NMRベースのAvance化学プロファイリングモジュール

PR入荷品のテスト、プロセス中間体のモニタリング、最終製品配合のスクリーニ…

新しいNMR ベースの『Avance Chemical Profiling』モジュールは、 分光学の専門家とのやり取りを必要とせず、サンプルから実用的な 情報インテリジェンスまで、包括的なソフトウェアベースの自動化された エンド・ツー・エンドのワークフローです。 データ取得、処理、解釈、レポート作成などのタスクに対応。 純粋な形状または混合物中の物質の同定と定量を自動的に可能にし...

メーカー・取り扱い企業： ブルカージャパン株式会社 バイオスピン事業部

エスキューは、肌診断機の研究者と販売部門の【橋渡し役】です！

PR肌のポテンシャルをタイプ別に診断する「ポテンシャルファインダー」など、…

当社では、肌化粧品を製造するメーカー様に向けた『肌診断機を用いた化粧品の販売支援サービス』を提供しております。 美容理論に基づき、敏感肌向けの製品から特定のニーズに対応した化粧品まで、肌診断機を用いた多様な拡販支援策にお役立て頂いてきました。肌診断機を用いた新しいアイデアやコンセプトの提供からテスト、市場投入までの一連のプロセスをサポートいたします。 【導入事例（抜粋）】 ・販売現場で、まだ不慣...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エスキュー

【分析事例】TDSによる銅板・はんだの同時加熱分析

部材同士を接触させ、実プロセスに近い環境での脱ガス評価が可能

以下に、銅板にはんだを乗せた状態でTDS分析(昇温脱離ガス分析)を行った事例を紹介します。TDSは部材の加熱に伴う脱ガスを評価可能です。TDS装置内で銅板とはんだを接触させ同時に加熱することで、実プロセスに近い環境での脱ガスを捉えることができました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS粉体の組成・不純物分析

主成分および微量成分の定量分析が可能

CIGS薄膜太陽電池のフレキシブル化・低コスト化を目指した開発において、光吸収層の低温形成プロセスや非真空下プロセスが必要とされており、CIGS組成の成膜方法の最適化や金属汚染量の制御が重要になっています。 今回は原料となるCIGS粉末の組成・含有不純物濃度について、ICP-MSを用いて高精...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

『RPA運用支援サービス』

RPA で業務改善を実現。既存プログラムの改善や新規開発、開発者向け研…

PAプログラム毎に発注可能なので、低コストに業務効率化を進めることができます。 ◎効率化のための対象業務の選定に不安がある 　→適用領域や想定RPAプログラムについてヒアリングし、手作業の事務プロセスの見直しを行います。 ◎RPAプログラムのエラーが発生したものの、解決方法がわからず困っている 　→お客様で開発したRPAプログラムの調査、改定も実施いたします。 ◎RPAを導入してみたもの...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

ピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法：蛍光寿命測定 製品分野：パワーデバイス、LSI・メモリ、電子部品 分析目的：故障解析・不良解析、製品調査、キャリアライフタイム、プロセス評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】半導体基板中軽元素の高感度分析

SIMS分析によりH, C, N, O, Fなどを1ppm以下まで評価…

ックグラウンドレベルを紹介します（表2）。III-V族半導体以外にも、金属膜・絶縁膜など各種材料で標準試料をとりえ揃えており、高感度な定量分析が可能です。半導体基板など各種材料のバルク分析や半導体プロセス中のガス成分の混入評価などに最適です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】HF処理前後における骨の状態評価

ラマン分析を用いた薬液処理前後の状態評価

HF（フッ化水素）は、SiO2のウェットエッチング処理等で広く用いられており、半導体製造プロセスにおいて非常に重要な役割を果たします。しかし、一方で皮膚に触れてしまうと浸透し、骨を侵してしまうため非常に危険な薬品であり取り扱いには注意が必要です。 このHFによる骨の侵食は、アパタイトとして...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL

照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です

Si系半導体デバイスの作製ではイオン注入やアニール処理といった様々な処理が行われます。これらの処理前後における照射欠陥の度合いや結晶性の回復度合いを確認することは、製造プロセスを制御するにあたり重要と考えられます。低温下におけるフォトルミネッセンス(PL)測定は、これらを調査する際に有効な手段の一つです。 Si基板にイオン注入を行った後、アニール処理を行った試料のPL...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ZnO膜の組成・不純物の三次元分布評価

イメージングSIMS分析により面内分布を可視化

た。 測定後のデータ処理により、平面イメージ（図1）・断面イメージ（図2）・任意箇所の深さ方向分布プロファイル（図3, 4）・ラインプロファイルを得ることができます。構成材料・不純物の分布から、プロセス・膜質改善に繋がる情報を得ることができます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

データ駆動型の研究開発促進 (MI)

マテリアルズインフォマティクス(MI)で研究開発の効率化を実現します。

MIとは、材料の研究・開発分野に情報科学技術を活用するアプローチのことです。 製造業などに携わるあらゆる企業や組織にて取り入れることが可能です。 既にあるデータなどを活用し、効率的な実験プロセスの実現や人間だけの知識・経験では得られない新たな知見の獲得を目指します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価

コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価

FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...

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【分析事例】室内雰囲気中の腐食成分分析

インピンジャー捕集法による大気中イオン成分の分析が可能です

半導体やその製造プロセス分野では環境中に存在する無機物や有機物を制御することが重要とされています。 MSTではインピンジャー捕集法により室内雰囲気中の成分を回収し、雰囲気中腐食成分の種類や量を分析することが可能です。今...

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【分析事例】X線によるZn系バッファ層の複合評価

組成・結合状態・構造・密度の評価が可能

晶性の制御のために様々なバッファ層材料が検討されております。 平坦化された基板上に成膜したZn系バッファ層についてX線による各種評価を行った事例を示します。 成膜条件による水準間、成膜後の各種プロセスの水準間での比較が可能です。...

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【分析事例】XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価

目的に合わせた測定条件で評価を行います

LEDやパワーデバイスに用いられるGaN膜について、XPSを用いて組成・結合状態を評価した例を紹介します。成膜条件や表面処理等により、組成や結合状態がどのように変わるのかを把握しておくことは、プロセス管理等に有効です。 評価の際は、目的に応じて使用するX線を適切に選択することが重要です。着目ごとの測定条件を併せてご紹介します。...

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【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

活性層の形状とドーパントを評価

市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピ...

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【分析事例】CIGS薄膜の組成分布分析

薄膜の組成定量、面内分布、深さ方向分布の評価が可能

CIGS薄膜太陽電池の高性能化を目指した開発において、光吸収層の成膜プロセスの条件最適化が必要とされており、CIGS組成の組成分布の制御が重要になっています。 成膜したCIGS薄膜の組成について、ICP-MSで高精度に定量した事例、SIMSで深さ方向に濃度分布を評価した...

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【分析事例】FT-IRによるポリイミド樹脂の硬化度評価

官能基の変化を捉えることで樹脂のイミド化率を評価することが可能です

することが可能で、製品開発に有効です。一例として、ポリイミドのイミド基から、イミド化率を評価した事例をご紹介します。 デバイス上の絶縁膜におけるイミド化率と、耐水性・耐熱性等のデータを比較してのプロセス確認に有効です。チップ、ウエハのいずれの状態でも評価が可能です。...

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【分析事例】ウォーターマーク原因調査

TOF-SIMSを用いた最表面の汚染源の特定

TOF-SIMSでは分子に由来する二次イオンを検出し、その分布を可視化します。異常箇所から検出されたイオン種から由来成分を推定することで、異常がどのプロセスで発生したかを調査することができます。 ウェハや製品上に異常箇所（変色・付着）が見つかったとき、TOF-SIMS測定を行うことで、洗浄・乾燥に起因するウォーターマークか、母材の変質物か、別工程で...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ウエハケース内ウエハの有機汚染評価

製造プロセスおける有機汚染の原因や総量を評価できます

ウエハ表面に有機物が吸着することで、ゲート酸化膜の耐圧劣化など様々な問題が発生することが知られています。そのため、半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれて、無機物だけでなく微量の有機物についても汚染量を把握することが重要になってきています。 ここでは、2種類のウエハケースにSiウエハを保管し、ウエハ表面全体に付着した有機汚染成分をウエハアナライザーでそれぞれ濃縮し、GC/MSで評価した事例...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】IGZO膜の化学状態評価

XPS・UPSを用いた結合状態・電子状態評価

IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。 複数の金属元素から構成されるため、プロセスによってどのように組成や結合状態、電子状態がどのように変化するかを把握しておくことが重要です。 XPS・UPSを用いてIGZO膜表面の組成・結合状態・電子状態を評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST