『多変量統計解析トレーニングセミナー』11月28日・29日開催

PR多変量解析の基礎・原理が良くわかる。実データを用いた解析も行う実践的な…

2024年11月28日・29日に、当社主催のセミナー 『多変量統計解析トレーニングコース＜レベル1＞　理論と実践』 を開催いたします。 本コースでは、複雑なデータの関係性を速やかに解釈し、 産業界、研究界で希求される最新の多変量解析技術を どのように業務応用できるかを集中的に学べます。 多変量統計解析、スペクトル解析、知覚・官能データの解析、PAT/QbDなどを テーマに解説する、数学的説明は...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオリテイデザイン

分析ワークフローを自動化・リモート化！新製品のアジレントＨＰＬＣ

PR【自動化・DXを加速】インテリジェンス機能を持ったAgilent In…

新製品 Agilent Infinity III LCは、 分析ワークフローを自動化・リモート化し、 お客様のラボをスマートにする液体クロマトグラフです。 定型業務、付帯業務を効率化し、R&D、クリエイティブな仕事に 注力でき、ヒューマンエラーとストレスを減らします。 【特長】 ■自動化・リモート化 　移動相の取り扱いからサンプル管理まで、日常的な作業を効率化。 　居室や自宅か...

メーカー・取り扱い企業： アジレント・テクノロジー株式会社

【ゼラチン】※実績多数！製薬会社様、試験分析承ります！

品質管理者必見！わずらわしい試験は、当社におまかせ下さい。当社は、富山…

用し、より一層自社の売上拡大を進めませんか。 当社は、富山県くすり政策課よりGMP適合試験検査機関として審査を受けております。これまでに、県内外の多数の製薬会社様、健康食品会社様、化粧品会社様より分析、試験を受注しております。 ※バックデータ及び操作記録書付き ※詳細はお気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社安全性研究センター

【塩酸】※実績多数！製薬会社様、試験分析承ります！

品質管理者必見！わずらわしい試験は、当社におまかせ下さい。当社は、富山…

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メーカー・取り扱い企業： 株式会社安全性研究センター

【精製白糖】※実績多数！製薬会社様、試験分析承ります！

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メーカー・取り扱い企業： 株式会社安全性研究センター

【スルファジアジン銀】※実績多数！製薬会社様、試験分析承ります！

品質管理者必見！わずらわしい試験は、当社におまかせ下さい。当社は、富山…

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メーカー・取り扱い企業： 株式会社安全性研究センター

【分析事例】雰囲気制御&冷却下でのTEM分析

雰囲気制御下での処理 クライオ加工 冷却 TEM： 透過電子顕微…

イオン二次電池材料や、加工・観察時の熱で変質する有機系材料等の試料は、通常の環境下でTEMを用いて構造を観察することは困難です。 弊団では雰囲気制御によって大気暴露を抑え、更に冷却して加工・観察・分析を行うシステムを整備しておりますので、試料本来の構造を保ったままTEM薄片試料を作製し、観察・分析することが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】三次元培養ヒト皮膚を用いた経皮吸収評価

同一試料の分布評価と定量分析が可能

では皮膚中濃度・皮膚透過量の定量をTOF-SIMSでは皮膚内の成分分布評価を行いました。 測定法：TOF-SIMS・LC/MS・クライオ加工・切削 製品分野：バイオテクノロジ・医薬品・化粧品 分析目的：組成分布評価・安全性試験 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】銅(Cu)の酸化膜厚評価 保管環境による違い

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

日間保管し、TOF-SIMSにて酸化膜厚の測定を行いました。また、約20日間にわたる継続した調査により、再現性が得られていることを確認しました。 TOF-SIMSは酸化物や金属など無機物の深さ方向分析が可能です。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：ディスプレイ・LSI・メモリ・電子部品 分析目的：化学結合状態評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】錠剤タイプ頭痛薬の組成分布評価

新品と過酷試験後の錠剤断面における成分を可視化

市販されている錠剤タイプの頭痛薬に含まれる成分とその分布評価を目的として、錠剤の断面をTOFSIMSにより質量イメージング分析を行いました。制酸剤由来であるAl、Mgと有効成分のアセチルサリチル酸が、2つの領域に分かれていることがわかりました。また、過酷試験として錠剤を4週間に渡り温度50℃、湿度75%の環境に置くことで、...

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【分析事例】定量計算における妨害ピーク除去処理

XPS：Ｘ線光電子分光法

XPS分析では評価に使用する光電子ピーク*以外に、他軌道からの光電子ピークや、X線励起のAugerピーク等も検出されます。元素の組み合わせによっては、これらのサブピークが目的のピークに重なって評価を妨害するこ...

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【分析事例】MSDMによる有機ELデバイスの劣化解析

質量スペクトルを可視化することで、より高精度な解析が可能です

有機EL(OLED)は高精細ディスプレイ向けパネルや照明用など多様な用途に用いられており、層構造解析や劣化解析のニーズが高まってきていますが、様々な有機材料を組み合わせて形成されているため、元素分析だけでは一部の現象しか捉えることができません。 本資料では、TOF-SIMSによりOLEDの深さ方向分析データを取得し、MSDM(Mass Spectra Depth Mapping)により試料の...

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【分析事例】MSDMによる有機ELデバイスの評価

質量スペクトルを可視化することで、より高精度な解析が可能です

有機EL(OLED)は高精細ディスプレイ向けパネルや照明用など多様な用途に用いられており、層構造解析や劣化解析のニーズが高まってきていますが、様々な有機材料を組み合わせて形成されているため、元素分析だけでは一部の現象しか捉えることができません。 本資料では、TOF-SIMSによりOLEDの深さ方向分析データを取得し、MSDM(Mass Spectra Depth Mapping)により解析し...

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【分析事例】XRFによるウエハ上Au薄膜の付着量評価

薄膜成分の付着量を試料間で比較

蛍光X線分析（XRF）では、元素分布の簡便な評価が可能です。 本事例では、蒸着装置を用いて任意量のAuを成膜した4inchのSiウエハA・Bを試料として、Auの分布および総付着量の比較を行いました。 面分析の結...

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【分析事例】有機薄膜太陽電池の活性層の組成分布評価

雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能です

の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。 成膜後アニール処理をすることで、開回路電圧の変化なくフィルファクターの向上に伴い光電変換効率の向上が見られた試料について、TOF-SIMS深さ方向分析を行いました。その結果、PEDOT:PSS層との界面において、アニール前ではPCBMが偏析していることがわかりました。...

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【分析事例】化学分解－GC/MS法によるポリウレタンの分析

縮合系高分子の詳細な構造解析が可能

ポリウレタンなどの縮合系高分子の構造解析を行う際、熱分解GC/MSだけでは情報が十分に得られない場合があります。このような時、メタノールを用いた化学分解を行うことで、より詳細な構造情報が得られるようになります。 本事例ではポリウレタン製軽石をメタノールで分解し、GC/MS測定を行った結果を紹介します。ジフェニルメタンジイソシアネート、フタル酸ジメチル、トリメチロールプロパン、プロピレングリコール...

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【分析事例】カプセル剤タイプ薬の組成分布評価

全体像から局所分布までイメージング評価可能

TOF-SIMSでは、μm～cmオーダーまで様々な大きさの試料について質量イメージング分析が可能です。 カプセル剤タイプ薬の断面についてTOF-SIMSによる質量イメージング分析を行いました。断面加工を行い、薬剤全体（約7mm×20mm）とその内部の顆粒一粒（約500μmΦ）に着目した...

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【分析事例】燃料電池触媒PtRuの組成評価・形態観察

XPS・SEM・TEMを用いた多角的な評価

カーボン担体に触媒粒子が担持された構造をしています。担体や触媒粒子がどのような状態にあるか評価することは、劣化メカニズム解明や設計指針の検討に欠かせません。 触媒被毒（酸化）の状態評価には、XPS分析が有効です。また、触媒凝集や粒成長の評価にはSEM・TEM観察が有効です。 複数の分析手法を組み合わせることにより、多角的な評価をご提案します。...

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【分析事例】RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS

SIMS：二次イオン質量分析法

空間的な分布情報を得るにはイメージングSIMSが有効です。 投影型イメージングSIMS用のRAE（RAE：Resistive Anode Encoder）検出器を用いることで、一般的にイメージング分析に用いられる走査型と比較して大口径かつ深い領域まで分布像を得ることが可能です。...

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【分析事例】固体高分子燃料電池　触媒材料の粒子径・組成評価

STEM・EDXによる触媒粒子の評価

燃料電池の電極は、カーボンに触媒であるPt粒子またはPt合金（PtRu等)粒子が担持されています。この触媒粒子は数nmと微細な構造のため形態観察、組成分析にはSEMやTEM分析が用いられています。初期状態での評価の他に通電後の劣化として合金組成の変調、Ruの溶出、触媒粒子径の増大が報告されていますが、これらの評価にHAADF観察や高分解能EDX分析が...

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【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です

市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAlの深さ方向濃度分布を抽出し、パターン毎に濃度分布の比較を行った事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析

GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能

一般的にSIMSでは含有量が％を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素）検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求めることが可能です。 GaN系LED構造におけるAl,Ga,Inについて、深さ方向の組成評価を行った例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】有機EL発光層の成分分析

雰囲気を保ったまま解体・前処理から装置導入まで可能

た結果を紹介します。窒素雰囲気で作製したサンプルでは親イオンが主として検出されますが、空気中に放置すると親イオンに酸素がついたフラグメントが検出されています。変質しやすい原料については大気にさらさず分析することが必要です。...

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【分析事例】環境中微量金属元素分析

ICP-MS：誘導結合プラズマ質量分析法

クリーンルームや生産ラインなどの環境中に浮遊する金属元素は、製品に付着・混入することで、製品の性能悪化の原因となり得ます。ICP-MSでは、清浄なSiウエハで暴露試験を行い、表面に付着した金属元素量をpptレベルで測定することができます。 なお、事前に洗浄処理をしたSiウエハの貸出しも行っております。 ...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】燃料電池の触媒の評価

XPSによる化学状態分析とTEMによる形態観察

燃料電池の電極は、カーボン担体に触媒であるPt粒子が担持された構造をしています。Ptの評価法として状態分析にはXPS分析、形態観察にはTEM観察が有効です。Pt触媒の酸化(被毒)や凝集(比表面積低下)などのPt触媒の劣化についてもこれらの手法で評価可能です。 角度を変えながら撮影した画像を再構築するこ...

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【分析事例】最表面シラノール基の評価

TOF-SIMSでシラノール基の定量的な評価が可能です

度の異なる数種類のサンプルを用いて検量線を作成しました。測定例では、材質・状態の異なるサンプル表面のシラノール基を比較しました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：組成評価・同定 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

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【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

活性層の形状とドーパントを評価

定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素（N,Al,P）の深さ濃度分布を評価しました。 測定法：SIMS・SCM・TEM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：微量濃度評価・形状評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】X線CTによるポリウレタン内部の空隙率評価

X線CTによる多孔質樹脂材料の解析事例

。 その結果、内部に多数存在する個々の空隙の形状を確認することができました。さらに、得られたデータを用いて空隙率の定量的な評価を行いました。 測定法：X線CT法 製品分野：日用品・樹脂材料 分析目的：形状評価・構造評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】SiC基板の品質評価

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

す。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法：XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野：パワーデバイス・照明 分析目的：微量濃度評価・構造評価・形状評価・故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】CIGS太陽電池の各層の相互拡散評価

表面の凹凸の影響を受けない高精度な測定が可能です

太陽電池では太陽光を有効に吸収するために表面凹凸を活用しています。SIMS分析を行う上で、表面の凹凸は深さ方向分解能の低下を招きます。表面からの測定では表面凹凸及びノックオンの影響により、CIGS中へCd, Zn, Oなどが拡散しているように見えます（図3）が、基板側（裏面側...

