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    DNAコード化ライブラリー(DEL):創薬スクリーニングの新手法

    PR研究の初期段階を加速!NGSで化合物スクリーニングができるDNAコード…

    効率的な化合物スクリーニング手法として、 創薬の現場などで一般的な手法として確立されてきているDNAコード化ライブラリー(DEL)。 Sigma-Aldrichでは多くの研究者がDELの技術を広く利用できるようするために、 独自のダイナミックライブラリー技術を持つDyNAbind社の協力を得てDELを簡易キット化しました。 準備された実験プロトコルに従いスクリーニングを進めた後は、...

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    メーカー・取り扱い企業: メルク株式会社ライフサイエンス(シグマ アルドリッチ ジャパン合同会社)

  • エスキューは、肌診断機の研究者と販売部門の【橋渡し役】です! 製品画像

    エスキューは、肌診断機の研究者と販売部門の【橋渡し役】です!

    PR肌のポテンシャルをタイプ別に診断する「ポテンシャルファインダー」など、…

    当社では、肌化粧品を製造するメーカー様に向けた『肌診断機を用いた化粧品の販売支援サービス』を提供しております。 美容理論に基づき、敏感肌向けの製品から特定のニーズに対応した化粧品まで、肌診断機を用いた多様な拡販支援策にお役立て頂いてきました。肌診断機を用いた新しいアイデアやコンセプトの提供からテスト、市場投入までの一連のプロセスをサポートいたします。 【導入事例(抜粋)】 ・販売現場で、まだ不慣...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エスキュー

  • SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価 製品画像

    SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

    ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

    他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析 製品画像

    【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

    シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

    アモルファスSiNx(a-SiNx)膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツー...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在 製品画像

    【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

    ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

    β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価 製品画像

    【分析事例】セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価

    ppmオーダーの微量金属も評価可能です

    各種材料の特性を設計・制御するにあたって、母材に微量含まれている元素の種類や量、またそれらの存在状態を明らかにするのは非常に重要です。このうち元素の種類や量に関してはSIMS(二次イオン質量分析法)やICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析法)などによって評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例としてセ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察 製品画像

    【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察

    金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

    走査イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope:SIM)は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。...詳しいデータ...

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  • 【分析事例】AFMデータ集 製品画像

    【分析事例】AFMデータ集

    AFM :原子間力顕微鏡法

    AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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  • 【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価 製品画像

    【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価

    基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

    角度分解XPS(ARXPS)はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜(数nm程度)のデプスプロファイル評価に有効です。 本...

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    【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

    像シミュレーションを併用した結晶形の評価

    高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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    【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価

    STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

    試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の比較から結晶構造の考察を行った事例を紹介します。測定結果と計算シミュレーション結果の併用により、結晶構造に対する理解を深めることが可能となります...詳しいデ...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価 製品画像

    【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

    デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

    近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM(原子間力顕微鏡)を用い...

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  • 【分析事例】SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較 製品画像

    【分析事例】SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較

    着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です

    走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)及び走査イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope:SIM)は、どちらも二次電子像を得ることで試料表面近傍の構造評価を行う手法です。一次プローブの違いによってコントラストの現れ方や空間分解能などの違いがあり、着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です。本資料では2手法の比較をまとめるとともに...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

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