高周波解凍装置　※大量処理の連続送り～中型/小型タイプまで対応

PRさまざまな改善を実現してきた高周波解凍装置を展示実演予定！【6月4日～…

食品業界へは長年、大型連続送りタイプから小型タイプまで 高周波解凍装置を導入いただいております。 【高周波解凍装置 特長】 ■20分から30分という短時間での解凍 ■厚みのある内部も表面と同時に解凍できる(電波にいる内部昇温現象) ■ドリップロスの削減 ■品質保持した解凍ができる ■フィルム包装材や段ボールごと解凍できる 山本ビニター株式会社は、東京ビッグサイトで開催される...

メーカー・取り扱い企業： 山本ビニター株式会社

技術情報誌 201902-01 DPC-STEMを用いたポリマー

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 走査透過型電子顕微鏡（STEM）の測定手法の一つである微分位相コントラスト（DPC）-STEMは、微小部の電場を測定することが可能である。我々は、本手法をポリマーアロイに適用することで、従来の電子顕微鏡では観察が困難な相分離構造のコントラストが出現することを見いだした。 【目次】 １．はじめに ２．元素分析によるソフトマテリアルの可視化 ３．DPC-STEM法の適用 ４．おわ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】リチウム二次電池負極表面の劣化評価

大気非暴露で前処理から測定・観察まで行います

容量低下が見られるリチウムイオン二次電池負極表面を大気非暴露で評価した結果、100～200nm程度のCoを含む付着層が確認され、Coは金属状態であることがわかりました。 適用可能な手法観察手法：FIB‐TEM, SEM 表面分析：SIMS,XPS,AES,TOF‐SIMS その他構造評価等も可能です。 測定法：SEM・FIB・TEM・XPS・EDX 製品分野：二次電池 分析目的：化学結...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】リチウムイオン二次電池の加熱劣化試験

加熱劣化後のサンプルをLC/MS/MS,TOF-SIMS,TEM+ED…

リチウムイオン二次電池の開発には、高性能化・長寿命化・信頼性向上などの課題があります。これらの課題を解決するためには、電池の劣化機構の解明が重要です。今回は、温度による劣化機構についての評価のために、加熱劣化試験を行いました。加熱劣化試験後、大幅な容量低下が見られたサンプルについて、電解液をLC/MS/MS、負極表面をTOF-SIMS、負極断面をFIB-TEM+EDXで評価しました。...詳しいデ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】LIB(リチウムイオン)正極材料の解析

雰囲気制御＋冷却下での原子レベル観察

MSTでは、雰囲気制御（＋冷却）下で原子レベルのTEM分析が可能です。 本資料では、リチウムイオン二次電池から大気非暴露で解体して取り出した正極材料のLiCoO2粒子を、雰囲気制御＋冷却下でFIB加工・TEM分析した事例をご紹介します。-174℃に冷却しながらSTEM観察とEDX分析を行い、視覚的に原子配列を確認しました。 熱的安定性の低い材料や、大気下で変質する結晶材料の高分解能分析に適...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS薄膜太陽電池の原子レベル構造分析

Csコレクタ付STEMによる原子レベル分解能EDX分析

TEMの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例ではCIGS薄膜太陽電池の光吸収層の高分解能(HR)-STEM観察とEDX元素分布分析を行ったデータを紹介します。4種類の元素からなる多結晶構造を持つCIGSにおいて、原子分解能レベルのEDX分析を行うことで、視覚的に原子の分布を明らかにすることができました。...詳しいデ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】DRAMチップの解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察

FIB法による特定箇所の平面TEM観察

ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。 これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造（シリコン酸化膜／シリコン窒化膜/シリコン酸化膜）が確認できます。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

DLCの物理分析

DLC(ダイアモンドライクカーボン)の各種分析が可能！

DLC(ダイアモンドライクカーボン)の結晶性、膜厚の構造、水素量、密度、硬度の評価を紹介いたします。...構造評価 TEM高分解能像観察　Raman　TEM-EELS　XAFS 組成評価 RBS　ERDA (水素分析) 密度評価 XRR　RBS　ERDA (膜厚) 硬度評価 ナノインデンテーション...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

技術情報誌 201907-01 全固体電池設計・開発のための分析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 全固体電池の本格的普及に向け、特性向上及び安全性、耐久性の確保など、様々な課題を解決する必要がある。電解液系リチウムイオン電池とは異なり、固体電解質の材料物性値など、新たな評価技術への取り組みは今後重要になると考えられている。本稿では全固体電池の設計・開発において、「材料開発」、「電池作製プロセス改善」に有用な、最新の分析評価技術について事例も交え紹介する。 【目次】 １．はじめに...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 201901-01 Ga2O3膜の分析評価技術

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解析、および不純物、欠陥評価を行った事例について紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．試料 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

バルクロットリリース試験

製品の安全性と品質を確保！JP/FDA/EMAなどのグローバル規制に対…

メディリッジでは、バイオ医薬品開発の様々な段階で求められる 生物学的安全性試験および分析サービスを提供しています。 有効性の確認や純度試験、同等性/同等性評価、 バイオ医薬品の無菌試験まで幅広く対応可能。 これらの試験サービスやアッセイは、JP, FDA, EMAなどの グローバル規制の要件を満たして提供いたします。 経験豊富な科学者が、バイオ医薬品の特性や特殊な要求に応じて ...

メーカー・取り扱い企業： メディリッジ株式会社

表面分析　二次イオン質量分析（SIMS）

物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析　二次イオン質量分析（SIMS）】 ○数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される2次イオンの質量分析によって、水素を含む全元...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。 本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。 HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSによ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化

FFTM法による格子像解析

Fast Fourier Transform Mapping法は、高分解能TEM像をフーリエ変換し、FFTパターンのスポット位置から結晶の微小な格子歪みを解析、可視化する方法です。FFＴＭ解析により、(1)画像のx, ｙ方向の格子歪みの解析、(2)結晶面方向の格子歪みの解析、(3)結晶面間隔分布、結晶面方位分布の解析、(4)データ分布のヒストグラム表示、(5)空間分解能5nmで0.5%の歪の検出、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にG...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST