キムテック ポラリスニトリル グローブ ※箱単位でサンプル進呈

PRキムテック史上最高レベルの保護性能と耐久性、人間工学に基づいた快適さを…

キムテック独自の高品質なニトリルを配合し、非常に柔らかく耐久性に優れています。 人間工学認証も取得し、長時間の作業でも疲労を軽減し、快適にご使用頂けます。 また、幅広い化学物質ならびに抗がん剤で耐性を試験済で安心して安全にご使用頂けます。 改正された労働安全衛生法（関係政省令）*に対応しております。 耐透過性評価試験のデータがございますので、必要に応じてお問合せください。 *『2...

メーカー・取り扱い企業： キムテック（Kimtech）・ビジネスユニット 旧キンバリークラーク・サイエンティフィックPPE事業部

【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。 放射光を用いたXAFS測定では試料表面から数十nmの深さの情報を検出するため、非破壊でバルク・界面における構造および結合状態を解析することが可能です。 本資料ではXAFSを用いてシリコン酸化膜の中間酸化物の有無を調査...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

超小型シリコンMEMS 加速度センサ　52M30

【超小型】MEMS加速度センサ 被覆・シールドケーブル　シリコンMEM…

加速度センサ Model 52M30は非常に優れたダイナミックレンジと安定性を提供する先進のピエゾ抵抗MEMS センサー素子を基盤としています。 この加速度センサ（加速度計、加速度ピックアップ)は-40～121º C の温度領域を持ったフルブリッジ出力構造の特長を持ち合わせています。 微量のガスダンピングが突出した衝撃生存性と最大...

メーカー・取り扱い企業： エフ・アイ・ティー・パシフィック株式会社

技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価

エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁…

偏光状態の変化を測定し、光学定数（屈折率・消衰係数）や膜厚を評価する手法として知られている。2021年に導入した高速分光エリプソメトリーM-2000UIによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。 【目次】 １. はじめに ２. エリプソメトリーについて ３. PVA膜スピンコート直後の経時変化 ４. シリコン絶縁膜の傾斜エッチ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング

太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます

（PL）と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測定をすることで、非破壊かつ簡便に欠陥箇所を特定することができます。多結晶シリコン太陽電池セルにおいて、PLマッピング測定を行い、欠陥箇所を特定した事例を以下に示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

ない。元素ごとの状態評価は、XAFSにより可能であるが、近年の検出器の感度向上などにより、微量のドーパント元素の化学状態や配位環境を感度よく観測できるようになってきた。本稿では、XAFS を用いたシリコン半導体に含まれるヒ素およびリンの状態評価の事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．分析試料および実験手法 ３．シリコン中のヒ素のXAFS評価 ４．シリコン中のリンのXAFS評価 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 201909-01 シリカ表面のシラノール基の定量

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

左右する重要な因子である。本稿では、精度および感度が高く、安定的にシラノール基を定量する手法を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．原理 ３．シリカ粒子の反応性シラノール基の定量 ４．シリコンウエハの表面シラノール基の定量 ５．シラノール基量の加熱による変化 ６．まとめ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察

FIB法による特定箇所の平面TEM観察

ナノオーダーでの加工が可能なFIB技術を用いることにより、特定箇所の平面TEM観察が可能です。 これにより、断面からの観察では構造の確認が困難なホール側壁のキャパシタ絶縁膜のONO三層構造（シリコン酸化膜／シリコン窒化膜/シリコン酸化膜）が確認できます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

1個から受託・テスト加工を受付『加工リサーチセンター』

評価測定用・新素材など各種試験片の受託制作を１個からお請け致します。御…

合 ・加工の精度やコストダウンを再検討してる場合 MRCは、『精密工学会賞』、『中小企業長官賞』、『十大新製品賞』等受賞（共受）等の実績もあり、50年以上培ってきた加工技術は、構造材の摺動部品、シリコンウエハ、光学部材、ＩＣ基板、超微細のマイクロ加工部品まで、多岐にわたる超精密加工を実現しています。 ※　詳しくはカタログをダウンロード頂くか、お気軽にご連絡ご相談ください。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社マルトー 本社

技術情報誌 202305-02 加熱in-situ TEM

加熱in-situ TEMを用い、半導体デバイスの熱処理中の材料の構造…

をnmレベルで可視化し、構造変化に関する新たな知見を得て、膜質制御などプロセス開発に役立てることが可能となる。本稿では、加熱in-situ TEMを用いて、(1)結晶構造解析を併用したアモルファスシリコン膜の結晶成長メカニズム解析、(2)元素分析を併用した金属積層膜の熱挙動把握、(3)平面での薄膜ルテニウム膜の結晶成長過程の観察を行った事例を紹介する。 【目次】 １. はじめに ２. 加熱i...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集

光電子分光分析装置（ESCA）を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載！

例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン酸化膜とチタン酸化膜の積層膜をESCA （Quantum-2000）によって分析した結果を掲載しております。 【掲載概要】 ■ESCAによる多層膜の深さ分析の分析結果 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程か ら膜厚を見積もることが可能です（式１）。 XPSでは非破壊かつ簡便に、広域の平均情報として基板上の薄膜厚みを算出す...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

の装置外観写真 表１　NanoSIMS 50Lの特徴 図２　毛髪の断面構造 図３　NanoSIMS 50Lによる毛髪断面のイオウ（S）のイメージング 図４　SiC中のアルミニウム（Al）、シリコン（Si）、リン（P）の三次元イメージング 図５　SiCデバイスのリン（P）、酸素（O）の二次元イメージングと抽出領域、二次元イメージングから抽出したPのデプスプロファイル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター

【分析事例】撥水箇所の成分分析

TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果、撥水箇所からはシリコーンオイル、CF系グリース、パラフィンオイルと推定される成分が確認されました。T...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

回、XAFSとXPSの複合解析によって、試料構造の制約を少なく、かつ従来よりも高精度なバンドギャップ評価が可能となりました。本手法は特に各種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。 本資料では窒化シリコン（SiN）膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。 測定法：XAFS・XPS 製品分野：太陽電池・照明・酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：電子状態評価 詳しくは資料をダウンロー...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】低分子シロキサンの定量分析

アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します

す。シロキサンが付着すると、光学系レンズの曇り、膜の剥離や密着不良、リレー回路の接点障害などの悪影響が出ることが知られており、シロキサンのアウトガス量を調査しておくことは重要です。 本資料では、シリコンチューブを200℃で加熱した際の環状ジメチルシロキサンの発生量を調査した事例を紹介します。。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】a-Si薄膜太陽電池中のドーパント濃度分布評価

対象元素に応じて測定条件を選択

フレキシブル薄膜Si太陽電池において、a-Si(アモルファスシリコン)中のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。樹脂で封止されたサンプルを解体し、SIMS分析を行いました。 Bの分析(図3)では表面側の浅い箇所に存在するため、深さ方向分解能を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm～20mm程度...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ウエハ表面の金属・有機物汚染評価

複数手法の分析結果より、複合的に評価

析・評価することで発生原因を究明し、不具合を改善することができます。本資料では、Siウエハ表面に付着した汚染をICP-MSとSWA-GC/MS※で複合的に分析した事例をご紹介します。 ※SWA（シリコンウエハアナライザー）-GC/MSとは、ウエハごと電気炉で加熱して有機物をガス化し、GC/MSで測定する手法です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPS多点測定による広域定量マッピング

最大70×70mm領域の組成分布評価

XPS多点測定による広域定量マッピングの事例をご紹介します。 シリコンウエハ上の有機物残渣について、以下の手順で評価いたしました。ピーク強度ではなく存在量（原子濃度）をグラフ化するため、試料凹凸等の影響を受けにくく、且つ広域でのデータ取得が可能です。 試料表面付着...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

振動モニタリングセンサー　２軸・３軸加速度計　多点での計測に最適

構造物等の振動解析に最適　低い加速度gの計測でモニタリングなど多くのセ…

を製造しており世界各国でOEM用としても多くの実績があります。加速度計にはこの半導体ゲージを使用しており微小なパラメータ検出から衝撃測定まで幅広く販売しています。 □■性能■□ ・DC応答シリコンMEMS加速度計 ・計測軸：2軸or3軸 ・計測レンジ⇔感度：±2g⇔1000mV/g、±6g⇔333 ・印加電圧：5～30V ・印加電流：5mA ・作動温度領域：-40～+85℃ ・...

メーカー・取り扱い企業： エフ・アイ・ティー・パシフィック株式会社

水銀フリーに！デジタル真空計【デモ機有】

ガラス・水銀からデジタルへ。デジタル表示で一目で確認。モバイル電源（オ…

力：USB-2.0(Micro USB-B) 　センサ方式：半導体圧力センサ 　電源：AC100～240V(ACアダプダ) ■NMV-104N 　被測定ガス体：非腐食性気体 　受圧素子：シリコン 　圧力サポート：φ11ホースニップル-Rc1/4 BS ■NMV-104C 　被測定ガス体：SUS316L／SUS304が耐える気体 　受圧素子：SUS316L 　圧力サポート：φ11...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社岡野製作所

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

TOF-SIMSで得られる分子情報の深さ方向分析では、（1）深さ方向分解能が良い、（2）酸化物・窒化物・ふッ化物・炭化物・合金・金属など無機物の化学状態の区別が可能、（3）微量な状態の評価が可能、（4）OHのモニターが可能、（5）相対的なサンプル間の比較（膜厚・組成）が可能、（6）イメージ分析により表面数nm程度について状態の分布を視覚的に捕らえた評価が可能です。 自然酸化膜と酸化膜の結果をまと...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化す...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価

光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果と光電子の平均自由行程から膜厚を見積もります（式１）。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスであるシリコン(28)と隣接して いるため、測定条件を最適化することによって検出下限を 6×1015 [atoms/cm3]にまで下げることが出来ました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

新発売！デジタル真空計『NMV-104N/104C』

水銀フリー！U字型真空計の代替えに最適！小型・軽量のデジタル真空計

力：USB-2.0(Micro USB-B) 　センサ方式：半導体圧力センサ 　電源：AC100～240V(ACアダプダ) ■NMV-104N 　被測定ガス体：非腐食性気体 　受圧素子：シリコン 　圧力サポート：φ11ホースニップル-Rc1/4 BS ■NMV-104C 　被測定ガス体：SUS316L／SUS304が耐える気体 　受圧素子：SUS316L 　圧力サポート：φ11...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社岡野製作所