高周波解凍装置　※大量処理の連続送り～中型/小型タイプまで対応

PRさまざまな改善を実現してきた高周波解凍装置を展示実演予定！【6月4日～…

食品業界へは長年、大型連続送りタイプから小型タイプまで 高周波解凍装置を導入いただいております。 【高周波解凍装置 特長】 ■20分から30分という短時間での解凍 ■厚みのある内部も表面と同時に解凍できる(電波にいる内部昇温現象) ■ドリップロスの削減 ■品質保持した解凍ができる ■フィルム包装材や段ボールごと解凍できる 山本ビニター株式会社は、東京ビッグサイトで開催される...

メーカー・取り扱い企業： 山本ビニター株式会社

【分析事例】LIB(リチウムイオン)正極材料の解析

雰囲気制御＋冷却下での原子レベル観察

MSTでは、雰囲気制御（＋冷却）下で原子レベルのTEM分析が可能です。 本資料では、リチウムイオン二次電池から大気非暴露で解体して取り出した正極材料のLiCoO2粒子を、雰囲気制御＋冷却下でFIB加工・TEM分析した事例をご紹介します。-174℃に冷却しながらSTEM観察とEDX分析を行い、視覚的に原子配列を確認しました。 熱的安定性の低い材料や、大気下で変質する結晶材料の高分解能分析に適...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS薄膜太陽電池の原子レベル構造分析

Csコレクタ付STEMによる原子レベル分解能EDX分析

TEMの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例ではCIGS薄膜太陽電池の光吸収層の高分解能(HR)-STEM観察とEDX元素分布分析を行ったデータを紹介します。4種類の元素からなる多結晶構造を持つCIGSにおいて、原子分解能レベルのEDX分析を行うことで、視覚的に原子の分布を明らかにすることができました。...詳しいデ...

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【分析事例】DRAMチップの解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察

FIB法による特定箇所の平面TEM観察

ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。 これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造（シリコン酸化膜／シリコン窒化膜/シリコン酸化膜）が確認できます。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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［FIB］集束イオンビーム加工

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また、イオンビームを試料に照射して発生した二次電子を検出するSIM像により、試料の加工形状を認識できます。 ・微小領域（数nm～数十μm）のエッチングによる任意形状加工が可能 （通常...

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雰囲気制御下での処理

サンプル本来の状態を評価することが可能

■特徴 ・雰囲気（水分・酸素）を制御したグローブボックス内でサンプルを扱うことで、反応性の高いサンプルについても変質・変化を最小限に抑えることが可能 ・雰囲気制御下での切断・剥離・測定面出し加工により、大気の二次汚染・酸化を抑えることが可能 ・大気に暴露すること無く、評価装置に搬送・移動することが可能 適用可能な手法：SIMS、XPS、SEM、TEM、STEM、FIB、AES、XRD、Ra...

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【分析事例】二次電池正極活物質の構造評価

活物質の粒径・結晶方位評価、原子レベル観察が可能

リチウムイオン二次電池は充放電によるイオンの脱離・挿入などで電極活物質に成分や結晶構造の変 化が生じます。正極活物質として用いられるLi（NiCoMn)O2（NCM）の構造評価として、EBSDにより一次粒子の粒径や配向性を評価しました。更に、方位を確認した一次粒子について高分解能STEM観察を行 い、軽元素（Li,O）の原子位置をABF-STEM像で、遷移金属（Ni,Co,Mn）の原子位置をH...

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【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。 本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。 HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSによ...

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【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化

FFTM法による格子像解析

Fast Fourier Transform Mapping法は、高分解能TEM像をフーリエ変換し、FFTパターンのスポット位置から結晶の微小な格子歪みを解析、可視化する方法です。FFＴＭ解析により、(1)画像のx, ｙ方向の格子歪みの解析、(2)結晶面方向の格子歪みの解析、(3)結晶面間隔分布、結晶面方位分布の解析、(4)データ分布のヒストグラム表示、(5)空間分解能5nmで0.5%の歪の検出、...

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【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にG...

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【分析事例】有機薄膜太陽電池の断面観察

低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます

p型・n型材料の混合膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜（有機膜など）においては、TEM専用機を用いた高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることが困難です。 一方、わずかな密度の違いが反映される低加速電圧のSTEM像観察では膜内の混合状態が明瞭に観察できています。...詳しい...

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【分析事例】有機EL(OLED)発光層の解析

発光層のゲストの定量・膜厚評価が可能

有機ELディスプレイは自発光原理による高輝度、高精細カラー、薄型化等の利点を活かし実用化が進みつつあります。発光層では発光効率を高めるために、ホスト分子中にゲスト分子がドーピングされています。今回、有機EL表示素子において赤色画素の発光層材料の同定を行いました。また、新規に段 差計を用いた発光層の膜厚評価や発光層中におけるゲスト材料の定量を行いました。発光層中のゲスト分子の定性・定量ならびに発光...

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【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CMOSセンサの総合評価

スマートフォン部品のリバースエンジニアリング

市販品のスマートフォンからレンズ、CMOSセンサチップをそれぞれ取り出し、評価した事例をご紹介します。 目的に応じて研磨・FIB加工により、平面、断面を作製し、TEM,SEMにより層構造やレイヤーを確認しまた。さらに、EDXにより膜種の同定を行いました。MSTでは、解体から分析まで一貫してお引き受けが可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラム観察

Csコレクタ付STEMによる高分解能STEM観察

ABF-STEM像（走査透過環状明視野像）により軽元素の原子位置を直接観察することができます。 HAADF-STEM像との同時取得で、より詳細な構造解析が可能となりました。 本事例では、チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラムを観察した事例をご紹介します。EDX元素分布分析を組み合わせることで、視覚的に原子の分布を明らかにすることができます。 測定法：TEM・EDX 製品分野：LSI...

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