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チョコとセンター材を同時充填【小型ワンショットサンドマシン】
PRチョコレートと色々なセンター材を同時に充填するサンドマシンのご紹介!
『小型ワンショットサンドマシン』は、クッキー・ビスケットなどに、ソースやクリームなどさまざまなセンター材とそれを包むチョコレートを同時に充填するサンドマシンです。 長方形クッキーへも長しぼりで対応可能。クッキー供給スタッカー装置・表裏反転装置付です。 また、モールドへのワンショット充填にも対応できます。 【特長】 ■クッキー供給スタッカー装置・表裏反転装置付 ■長方形クッキーへも...
メーカー・取り扱い企業: 谷沢菓機工業株式会社
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PR水の力で撹拌機を動かす!エアーを使わないので空気が綺麗、電気を使わない…
水道水を作動流にするNADSの水圧モータを使用した撹拌機です。 エアーを使わないので空気が綺麗、電気を使わないので環境に配慮した 安全・安心な撹拌機です。 【NADSとは?】 NADSはNACOL株式会社の新・水圧技術(ADS: Aqua Drive System)を 使用したポンプやモータ、リリーフ弁、ソレノイドバルブ等を展開する シリーズ。空圧や電気駆動では難しかった高性能な駆...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社島崎エンジニアリング 本社
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高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】
SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…
SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム、ガリウムナイトライド)等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII(Plas...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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SIMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介…
材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析(SIMS)が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている ことがわかります。 ※詳しくはPDF資料をご覧い...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。
SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。
400LPI の銅メッシュ(メッシュ間隔:63.5μm)をマイクロ ESCA (Quantum-2000)により分析した例を紹介します。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行いましたが、 二次電子像に対応した銅の分布が得られました。 さらにこのデータから測長機能を利用してメッシュ間距離などを測ることが できます。 また、通常のESCAでは X 線プローブ径が...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。
歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければならない問題があり、 1点目はSi に対する Ge の2次イオン強度が組成比の変化に伴い大きく変化 するので、組成比毎の相対感度因子...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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低エネルギーから8MeVまでの多彩な注入装置を完備しております。
室温でのイオン注入はもちろん、世界で数社のみが対応可能な高温でのイオン注入では、トップレベルの技術力と設備を誇ります。 弊社では、チップ小片から300mm(12インチ)径ウエハまで多種多様なサンプル及び、お客様からのご要望に合わせて各種条件での注入処理が可能です。注入条件は10~8,000KeVまで、室温から高温加熱(600℃)まで、イオン種は約60種の対応が可能です。...※詳しくはPDF...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介しています
イオンテクノセンターは、先端材料へのイオン注入サービスを行っております。 資料では、イオン注入・分析のよくあるご質問をQ&A形式でご紹介。 「イオン注入とは?」をはじめ、「アモルファスとは?」や 「サンプルなどの情報の機密保持は?」等、様々なご質問にお答えしています。 【掲載内容(抜粋)】 ■Q.イオン注入とは? ■Q.イオン注入できるサンプル、ウェハの大きさや種類を教えて...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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今さら聞けない【半導体の基礎知識】~イオン注入~※イラスト解説
半導体の特性の決め手となるイオン注入の一連の流れをイラストを用いて解説…
当資料では、イオン注入の基礎として、目的、装置、その評価についてイラストにてご紹介しています。 株式会社イオンテクノセンターでは、研究開発のためのサンプル作製から 量産請負まで、半導体の前工程のプロセスの受託サービスを行っています。 イオン注入でお困りでしたら、是非当社にお任せください。 【掲載内容】 ■イオン注入の基礎知識...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽に...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。
当ページでは、SIMS (アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素(75As)はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子(29Si30Si16O など)が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…
SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…
半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析(SIMS)が適しています。 SIMS(アルバックファイ:ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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