組成比毎の相対感度因子...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • アルミイオン注入深さ分析 製品画像

    アルミイオン注入深さ分析

    検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

    半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析(SIMS)が適しています。 SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

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    砒素イオン注入深さ分析

    SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

    当ページでは、SIMS (アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素(75As)はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子(29Si30Si16O など)が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

  • SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析 製品画像

    SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

    SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

    SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター

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