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26件 - メーカー・取り扱い企業
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PR低コストで廃水処理能力を大幅に向上可能！廃水処理設備を止めることなく増…
【増設】 「処理施設の能力不足」や「設置場所が無く増設が困難」といった悩みを AT-BC装置を既設槽上に載せるだけで一発解決！低コストで廃水処理能力を大幅に向上させることができます。活性汚泥法と回転生物接触法の２つの処理法を進化させた廃水処理システムです。 【特長】 ■廃水を止める事無く増設が可能 ■工期は2週間程度 ■既設槽上にAT装置を載せるだけで能力が倍以上に ■設備投資費用は２...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社バチルテクノコーポレーション
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シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価
シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。 放射光を用いたXAFS測定では試料表面から数十nmの深さの情報を検出するため、非破壊でバルク・界面における構造および結合状態を解析することが可能です。 本資料ではXAFSを用いてシリコン酸化膜の中間酸化物の有無を調査...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【超小型】MEMS加速度センサ 被覆・シールドケーブル シリコンMEM…
加速度センサ Model 52M30は非常に優れたダイナミックレンジと安定性を提供する先進のピエゾ抵抗MEMS センサー素子を基盤としています。 この加速度センサ（加速度計、加速度ピックアップ)は-40～121º C の温度領域を持ったフルブリッジ出力構造の特長を持ち合わせています。 微量のガスダンピングが突出した衝撃生存性と最大...
メーカー・取り扱い企業： エフ・アイ・ティー・パシフィック株式会社
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技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価
エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁…
偏光状態の変化を測定し、光学定数（屈折率・消衰係数）や膜厚を評価する手法として知られている。2021年に導入した高速分光エリプソメトリーM-2000UIによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。 【目次】 １. はじめに ２. エリプソメトリーについて ３. PVA膜スピンコート直後の経時変化 ４. シリコン絶縁膜の傾斜エッチ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます
（PL）と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測定をすることで、非破壊かつ簡便に欠陥箇所を特定することができます。多結晶シリコン太陽電池セルにおいて、PLマッピング測定を行い、欠陥箇所を特定した事例を以下に示します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
ない。元素ごとの状態評価は、XAFSにより可能であるが、近年の検出器の感度向上などにより、微量のドーパント元素の化学状態や配位環境を感度よく観測できるようになってきた。本稿では、XAFS を用いたシリコン半導体に含まれるヒ素およびリンの状態評価の事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．分析試料および実験手法 ３．シリコン中のヒ素のXAFS評価 ４．シリコン中のリンのXAFS評価 ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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技術情報誌 201909-01 シリカ表面のシラノール基の定量
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
左右する重要な因子である。本稿では、精度および感度が高く、安定的にシラノール基を定量する手法を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．原理 ３．シリカ粒子の反応性シラノール基の定量 ４．シリコンウエハの表面シラノール基の定量 ５．シラノール基量の加熱による変化 ６．まとめ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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FIB法による特定箇所の平面TEM観察
ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。 これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造（シリコン酸化膜／シリコン窒化膜/シリコン酸化膜）が確認できます。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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評価測定用・新素材など各種試験片の受託制作を１個からお請け致します。御…
合 ・加工の精度やコストダウンを再検討してる場合 MRCは、『精密工学会賞』、『中小企業長官賞』、『十大新製品賞』等受賞（共受）等の実績もあり、50年以上培ってきた加工技術は、構造材の摺動部品、シリコンウエハ、光学部材、ＩＣ基板、超微細のマイクロ加工部品まで、多岐にわたる超精密加工を実現しています。 ※ 詳しくはカタログをダウンロード頂くか、お気軽にご連絡ご相談下さいませ。...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社マルトー 本社
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光電子分光分析装置（ESCA）を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載！
例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン酸化膜とチタン酸化膜の積層膜をESCA （Quantum-2000）によって分析した結果を掲載しております。 【掲載概要】 ■ESCAによる多層膜の深さ分析の分析結果 ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター
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光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です（式１）。 XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを算出す...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
の装置外観写真 表１ NanoSIMS 50Lの特徴 図２ 毛髪の断面構造 図３ NanoSIMS 50Lによる毛髪断面のイオウ（S）のイメージング 図４ SiC中のアルミニウム（Al）、シリコン（Si）、リン（P）の三次元イメージング 図５ SiCデバイスのリン（P）、酸素（O）の二次元イメージングと抽出領域、二次元イメージングから抽出したPのデプスプロファイル...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です
密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果、撥水箇所からはシリコーンオイル、CF系グリース、パラフィンオイルと推定される成分が確認されました。T...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能
回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は特に各種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。 本資料では窒化シリコン（SiN）膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。 測定法：XAFS・XPS 製品分野：太陽電池・照明・酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：電子状態評価 詳しくは資料をダウンロー...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します
す。シロキサンが付着すると、光学系レンズの曇り、膜の剥離や密着不良、リレー回路の接点障害などの悪影響が出ることが知られており、シロキサンのアウトガス量を調査しておくことは重要です。 本資料では、シリコンチューブを200℃で加熱した際の環状ジメチルシロキサンの発生量を調査した事例を紹介します。。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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対象元素に応じて測定条件を選択
フレキシブル薄膜Si太陽電池において、a-Si(アモルファスシリコン)中のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。樹脂で封止されたサンプルを解体し、SIMS分析を行いました。 Bの分析(図3)では表面側の浅い箇所に存在するため、深さ方向分解能を...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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