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PR新規AIベースの細胞形態データ分析手法を利用した、新しいアプローチで、…
『VisionSort』は、ゴーストサイトメトリー技術を搭載したセルソーターです。 独自に開発した光学技術により、細胞の形態的特徴を包括的かつ高速に測定・解析することができます。 取得した形態情報を機械学習(AI)によって分析することによって、細胞を染色せずに、ラベルフリーで分析することができます。 細胞治療/再生医療、疾患プロファイリング、創薬といった幅広い分野での研究開発にご利用い...
メーカー・取り扱い企業: シンクサイト株式会社
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脂質ナノ粒子の開発を上流から下流まで網羅する『Sunシリーズ』
PR製剤条件のスクリーニングからスケールアップ、GMP製造までをシームレス…
脂質ナノ粒子(LNP)の開発は多くの課題に直面します。 製剤を作製し、最適化し、臨床試験のためのスケールアップは、 コストがかかる上に複雑で、時間との戦いでもあります。 弊社のLNPソリューションは、LNPの合成と特性解析の 全てのステップを加速化するようにデザインされています。 Sunscreenは、コストと時間を削減し、6時間以内に最大96のユニークな LNP製剤を生成することで、LNP製...
メーカー・取り扱い企業: Unchained Labs株式会社
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SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析
SEM像の3D化でリークパスを確認
ーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法:Slice&View・EMS 製品分野:パワーデバイス 分析目的:故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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深層学習×データ解析によりSEM像から活物質の粒径を求めました
深層学習により、画像から目的の対象物を抽出することが可能です。また、得られた対象ごとに領域を解析することで数値として情報を得ることができます。 今回、バッテリー正極材の断面SEM像に対して、深層学習を用いて活物質粒子の抽出、クラックの検出をしました。Slice&Viewデータのような3Dデー...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供
は高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡法)で評価した事例をご紹介します。 測定...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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X線CTにより部品の非破壊観察・厚さ分布解析が可能
や寸法を非破壊で比較・調査することが可能です。本資料では、真空装置に使用されているゴム製のOリングの測定事例を紹介します。ガスがリークしている長時間使用品を調査するため、X線CT分析および三次元画像解析を行い、新品のデータと比較しました。その結果、長時間使用品は局所的にリングの太さが細くなっている箇所が検出され、そこからリークが起きていることが示唆されました。 測定法:X線CT 製品分野:製造...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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深層学習×データ解析により、多量のデータを活用して試料特性を評価できま…
3種類の乳酸菌を混合させた試料をSEM観察し、得られた画像から深層学習を用いて種類ごとに乳酸菌を抽出しました。さらに、データ解析を行い、乳酸菌の形状をもとに細胞周期上の存在比を求めました。 測定法:SEM、計算科学・AI・データ解析 製品分野:バイオテクノロジ、医薬品、日用品、化粧品、食品 分析目的:形状評価、製品...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。
では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM(Automated Crystal Orientation Mapping)-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界(対応粒界)の観察が可能 特定結晶方位の抽出が可能 隣接結晶粒の回転角の測定が可能 数nm以上の結晶粒を評価可能 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます
フタイムの評価が可能です。本資料では4H-SiCエピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法:蛍光寿命測定 製品分野:パワーデバイス、LSI・メモリ、電子部品 分析目的:故障解析・不良解析、製品調査、キャリアライフタイム、プロセス評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Slice&Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…
析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法:Slice&View・SEM-EDX・EMS 製品分野:パワーデバイス 分析目的:故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Fluorescence lifetime measurement
一つに発光(フォトルミネッセンス)があります。そのうち、パルスレーザーにより物質を瞬間的に励起し、発光の減衰時間を測定する手法が時間分解フォトルミネッセンスと呼ばれるものであり、得られたスペクトルを解析することにより、蛍光寿命を算出します。 物質の蛍光寿命を測定することにより発光過渡現象をよりダイナミックに把握できます。このため、蛍光寿命測定は有機EL材料などの有機材料、太陽電池、光触媒、生...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価
製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層(2DEG)が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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