技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価

エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁…

偏光状態の変化を測定し、光学定数（屈折率・消衰係数）や膜厚を評価する手法として知られている。2021年に導入した高速分光エリプソメトリーM-2000UIによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁膜の傾斜エッチング評価について解析例を紹介する。 【目次】 １. はじめに ２. エリプソメトリーについて ３. PVA膜スピンコート直後の経時変化 ４. シリコン絶縁膜の傾斜エッチ...

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技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

ない。元素ごとの状態評価は、XAFSにより可能であるが、近年の検出器の感度向上などにより、微量のドーパント元素の化学状態や配位環境を感度よく観測できるようになってきた。本稿では、XAFS を用いたシリコン半導体に含まれるヒ素およびリンの状態評価の事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．分析試料および実験手法 ３．シリコン中のヒ素のXAFS評価 ４．シリコン中のリンのXAFS評価 ...

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技術情報誌 201909-01 シリカ表面のシラノール基の定量

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

左右する重要な因子である。本稿では、精度および感度が高く、安定的にシラノール基を定量する手法を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．原理 ３．シリカ粒子の反応性シラノール基の定量 ４．シリコンウエハの表面シラノール基の定量 ５．シラノール基量の加熱による変化 ６．まとめ...

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技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

の装置外観写真 表１　NanoSIMS 50Lの特徴 図２　毛髪の断面構造 図３　NanoSIMS 50Lによる毛髪断面のイオウ（S）のイメージング 図４　SiC中のアルミニウム（Al）、シリコン（Si）、リン（P）の三次元イメージング 図５　SiCデバイスのリン（P）、酸素（O）の二次元イメージングと抽出領域、二次元イメージングから抽出したPのデプスプロファイル...

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