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35件 - メーカー・取り扱い企業
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PR水・蒸気・ドレン配管内の鉄サビ除去に効果的なマグネットストレーナ
『Y形マグネットストレーナ DSY』はストレーナ内にマグネットを内蔵することで 配管に発生する鉄サビを吸着するマグネットストレーナです。 配管の腐食によって発生する鉄分(サビ)によるトラブルや 防蝕剤使用することでのランニングコストの増加につながってしまう、 などの問題を解決します。 耐熱マグネットを使用しており、200℃までの使用が可能です。 【特長】 ■200℃まで使...
メーカー・取り扱い企業: ダイカ株式会社
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PR金属異物を吸着除去し、食品などの信頼性確保に貢献。製粉、製糖ラインなど…
『DGH/DGSシリーズ』は、ホッパー内や配管内などに取り付けることで、 格子状に並んだマグネットバーの強い磁力により、金属異物を吸着・除去できる異物除去器です。 食品生産ラインなどのコンタミ対策に貢献するほか、 溶接により作られた継ぎ目のない構造のため、クロスコンタミのリスク低減にも貢献します。 また、清掃作業の省力化のニーズに応え、さや管付きの「簡易清掃タイプ」もご用意。 さ...
メーカー・取り扱い企業: ダイカ株式会社
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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~XPSと計算シミュレーションの比較から~ 価電子帯スペクトルからの…
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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X線CTによる観察事例
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ppmオーダーの微量金属も評価可能です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GC/MS:ガスクロマトグラフィー質量分析法
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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部材同士を接触させ、実プロセスに近い環境での脱ガス評価が可能
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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複合解析により特定の有機成分の脱離について温度依存性評価が可能です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料解体から測定まで一貫して対応します
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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球体形状試料の評価事例
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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スマートフォン部品のリバースエンジニアリング
詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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AFM :原子間力顕微鏡法
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TDS(昇温脱離ガス分析法)で金属中水素の脱離量の評価が可能です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料断面における応力分布を確認することが可能です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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感覚的な製品の出来映えを定量評価可能
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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デバイス内部の構造を複合的に評価します
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価
基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析
像シミュレーションを併用した結晶形の評価
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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炭素材料中の官能基や不純物などに起因する脱ガスについて評価可能です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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数μmの深さまで深さ方向分析を行います
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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熱分解GC/MS法によりグラフェンの官能基の評価が可能
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価
STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能
詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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デバイス内部の異常を非破壊で評価します
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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官能基の変化を捉えることで樹脂の硬化度を評価することが可能です
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メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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