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【書籍】造粒プロセスの最適化と設計・操作事例集(No.2227)
PR【試読できます】★ 各種造粒のメカニズム、プロセス、操作パラメータ設定…
★ シミュレーション、AIを駆使した造粒プロセス最適化、連続生産システムの構築! --------------------- ■ 本書のポイント ● 造粒のスケールアップに必要な操作パラメータの適切な設定 ● 造粒装置・操作におけるトラブルと対策 ● 造粒物の粒度分布・粒子径・流動性・付着性の評価 ● 造粒のリアルタイムモニタリング、固形製剤連続生産システムの構築 ......
メーカー・取り扱い企業: 株式会社技術情報協会
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Patsnap Synapse |医薬品R&Dインテリジェンス
PR医薬品パイプラインを包括的に把握し、ホワイトスペースを特定し、潜在的な…
Synapseは医薬R&Dインテリジェンス調査ツールで、医薬品、臨床試験、ニュース、文献、特許を一度に検索できます。医薬品の研究開発、導入出・M&A・共同研究先の検討、マーケティングの意思決定を支援します。特許や競合リスクの特定、疾患領域や承認情報の把握にも利用でき、R&Dの効率化とコスト削減を促進します。現在一部機能を無料で体験頂けます。 【特長】 ■Patsnap Copilot ...
メーカー・取り扱い企業: パトコア株式会社
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【分析事例】カールフィッシャー電量滴定法における試料導入方法
カールフィッシャー滴定法
カールフィッシャー電量滴定法は水分量を評価する方法であり、試料の性状に応じて装置への導入方法が異なります。ここでは電量滴定する際の二つの試料導入方法を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】C60,GCIBを用いたアルカリ金属の深さ濃度分布
SiO2膜の不純物の評価
アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にC60(フラーレン)とGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動が抑えられることがわかりました。この測定を行うことで...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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MFMは、磁性膜でコートされたプローブを用いて、サンプル表面近傍に生じ…
・サンプルの磁気特性の情報を定性的に取得可能 ・漏洩磁場による引力・斥力をイメージング可能 ・漏洩磁場の勾配の大きさに比例した磁気力の信号を得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取得も同時に取得可能...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能
SiCパワーMOS FET(図1)において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました(図2)。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなど...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析
像シミュレーションを併用した結晶形の評価
高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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XPS:X線光電子分光法 AES:オージェ電子分光法
XPSとAESは表面敏感な分析手法でありサンプル表面の評価に広く用いられますが、イオンエッチングを併用することで深さ方向の分析が可能となります。 深さ方向分析を行うにあたり、測定したい領域やサンプルの材質に応じてXPSとAESを適切に使い分けることが、目...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価
SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法:XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野:パワー...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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新品と過酷試験後の錠剤断面における成分を可視化
市販されている錠剤タイプの頭痛薬に含まれる成分とその分布評価を目的として、錠剤の断面をTOFSIMSにより質量イメージング分析を行いました。制酸剤由来であるAl、Mgと有効成分のアセチルサリチル酸が、2つの領域に分かれていることがわかりました。また、過酷試験...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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活性層の形状とドーパントを評価
市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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XPS・SEM・TEMを用いた多角的な評価
燃料電池の電極は、カーボン担体に触媒粒子が担持された構造をしています。担体や触媒粒子がどのような状態にあるか評価することは、劣化メカニズム解明や設計指針の検討に欠かせません。 触媒被毒(酸化)の状態評価には、XPS分析が有効です。また、触媒凝集や粒成長の評価にはSEM・TEM観察が有効です。 複数の分析手...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TOF-SIMSによる分子構造評価・XPSによる化学状態評価
固体高分子形燃料電池(PEFC) は常温で高出力のため車載用、家庭用コージェネレーション、モバイル用として注目されています。今回は固体高分子電解質膜について、TOF-SIMSでの分子構造評価例・XPSでの結合状態・定量評価例を紹介します。 その他にも、MSTでは雰囲気制御下での解体・各種分析手法を用いた電池材料の総合評価が可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能
TOF-SIMSで得られる分子情報の深さ方向分析では、(1)深さ方向分解能が良い、(2)酸化物・窒化物・ふッ化物・炭化物・合金・金属など無機物の化学状態の区別が可能、(3)微量な状態の評価が可能、(4)OHのモニターが可能、(5)相対的なサンプル間の比較(膜厚・組成)が可能、(6)イメージ分析により表面数nm程度について状態の分布を視覚的に捕らえた評価が可能です。 自然酸化膜と酸化...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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割断サンプルで50nm薄膜を可視化
AES分析は最表面から数nm深さまでの組成情報を得る手法ですが、試料の断面からAES測定を行って元素分布像を得ることで、層構造を明瞭に評価することが可能です。積層構造の評価やトレンチやホールの内壁の元素分析に加え、機械加工やイオンビーム加工を併用することで、薄い合金層や元素の拡散・偏析等も評価可能です。 本事例ではSi基板上に成膜さ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価
裏面電極型結晶Si太陽電池(バックコンタクト型Si太陽電池)において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層を断面方向から可視化することが可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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同一試料の分布評価と定量分析が可能
用いてインドメタシンの透過試験を行い、同一の皮膚試料に対してTOF-SIMSとLC/MS/MS測定を行いました。LC/MS/MSでは皮膚中濃度・皮膚透過量の定量をTOF-SIMSでは皮膚内の成分分布評価を行いました。 測定法:TOF-SIMS・LC/MS・クライオ加工・切削 製品分野:バイオテクノロジ・医薬品・化粧品 分析目的:組成分布評価・安全性試験 詳しくは資料をダウンロード、また...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TOF-SIMSでシラノール基の定量的な評価が可能です
存在は、表面の撥水性や親水性などの特性に影響を与えます。そのため、その後の表面処理に影響を与える可能性が高く制御が必要となります。 シラノール基の定量をTOF-SIMSで行った事例をご紹介します。評価を行うにあたり、濃度の異なる数種類のサンプルを用いて検量線を作成しました。測定例では、材質・状態の異なるサンプル表面のシラノール基を比較しました。 測定法:TOF-SIMS 製品分野:LSI・メ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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X線CTによる多孔質樹脂材料の解析事例
質ウレタンフォームについて、X線CTを用いて内部の空隙の形状を観察しました。 その結果、内部に多数存在する個々の空隙の形状を確認することができました。さらに、得られたデータを用いて空隙率の定量的な評価を行いました。 測定法:X線CT法 製品分野:日用品・樹脂材料 分析目的:形状評価・構造評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】PtRu触媒の雰囲気・温度制御下での金属価数評価
ガス雰囲気・温度を制御した条件での化学状態評価が可能
u(PtRu/C)触媒は燃料電池のアノード(燃料極)触媒として使用されています。低コスト化を目的にPt使用量の削減が求められており、盛んに研究開発が進められています。燃料電池駆動条件下の触媒の状態を評価するためには、試料のガス雰囲気・温度を制御したままその場観察をするin-situ XAFSが有効です。本資料では、in-situ XAFSを用いて実際に燃料電池として用いられるガス雰囲気・温度に制御...
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【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価
SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲー...
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凹凸サンプルの組成分布評価が可能です
TOF-SIMSは元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時にできることや、イメージ分析が可能なことから、分布評価などに有効な手段です。 本資料では、ノズルの内壁を分析した事例を示します。 ノズル表面と内壁の分布が確認され、各部位でのピークの有無の確認ができました。 測定法:TOF-SIMS 製品分野:...
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官能基の変化を捉えることで樹脂のイミド化率を評価することが可能です
子部品の絶縁体、コーティング剤、接着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。一例として、ポリイミドのイミド基から、イミド化率を評価した事例をご紹介します。 デバイス上の絶縁膜におけるイミド化率と、耐水性・耐熱性等のデータを比較してのプロセス確認に有効です。チップ、ウエハのいずれの状態でも評価が可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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低加速STEM観察とEELS測定による有機材料の分布状態評価
低加速STEM観察とSTEM-EELS面分析により、バルクへテロ接合型太陽電池の活性層の混合状態の評価を行いました。評価にはITO上に活性層のみを成膜した試料を用いました。 低加速STEM像(写真1)のコントラストはSTEM-EELS像のS, Cの元素分布(写真2, 3)と対応しており、バルクヘテ...
