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19件 - メーカー・取り扱い企業
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PR電動シリンダー搭載で「品質向上・数値管理」 簡単操作で高い生産性を実現…
「PLASEST-05E型」の稼働に必要なものは200V電源のみで、コンプレッサは不要です。 また、溶着後の厚み・加圧力と高周波条件を数値による設定管理を行う事で出来きます。 加工品の品質向上・安定した製品を生産できる高周波溶着機です。 タッチパネルに条件を保存することにより再現性の高い加工が可能。 電動シリンダーを採用により、下降速度、プレス間隔、加圧力、仕上げ厚みを制御可能。 特...
メーカー・取り扱い企業： 山本ビニター株式会社
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
【要旨】 SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解析、および不純物、欠陥評価を行った事例について紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．試料 ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価
極浅い領域でも高感度に分析
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の表面近傍について、金属元素の定量分析を行った事例を示します。 TOF-SIMSでは極浅い領域でも高感度に評価が可能です。...詳しいデータはカタロ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3 イオン注入ダメージ層の評価
イオン注入後のアニール条件の違いによる差異を確認
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。デバイスの開発には、特性を左右する不純物濃度や結晶性の制御が重要です。本資料では、イオン注入による結晶構造の乱れから生じるダメージ層及び表面粗さの変化を、アニール条件毎に観察した結果を示します。 測定法：TEM・AFM 製品分野...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定
コスト低減の観点から、GaNを材料としたパワーデバイスの基板には高抵抗Si基板の活用が期待されています。しかしながら、高温で成膜する際にAl,GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成されリークの原因と言われております。 そこで、Si基板中へのAl,Gaの拡散の有無を評価するため、SIMS分析を行った事例をご紹介します。 微量の拡散を正確に評価するため、Si基板側からGaN層に向けて...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Web分析の基礎作りをサポート！高度な分析から煩雑な運用まで全部お任せ…
には、こういった数字を把握することが不可欠です。 Googleが提供する無料のアクセス解析ツールを導入することで、Webサイトの アクセス状況をさまざまな視点から分析することが可能。 既にGA4を導入している方でも、イベントの追加やタグの見直しなど、 さまざまなご要望にお応えします。 【特長】 ■他社が作ったサイトでもOK ■技術者と直接相談ができる ■Googleアナリテ...
メーカー・取り扱い企業： スマートスタイル・コンプレックス株式会社 本社
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Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です
パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にG...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
【要旨】 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 １．...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。
SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター
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株式会社リブテラステクノロジーズでは、UVオゾン洗浄改質装置ほか様々な…
１週間単位でレンタル可能ですので、必要な期間だけご利用可能です。 突発的なプロジェクトや、共同研究先での利用など必要な時に必要な期間だけすぐにご利用いただけます。 その他レンタル取り扱い機種 ハンディタイプUV硬化装置 UVKH2501N UVオゾン洗浄装置 UVS401Y UVオゾン洗浄装置 UVS1101N スピンコーター ACT-300A2 接触角計 DMs-401...型...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社リブテラステクノロジーズ
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FIB：集束イオンビーム加工
FIBを用いたTEM観察用薄膜試料作製法では、高エネルギーのGaイオン（加速電圧30kV)を用いており、加工面にダメージ層が生じ、TEMの像質低下の原因となっています。そこで従来より低加速(2kV)の加工を行うことでダメージ層が低減でき、像質が改善されました。 FIB低加速加工によりFIB加工面のダメージを低減することで、TEM像観察、EELS測定において高品質で信頼性の高いデータが得られます。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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化合物半導体の主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
一般的にSIMSでは含有量が％を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素）検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求めることが可能です。 AlGaAs中のAl,Gaについて、深さ方向の組成評価を行った例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
【要旨】 近年、各種デバイスの高集積化に伴い、局所領域における評価が製品開発、機能向上のために極めて重要と考えられている。この度、東レリサーチセンターに導入した新規RBS装置では、高速イオンビームを最小1 μmφまで収束可能なマイクロビームラインを兼ね備えており、微小部における正確な組成・密度分析が可能となる。また、入射イオン種の増加、入射イオンの高速化により、従来と比較し軽元素の大幅な感度向上...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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既設コンプレッサの無駄を運転データから解析し、最新インバータ機に置き換…
ーションを走らせることにより、エネルギー消費量等や最適なコンプレッサを提案します。 〇削減事例 既設の吸い込み絞り方式、ロード／アンロード方式のスクリュコンプレッサを最新型エアコンプレッサ GA-VSD+に置き換えると、平均省エネ率は50％です。 アトラスコプコは、スウェーデンのストックホルムで設立された世界最大のコンプレッサーメーカー"Atlas Copco"社の日本法人です。...
メーカー・取り扱い企業： 高津伝動精機株式会社
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【連載コラム1】M＆Aが解決する経営課題は後継者不在だけじゃない
【日刊工業新聞社「工場管理」2024年7月号掲載】M＆Aが解決する経営…
当資料は、日刊工業新聞社「工場管理 2024年7月号」にて執筆したコラムです。 「M＆Aが解決する経営課題は後継者不在だけじゃない」について掲載しております。 私たちスピカコンサルティングがGA technologiesと経営統合した理由について紹介しています。また、成長企業におけるM&Aを上手に活用する方法について解説しています。 項目ごとに分かりやすく掲載されておりますので、是非、ご...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社スピカコンサルティング
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不純物元素の定量評価が可能です
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが高く優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の不純物濃度分析を行った事例をご紹介します。 B,Cはバックグラウンドレベル以下、Siは存在していることがわかります。 MSTでは、Ga2O3標準試...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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表面の凹凸の影響を受けない高精度な測定が可能です
太陽電池では太陽光を有効に吸収するために表面凹凸を活用しています。SIMS分析を行う上で、表面の凹凸は深さ方向分解能の低下を招きます。表面からの測定では表面凹凸及びノックオンの影響により、CIGS中へCd, Zn, Oなどが拡散しているように見えます（図3）が、基板側（裏面側）から測定することにより、Cd, Zn, OなどのCIGS層中への顕著な拡散がないことがわかります。（図4） 相互拡散の他に...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
一般的にSIMSでは含有量が％を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+(M:着目元素）検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求めることが可能です。 GaN系LED構造におけるAl,Ga,Inについて、深さ方向の組成評価を行った例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！
当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した 化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター
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