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【分析事例】揮発性有機化合物（VOC）P&Tによる微量成分の検出

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

揮発性有機化合物（VOC）は、半導体や工業製品の洗浄時に使用され、洗浄用水等に極微量で含まれる可能性があります。水中のVOCは、極微量であっても臭気の原因になることや健康被害を引き起こすことが懸念されることから、環境基準値や排水基準値が定められ、低濃度まで測定可能な手法が必要とされています。本事例では、P&T(パージ&トラップ)で濃縮した成分をGC/MSに導入することによって、水中の微量なVOC成...

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【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価

金属成分と有機成分を同時に評価可能です

半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点から、ウエハの裏面の清浄度向上に加え、ウエハのベベル部に残留する物質を除去することが求められています。今回、ベベル傾斜面のTOF-SIMS分析を行い、汚染の分布を評価しました（図2）。また、付着物と正常部・汚染源のマススペクトルを比較し、付着物は汚染源の金属（Cr）成分・有機物成分と一致していることがわかりました。 TOF-SIMSにて...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si中不純物の超高感度測定

感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します

SIMS分析における検出感度は単位時間あたりの試料のスパッタ量に依存します。元素によりますが、取得する不純物を1元素に限定することで感度が大幅に向上し、5E13 atoms/cm3以下のppt (parts p...

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【分析事例】FT-IRによるポリイミド樹脂の硬化度評価

官能基の変化を捉えることで樹脂のイミド化率を評価することが可能です

耐薬品性や電気絶縁性などに優れている樹脂は、様々な電子部品の絶縁体、コーティング剤、接着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。一例として、ポリイミドのイミド基から、イミド化率を評価した事例をご紹介します。 デバイス上の絶縁膜におけるイミド化率と、耐水...

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【分析事例】CIGS太陽電池へテロ接合界面の抵抗評価

真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）による局所抵抗分布評価

CIGS薄膜太陽電池のZnO/CdS/CIGSの多結晶へテロ接合界面をSSRM法で分析し、局所的な抵抗分布を計測しました。真空環境下で測定することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できている...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価

不純物元素の定量評価が可能です

高く優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の不純物濃度分析を行った事例をご紹介します。 B,Cはバックグラウンドレベル以下、Siは存在していることがわかります。 MSTでは、Ga2O3標準試料を取り揃えており、30種類以上の不純物の定量が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エポキシ樹脂の構造解析

熱分解GC/MS法によるLED封止材の構造解析

エポキシ樹脂は耐熱性、耐薬品性、絶縁性に優れ、機械的強度も高いため、電子機器の絶縁材料、接着剤、塗料、建築材料など種々の用途に用いられています。しかし溶剤溶解性が無いことから、構造決定のための分析手段は限られてしまいます。本事例ではLEDの封止材として使用されているエポキシ樹脂の熱分解GC/MS測定を行った事例を紹介します。主剤および硬化剤の構造を反映した熱分解生成物が得られ、本樹脂はビスフ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エポキシ樹脂の定性

TOF-SIMS分析による成分の推定が可能

エポキシ樹脂は、優れた機械特性・耐薬品性・電気絶縁性を有することから、プリント基板やIC封止材など電子部品用途として、広く使用されています。エポキシ樹脂の原材料に一般的に用いられるビスフェノール類の試薬について、TOF-SIMSで測定したデータを取得しました。 MSTではサンプルの測定データと標準データとを比較することで、検出されたフラグメントイオンが何の成分由来かを調べることができ、エポキシ樹...

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【分析事例】Si酸化膜・ITO膜中の「水」の評価

｢重水(D2O)処理」を用いた水素の深さ方向分析

厚み1um以下の薄膜における水(H2O)の浸透性を、膜中の重水素(D)の分布を測定することで評価した事例をご紹介します。薄膜中にもともと水素（H)が存在する場合、水の影響による水素であるかを区別することが困難です。そこで、重水（D2O)による処理を行い、天然同位体である重水素の分布をSIMS※1にて深さ方向に測定しました。重水素の深さ方向分布を調べることで、水がどの深さまで浸透したかを推定すること...

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【分析事例】有機薄膜太陽電池活性層の混合状態評価

低加速STEM観察とEELS測定による有機材料の分布状態評価

低加速STEM観察とSTEM-EELS面分析により、バルクへテロ接合型太陽電池の活性層の混合状態の評価を行いました。評価にはITO上に活性層のみを成膜した試料を用いました。 低加速STEM像（写真1）のコントラストはSTEM-EELS像のS...

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【分析事例】GPCによる分子量分布測定

HPLC：高速液体クロマトグラフ法

GPC（Gel Permeation Chromatography：ゲル浸透クロマトグラフィー）はHPLCの分離モードの一つで、高分子化合物の分子量などを評価する手法です。 一度の分析で数平均分子量（Mn）、重量平均分子量（Mw）、分散度（Mw/Mn）を求めることができ、分布の様子を比較することも可能です。SEC（Size Exclusion Chromatography：サイズ...

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【分析事例】ポリイミド樹脂の構造解析

熱分解GC/MS法によりポリイミド樹脂の構造解析が可能

ポリイミド樹脂は耐熱性・耐薬品性・強靭性に優れ、また絶縁性も高いため、電子機器の絶縁材料をはじめ種々の用途に用いられています。しかし溶剤溶解性がほとんど無いことから、構造決定のための分析手段は限られてしまいます。本事例では市販のポリイミド樹脂の熱分解GC/MS測定を行った事例を紹介します。保持時間の長い高沸点成分に、ポリマー構造を反映した熱分解生成物が複数観測され、本法が構造決定の...

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【分析事例】TDSによる有機膜の熱処理温度依存性評価

試料のベーク温度の違いによる脱ガスの変化をTDSで確認できます

る無機ガス・有機ガスについて、脱離の温度依存性も評価可能です。そのため、試料のベーク温度による脱ガスの評価に有効です。 レジスト膜について50℃ベーク、200℃ベークを行い、それぞれについてTDS分析を行った結果を示します。「50℃ベーク後」に検出された200℃までの脱ガスピークが、「200℃ベーク後」では検出されていないことが確認できました。...

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【分析事例】微細トランジスタの構造評価

Csコレクタ付TEMによる高分解能TEM観察

Mの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例では市販のMPUトランジスタ部の高分解能(HR)-TEM観察とEDX元素分布分析を行ったデータを紹介します。3次元的な構造を持つFinFETのような微細な多層構造でも、Csコレクタ付TEMを用いることで素子の構造や元素分布を明瞭に観察することが可能です。...

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【分析事例】燃料電池の固体高分子電解質膜の評価

TOF-SIMSによる分子構造評価・XPSによる化学状態評価

バイル用として注目されています。今回は固体高分子電解質膜について、TOF-SIMSでの分子構造評価例・XPSでの結合状態・定量評価例を紹介します。 その他にも、MSTでは雰囲気制御下での解体・各種分析手法を用いた電池材料の総合評価が可能です。...

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【分析事例】ウエハアナライザーを用いた有機汚染評価

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

ＷＡ（ウエハアナライザー）は、φ76～300mmのウエハを昇温加熱することにより、ウエハ表面に付着している有機汚染物質をガス化させ捕集管にトラップする装置です。そのため、デバイス特性への影響や製造上のトラブルの原因とされるフタル酸エステル系化合物や環状シロキサン化合物などを濃縮し、GC/MSで高感度に測定できます。またヘキサデカンによる換算定量も可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】SiON膜の評価

膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能

高感度なSIMS分析が得意とする低濃度領域に至るまで、SiON膜中Nの分布を深さ方向に評価し、N量（単位：atoms/cm2）を高い精度で評価が可能です（図1）。またNをatomic%へ変換(図2)、Nのフィッテングカ...

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