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クライオSEMを用いた液体状試料の断面構造観察
液体に分散させて用いる微粒子の粒径・構造を評価する際、従来は液体を乾燥させて粉体として微粒子を取り出し、電子顕微鏡を用いて測定しておりました。しかしながら、実際に用いる液体中で微粒子がどのように分散しているのかを調べるには不向きな測定法でした。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能
高感度なSIMS分析が得意とする低濃度領域に至るまで、SiON膜中Nの分布を深さ方向に評価し、N量(単位:atoms/cm2)を高い精度で評価が可能です(図1)。またNをatomic%へ変換(図2)、Nのフィッテングカーブ算出することができ、フィッティングによりNのピーク濃度・深さ・半値...
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TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能
配線材料として用いられる銅(Cu)は空気中で酸化膜を生じますが、保管環境の違いによる膜厚の差を評価した事例をご紹介します。アルミホイルで包んだ銅(Cu)と、ビニール袋に入れた銅(Cu)をそれぞれ40日間保管し、TOF-SIMSにて酸化膜厚の測定を行いました。また、約20日間にわたる継続した調査に...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
た特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。 本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。 GaN表面近傍における結晶構造の乱れや、膜中のN2、格子間Nを高精度で検出す...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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金属成分と有機成分を同時に評価可能です
イス製造において、歩留まり向上の観点から、ウエハの裏面の清浄度向上に加え、ウエハのベベル部に残留する物質を除去することが求められています。今回、ベベル傾斜面のTOF-SIMS分析を行い、汚染の分布を評価しました(図2)。また、付着物と正常部・汚染源のマススペクトルを比較し、付着物は汚染源の金属(Cr)成分・有機物成分と一致していることがわかりました。 TOF-SIMSにてベベル部(端面と傾斜面)...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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充電前後の電極の様子およびLiの存在・分布を評価可能
気制御環境下で解体、観察をしました。更に、FIBマイクロサンプリング法により断面観察用サンプルを作成し、Csコレクタ付きSTEM装置で形状観察とEELS測定を行い、Si電極の様子と電極中のLi分布を評価しました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価
STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます
試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の比較から結晶構造の考察を行った事例...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて定量的に評価した例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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製造プロセスおける有機汚染の原因や総量を評価できます
についても汚染量を把握することが重要になってきています。 ここでは、2種類のウエハケースにSiウエハを保管し、ウエハ表面全体に付着した有機汚染成分をウエハアナライザーでそれぞれ濃縮し、GC/MSで評価した事例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料のベーク温度の違いによる脱ガスの変化をTDSで確認できます
TDSは昇温と共に脱離する無機ガス・有機ガスについて、脱離の温度依存性も評価可能です。そのため、試料のベーク温度による脱ガスの評価に有効です。 レジスト膜について50℃ベーク、200℃ベークを行い、それぞれについてTDS分析を行った結果を示します。「50℃ベーク後」に検出...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TOF-SIMS分析を用いた毛髪断面の成分分布評価
毛髪を測定し、その内部における成分の分布を得ることは、ヘアケア・染色の影響を調べる際に有効です。 同一人物から白髪・黒髪を採取し、内部の成分分布を評価した事例をご紹介します。 毛髪の断面を作成し、TOF-SIMS測定を行いました。TOF-SIMSでは、金属などの無機物や有機分子の分布情報が得ることができます。今回は毛髪断面における金属の分布に着...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料冷却による高精度なBのプロファイル分析
デバイスの設計の上で特性に大きく影響を与えるSi中Bの濃度分布は、SIMS分析により高感度・高深さ方向分解能での評価が可能です。しかし、一般的な分析条件では、測定起因によりBの濃度分布に歪みが生じることがわかりました。 MSTでは試料冷却がこの歪み補正に有効であることを確認し、より高精度な濃度分布の評価が可能に...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TOF-SIMSによる医薬品成分の可視化
化粧品、衣料品などの幅広い分野で用いられています。日常品である綿棒には、抗菌性をもたせるためキトサンを配合したものがあります。 そこで、マッピングにより可視化が可能であり、スペクトル測定により成分評価が可能なTOF-SIMSを用いて、綿棒に含まれるキトサンの評価を行いました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能
市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl,N,Pの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAl,N,Pの深さ方向濃度分布を抽出した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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XRDその場測定により、充放電過程の結晶構造評価が可能です
in-situ XRD測定を行うことで、充電前後および充電中の正極活物質の結晶構造を評価することができます。正極活物質として現在注目されているLiFePO4についてin situ-XRD測定を行いました。充放電過程における、LiFePO4相がFePO4相に可逆的に変化する様子を捉えまし...
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課題解決のために各種手法を組み合わせた評価を行います
電池は二次電池の中でも優れた特性を有し、各種携帯機器電源として広く普及しています。その高出力化、高容量化、長寿命化、信頼性向上など、まだ様々な課題が残されています。各種分析手法を用いて電池材料の総合評価が可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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波形解析・Arスパッタによる結合状態の深さ方向分布評価
XPSでは酸化成分(酸素と結合している成分)・金属成分(金属と結合している成分)などの結合状態の評価が可能です。また、アルゴンイオンスパッタリングを併用することにより、深さ方向の結合状態の評価も可能です。 ※ ステンレス表面の不動態皮膜(厚さ数十nm~数百nm程度)について、上記測定を行った結果...
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最表面の組成・結合状態の評価が可能
プラントの材料はチタン・チタン合金が多く用いられ、インプラントと骨との結合を促進する目的で、表面に様々なコーティングが施されています。インプラントは生体に埋め込むため、生体と直接触れる表面部の安全性評価が重要です。XPSは最表面(~5nm程度) の組成・結合状態の評価が可能です。 本資料では、XPSで評価を行った事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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STEM・EDXによる触媒粒子の評価
電極は、カーボンに触媒であるPt粒子またはPt合金(PtRu等)粒子が担持されています。この触媒粒子は数nmと微細な構造のため形態観察、組成分析にはSEMやTEM分析が用いられています。初期状態での評価の他に通電後の劣化として合金組成の変調、Ruの溶出、触媒粒子径の増大が報告されていますが、これらの評価にHAADF観察や高分解能EDX分析が非常に有効です。また多視野の観察と分析により粒径および組成...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】AES・SEM-EDXによるCu表面変色部の評価
SEM観察を行いながら検出深さの浅い元素分析が可能
効です。 MST保有のAES装置はSEM像を取得できるため、SEM像で着目箇所の確認をしながらAES分析を行うことが可能です。本事例では、Cu表面に存在する変色部をAES分析とSEM-EDX分析で評価し、比較したデータをご紹介します。また、AES深さ方向分析を行った結果を併せてご紹介します。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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表面の凹凸の影響を受けない高精度な測定が可能です
より、Cd, Zn, OなどのCIGS層中への顕著な拡散がないことがわかります。(図4) 相互拡散の他にも、主成分(Cu, In, Ga, Se)の組成変化、不純物(B, Na, Fe)の濃度分布の評価が可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡(SSRM)による局所抵抗分布評価
CIGS薄膜太陽電池のZnO/CdS/CIGSの多結晶へテロ接合界面をSSRM法で分析し、局所的な抵抗分布を計測しました。真空環境下で測定することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります。各層の抵抗値が数桁異なり、これがキャリア濃度の違いを示しています。CIGS層はi-ZnO層よりも高...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】パワーデバイスのドーパント及びキャリア濃度分布の評価
複合解析で活性化率に関する評価が可能
SIMSによる不純物濃度分布とSRAによるキャリア濃度分布を比較することで、ドーパントの活性化状態がわかるだけでなく、整合しない領域には未知の不純物の存在、構造的な問題の内在が示唆されます。 Profile Viewerを用いれば、お手元でSIMSのデータとSRAのデータを重ね、解析することが可能です。 一例として、市販のダイオードチップについて、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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MOE抗体設計アプリケーション
コンピューターで抗体モデリング・抗体設計を行うための有用なアプ…
株式会社モルシス