フェイス合わせ装置『PBD-30型』

PR異種、異常ボトルの検査・ラベラー機前のボトル容器の向き合わせに！　ノズ…

『PBD-30型』は、画像マッチング機能で異種、異常ボトル容器の検査が可能です。 『PBD-30型』のメイン機能としては、ボトル容器の向きを任意の位置で一定に合わせるフェイス合わせ機能を持っているのでＰＯＰラベラー機の前に設置する事で、ボトル容器のキャップやノズルの向きとラベルの貼り付け位置を合わせる事ができます。 設定は最初にボトル容器の全周画像を自動で取込み、モニターに表示された全周画...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社プランナー

チョコとセンター材を同時充填【小型ワンショットサンドマシン】

PRチョコレートと色々なセンター材を同時に充填するサンドマシンのご紹介！

『小型ワンショットサンドマシン』は、クッキー・ビスケットなどに、ソースやクリームなどさまざまなセンター材とそれを包むチョコレートを同時に充填するサンドマシンです。 長方形クッキーへも長しぼりで対応可能。クッキー供給スタッカー装置・表裏反転装置付です。 また、モールドへのワンショット充填にも対応できます。 【特長】 ■クッキー供給スタッカー装置・表裏反転装置付 ■長方形クッキーへも...

メーカー・取り扱い企業： 谷沢菓機工業株式会社

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

マイクロESCAによる分析

当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。

400LPI の銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）をマイクロ ESCA （Quantum-2000）により分析した例を紹介します。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行いましたが、 二次電子像に対応した銅の分布が得られました。 さらにこのデータから測長機能を利用してメッシュ間距離などを測ることが できます。 また、通常のESCAでは X 線プローブ径が...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。

歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化 するので、組成比毎の相対感度因子...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【Q&A】イオン注入・分析のよくあるご質問

イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介しています

イオンテクノセンターは、先端材料へのイオン注入サービスを行っております。 資料では、イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介。 「イオン注入とは？」をはじめ、「アモルファスとは？」や 「サンプルなどの情報の機密保持は？」等、様々なご質問にお答えしています。 【掲載内容（抜粋）】 ■Q.イオン注入とは？ ■Q.イオン注入できるサンプル、ウェハの大きさや種類を教えて...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター