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  • なぜおこる？袋体が固まる理由と対処策方法 製品画像

    なぜおこる？袋体が固まる理由と対処策方法

    PR素材別粗砕実績表進呈中！粗砕機を使って固結した袋体材料をらくらく粉砕処…

    “なぜ袋体は固まるのか”ご存知でしょうか？ 固結には、真正固結と疑似固結の2種類があります。 含水率や吸湿性などの内部的要因や、大気の相対湿度や包装時の温度などの外部的要因等が原因に御座います。 シンコー化成が取り扱う『モミクラ』は、固まった粉体材料を袋や段ボールから出さずに1袋あたり４秒で粉に戻せる袋体粗砕機です。 オイルをさすだけの楽々メンテナンス。人による粗砕作業をカット...

    メーカー・取り扱い企業： シンコー化成株式会社

  • 【2024年9月4日～6日】「JASIS 2024」出展のご案内 製品画像

    【2024年9月4日～6日】「JASIS 2024」出展のご案内

    PR水分・滴定コーナー、食品関連コーナー、抵抗率コーナーなどの展示内容をご…

    日東精工アナリテック株式会社は、幕張メッセにて開催される 「JASIS 2024」に出展いたします。 新製品の自動試料燃焼装置など各種分析装置を出展いたします。 展示会のご案内状はPDFよりダウンロードいただけます。 是非ご来場くださいますようお願い申し上げます。 【開催概要】 ■会場：幕張メッセ国際展示場 6ホール ■ブース番号：6B-202 ■会期：9月4日(水)～6日(金) 10：00...

    メーカー・取り扱い企業： 日東精工アナリテック株式会社

  • 化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 製品画像

    化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

    化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

    SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...

    メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

  • マイクロESCAによる分析 製品画像

    マイクロESCAによる分析

    当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。

    400LPI の銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）をマイクロ ESCA （Quantum-2000）により分析した例を紹介します。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行いましたが、 二次電子像に対応した銅の分布が得られました。 さらにこのデータから測長機能を利用してメッシュ間距離などを測ることが できます。 また、通常のESCAでは X 線プローブ径が...

    メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

  • 組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化 製品画像

    組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

    2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。

    歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化 するので、組成比毎の相対感度因子...

    メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

  • 砒素イオン注入深さ分析 製品画像

    砒素イオン注入深さ分析

    SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

    当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく...

    メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

  • SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析 製品画像

    SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

    SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

    SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 ...

    メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

  • アルミイオン注入深さ分析 製品画像

    アルミイオン注入深さ分析

    検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

    半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出...

    メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

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