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EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギ…
EDXは、分析対象領域に電子線照射した際に発生する特性X線の、エネルギーと発生回数を計測し、元素分析や組成分析を行う手法です。EDS: Energy Dispersive X-ray Spectroscopyとも呼ばれます。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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容易に広い領域の結晶情報を得ることが可能
約60~70°傾斜した試料に電子線を照射すると、試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子線が作られます。この後方散乱電子回折を解析することで結晶性試料の方位解析の情報が得られます。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料内部の電界構造(半導体の接合構造)に関する情報を得ることができる手…
SEM装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。 通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料表面(数nm程度の深さ)の元素の種類・存在量の評価
AESは、電子線照射により放出されるオージェ電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面(数nm程度の深さ)に存在する元素の種類・存在量に関する知見を得る手法です。 ・固体材料の表面(深さ数nm)の定性・定量...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を…
EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を調べる手法です。 ・物質の結晶学的情報が得られます。 透過電子顕微鏡の場合、単結晶では規則正しく並んだ回折斑点(スポット)、多結晶で...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得
TEMは、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 ■長所 ・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等を観察・解析可能 ・試料の...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高倍率観察(30万倍程度まで)が可能
SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子(S...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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電子が薄片試料を透過する際に原子との相互作用により失うエネルギーを測定…
EELSとは、入射した電子線が試料内の電子を励起する際に失ったエネルギーを測定することで、試料の組成や元素の結合状態を分析する分光法です。 EELSは大きく分けて3つの領域に分けられます。 1:ゼロロス試料と相互作用...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察
低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます
密度が低い膜について、高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることは困難ですが、低加速電圧のSEM-STEM1)像では、わずかな密度の違いを反映し、組成コントラストをはっきりつけることができます。密度差・平均質量差・組...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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AES:オージェ電子分光法
AES分析では、微小異物の最表面の元素組成評価を行うことが可能なため、微小領域における異物分析に有用です。しかし、電子線等のダメージの影響により異物が変化したり消失してしまう可能性があります。 特に、ハロゲン元素等を含む場合は、その影響を強く受けてしまうことがあり注意が必要です。SEM観察時やAES測定時に異物が...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です
Siにイオンや電子線等を照射すると、Siに僅かに含まれる「格子置換型炭素」の一部が「格子間型炭素」に変化します。この格子間型炭素がデバイスの電気特性に影響を与えているとされています。 格子間型炭素に関連する挙動は低...
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極低加速SEM観察によるセパレータ構造評価
リチウムイオン二次電池に使われているセパレータに代表されるように、材料の多孔性や形状といった微細構造は製品の特性や機能を左右します。材料が樹脂やポリプロピレン(PP)など軟化点が低い場合、観察時の電子線照射により試料が損傷を受け、本来の構造が変化してしまうことがあります。 加速電圧0.1kVという極低加速SEM観察により、変質を抑えて試料最表面の形状を詳細に評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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低加速電圧のSTEMを用いると有機膜のわずかな密度の違いが観えます
膜を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、高効率化のために膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。密度が低い膜(有機膜など)においては、TEM専用機を用いた高加速電圧(数百kV)では電子線の透過能が高いためにコントラストをつけることが困難です。 一方、わずかな密度の違いが反映される低加速電圧のSTEM像観察では膜内の混合状態が明瞭に観察できています。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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HAADF-STEM:高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法
■原理 HAADF-STEM( High-angle Annular Dark Field Scanning TEM)像は細く絞った電子線を試料に走査させながら当て、透過電子のうち高角に散乱したものを環状の検出器で検出することにより得られます。 ■特徴 Z2ρが大きな材料の方がより高角に散乱される ↓ 重い元素はSTEM...
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NBD:Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解…
NBD法では電子線が試料中で回折する角度(電子回折スポット位置)の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域(LOCOS周辺...
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TEM:透過電子顕微鏡法
透過電子顕微鏡での電子回折法は、試料への電子線の入射の仕方によって3つに分類されます。それぞれの特徴とデータ例を示します。評価対象物のサイズや分析目的に応じて、適切な手法を選択する必要があります。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高分解能(加速電圧30kV:4nm)でのSIM像観察が可能
を照射すると二次電子が発生します。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じます。この像を走査イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope: SIM)像といいます。 電子線照射によってもこのようなコントラスト像が得られますが、イオンビームの方が顕著に現れます。 金属多結晶のSIM像を観察することで結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。
電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM(Automated Crystal Orientation Mapping)-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界(対応粒界)の観察が可能 特定結晶方位の抽...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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クライオSEM観察-EDX分析で溶液試料の構造を直接評価
熱に弱い有機材料や液体試料の内部構造を観察・分析するには、加工や電子線照射による温度上昇を抑え、試料本来の構造を保ったまま一連の分析を行う必要があります。 本事例では化粧品を評価サンプルとし、冷却環境を維持したまま断面FIB加工・SEM観察・EDX分析までの構造分...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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電子線照射により発生する特性X線を検出し、エネルギーで分光することによ…
EDXは、電子線照射により発生する特性X線を検出し、エネルギーで分光することによって、元素分析や組成分析を行う手法です。EDS:Energy Dispersive X-ray Spectroscopyとも呼ばれま...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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