技術資料『JIS規格「分銅」と製造工程の紹介』

PRJIS分銅の製造から市場供給までの流れをご紹介。JIS規格の概要も解説

当社は、質量計測を主軸とし、天びん・分銅の製造や校正サービスを手掛けています。 100年以上にわたって蓄積したノウハウを元に、高度な技術が求められる 機械式はかりの組立や、1μgレベルの高精度な質量調整・校正が可能です。 本資料では、分銅の信頼性を担保する「JISマーク付き分銅」について紹介。 精度等級や特性評価基準などのほか、製造・検査工程などを紹介しています。 【掲載内容(一...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社村上衡器製作所

ハンディタイプ高精度デジタル温度計 Model: CTP1500

PR小型軽量のハンディタイプ温度計。高精度±0.05℃。単三乾電池駆動。校…

◆製品概要 CTP1500はハンディタイプの温度計としてコンパクトながらも優れた精度を持ち、様々な用途や場所での測定が可能です。- 20 ... +180 °Cの範囲で±0.05 °Cの精度を達成しています。この高い精度により、バイオテクノロジーや医薬、食品業界など様々な産業における基準温度計としても活用することが可能です。 ◆製品特徴 CTP1500は小型軽量であるため、簡単に持ち運びをするこ...

メーカー・取り扱い企業： ビカ・ジャパン株式会社

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

分析『二次イオン質量分析』

優れた測定が可能にする分析手法です！

eVのCsやO2イオンをサンプルに照射して 放出される二次イオンの質量分析により、水素を含む全元素の組成分析を 行う手法です。 高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が 可能になっています。 【特長】 ■水素を含む全元素の組成分析を行う ■元素分析が可能 ■低エネルギーイオンによる深さ分解能の測定が可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

表面分析　二次イオン質量分析（SIMS）

物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

○数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される2次イオンの質量分析によって、水素を含む全元素の組成分析を行う手法。 ○高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

分析装置『ESCA』

当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます！面分析も可能です。

線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 （SXI：Scanning X-ray Image）により測定場所を特定して、局所的な 組成および化学結合状態の分析が可能です。また、面分析も可能です。 【特長】 ■X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能 ■局所的な組成の分析が可能 ※詳し...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集

化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスで...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

DEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を 1E16n/cm3に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：180keV ■ドーズ量 ：1E15n/cm2 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

6O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく、質量分離が困難です。 しかしシリコンと砒素の複合分子イオンを測定することによって検出下限を 2×1015 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：700 [keV] ■ドーズ量 ：1×1015 [atoms/...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター