除染ガス発生装置『steriXcure』

PR養生なしで電子機器などを除染可能。残留も少なく拭き上げ作業も不要。除染…

『steriXcure』は、核酸（DNA・RNA）を分解可能な複合ガスを発生させる装置です。 ドライガスによる除染が行えるため、除染前の電子機器などの養生がいらず、 低濃度で残留もほとんど無いため、除染後の拭き上げ作業も不要。 病原体を扱う実験室の除染のほか、動物実験施設内パスルームに持ち込む 電子機器やゲージ等の除染など、様々な場面で活用できます。 【特長】 ■養生や拭き...

メーカー・取り扱い企業： 水戸工業株式会社

キムテック ポラリスニトリル グローブ ※箱単位でサンプル進呈

PRキムテック史上最高レベルの保護性能と耐久性、人間工学に基づいた快適さを…

キムテック独自の高品質なニトリルを配合し、非常に柔らかく耐久性に優れています。 人間工学認証も取得し、長時間の作業でも疲労を軽減し、快適にご使用頂けます。 また、幅広い化学物質ならびに抗がん剤で耐性を試験済で安心して安全にご使用頂けます。 改正された労働安全衛生法（関係政省令）*に対応しております。 耐透過性評価試験のデータがございますので、必要に応じてお問合せください。 *『2...

メーカー・取り扱い企業： キムテック（Kimtech）・ビジネスユニット 旧キンバリークラーク・サイエンティフィックPPE事業部

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを 試料として用い、深さ分解能を求めました。 1次イオンビー...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集

化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した 化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解を求めた結果を 掲載しています。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター