バイアル連続巻締め機『VM-NS 008S』

PRワンプッシュで簡単！自動供給・取り出しモデルの連続巻締め機！

『VM-NS 008S』は、自動供給・取り出しモデルのバイアル連続巻締め機です。 操作方法は、ゴム栓・アルミキャップをセットした瓶を供給し スタートボタンを押すだけ。寸動スイッチ付で調整に便利です。 【特長】 ■自動供給・取り出しモデル ■ゴム栓、アルミキャップをセットしたバイアルを並べて運転スイッチを押すだけ ■巻締ローラー位置は微調整可能 ■過負荷防止構造 ■供給部と取り出し部は左右選択可...

メーカー・取り扱い企業： 内外硝子工業株式会社

フローズンスライサー

PR凍結状態の肉を定厚かつ高速でスライス！歩留まり・洗浄性UPを実現

『フローズンスライサー』は、凍っている原料を定厚で スライスする機械です。 サーボモータにより、コンベヤとナイフの位置・回転を制御。 原料高さ200mmまで可能で、原料温度は-10℃までカットできます。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■洗浄性 ・ベルト裏側も容易に洗浄可能 ■安全 ・カバーの無い状態では機械を動かすことができないため、安全に作業可能 ■高性能 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ヒガシモトキカイ

【分析事例】燃料電池等の窒素ドープカーボン材料窒素の置換位置評価

ケミカルシフトを利用して窒素の置換位置の同定や定量的な分離が可能です

燃料電池の電極触媒であるPtに替わる材料として、窒素（N）原子を導入したカーボン材料が注目を集めており、その触媒活性にはカーボン材料中に存在するNの置換位置が大きく関わっています。XPS分析では、Nの結合状態や置換位置の違いによりケミカルシフトが生じるN1sスペクトルの評価を行うことで、Nがどの位置のCと置換されたのかの同定や定量的な分離が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

HAXPESでは、試料表面から深い位置まで（～約50nm）の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】半導体のイオン化ポテンシャル評価

UPS：紫外光電子分光法

半導体では、価電子帯立ち上がり位置(VBM)と高束縛エネルギー側の立上り位置(Ek(min))より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。 表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。 ■価...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】二次電池正極活物質の構造評価

活物質の粒径・結晶方位評価、原子レベル観察が可能

るLi（NiCoMn)O2（NCM）の構造評価として、EBSDにより一次粒子の粒径や配向性を評価しました。更に、方位を確認した一次粒子について高分解能STEM観察を行 い、軽元素（Li,O）の原子位置をABF-STEM像で、遷移金属（Ni,Co,Mn）の原子位置をHAADF-STEM像で可視化した事例を紹介いたします。 測定法：SEM・EBSD・TEM 製品分野：二次電池 分析目的：形...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】界面および深さ方向分解能について

SIMS：二次イオン質量分析法

シングとスパッタ表面の凹凸（ラフネス）の影響を受けるためです。検出している不純 物は、混ぜ合わされた深さまでの平均化した情報となり、深さ方向に幅を持った領域のイオンを検出します。 そのため、界面位置は一般に主成分元素のイオン強度が50％になる位置と定義しています。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

PL（フォトルミネッセンス）マッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察（HAADF-STEM像）を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとS...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

ピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にGa極性、N極性の様子を明らかにすることができました。 測定法：TEM 製品分野：パワーデバイス・光デバイス 分析目的：形状評価・構造評価・膜厚評価 詳しく...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラム観察

Csコレクタ付STEMによる高分解能STEM観察

ABF-STEM像（走査透過環状明視野像）により軽元素の原子位置を直接観察することができます。 HAADF-STEM像との同時取得で、より詳細な構造解析が可能となりました。 本事例では、チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラムを観察した事例をご紹介しま...

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【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化

FFTM法による格子像解析

Fast Fourier Transform Mapping法は、高分解能TEM像をフーリエ変換し、FFTパターンのスポット位置から結晶の微小な格子歪みを解析、可視化する方法です。FFＴＭ解析により、(1)画像のx, ｙ方向の格子歪みの解析、(2)結晶面方向の格子歪みの解析、(3)結晶面間隔分布、結晶面方位分布の解析、(4)...

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【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング

太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます

太陽電池に禁制帯幅以上のエネルギーの光を照射するとキャリアが生成し、一部は発光性再結合をします。その際の発光をフォトルミネッセンス（PL）と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測定をすることで、非破壊かつ簡便に欠陥箇所を特定することができます。多結晶シリコン太陽電池セルにおいて、PLマッピング測定を行い、欠陥箇所を特定した...

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【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析

前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能

積層構造試料のSIMS分析において、試料表面から深い位置に着目層がある構造では、着目層で深さ方向分解能の劣化や上層の濃度分布の影響を受ける懸念があります。このような場合には、前処理により上層を除去してから分析することが有効です。本資料では、 InP/In...

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【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量

赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量

SIMS等の分析でも、水素濃度を求めることは可能ですが、全水素濃度であり、Siと結合した水素及びNと結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置にピークを持つため、それらのピークを利用して、それぞれの水素濃度を求めることが出来ます。 Si基板上SiN膜中のSi-H及びN-H濃度を求めた分析事例を下記に示します。...

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【分析事例】バンプの広域断面観察

イオンポリッシュによる断面作製で微小特定箇所の広域観察が可能です

イオンポリッシュ(IP)法では、機械研磨法で問題となっていた加工ダメージ（界面の剥離・硬さの違いによる段差・研磨による傷など）が少ない断面の作製が可能です。加工位置精度も向上し、微小部位を含む広域断面作製も可能です。結晶の損傷が少ないため、綺麗な結晶パターンが得られます。また、機械的応力の影響がないため、内部構造を忠実に保存したまま、AES分析・SEM観察・E...

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【分析事例】リチウムイオン電池の高分解能X線CT観察

非破壊で電池内部の層構造・異常箇所を確認できます

本資料では、ラミネート型のリチウムイオンポリマー電池をX線CTで分析した事例を紹介します。X線CTを用いることで、20mmx40mmの電池を破壊せずに内部構造を観察し、数μmの異物や空隙の有無・位置を確認することが可能です。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】表面酸化膜のある異物の状態評価

水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の評価が可…

したい場合、最表面のみを分析すると異物表面に存在する酸化膜の情報となってしまうため、異物そのものの情報が得られないことがあります。 TOF-SIMSにより深さ方向に分析を行うことで、酸化膜より深い位置にある異物そのものの組成・状態評価が可能です。 本資料では、Al系の異物と思われる3箇所の状態を評価した事例をご紹介します。...

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【分析事例】リライト材料の層構造分析

無機・有機成分の層構造解析と分子情報の可視化が可能

質量を可視化した事例をご紹介します。 ポイントカードの断面を、TOF-SIMSを用いて分析を行いました。イメージ像により、構成分子や添加剤の存在が確認できました。また、重ね合わせ像によりそれぞれの位置関係が明確となり、構造の把握ができました。...

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【分析事例】素子分離領域の歪解析

NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解…

NBD法では電子線が試料中で回折する角度（電子回折スポット位置）の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域（LOCOS周辺）のSi基板について測定した結果、熱処理温度・...

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【分析事例】DRAMチップの解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...

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【分析事例】MSDMについて

TOF-SIMS：飛行時間型二次イオン質量分析法

TOF-SIMSの深さ方向分析では平面上の位置情報(x,y)を無視すると、各深さ(z)で質量スペクトルが存在するため、深さ・質量・スペクトル強度の3次元データが得られます。この3次元データを1枚の画像として可視化したものが、MSDM(Mass ...

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【分析事例】バイポーラトランジスタの拡散層構造評価

ｐｎ判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能

イポーラトランジスタについて全景からエミッタ部の拡大まで詳細に観察が可能です。 エミッタ電極の中心を通る断面を露出させ、AFM観察、SCM測定を行った事例です。 AFM像と重ねることで、配線との位置関係がはっきりします。...

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［RBS］ラザフォード後方散乱分析法

固体試料にイオンビームを照射し、ラザフォード散乱によって後方に散乱され…

Heなどのイオンを加速して固体表面に照射すると、一部のイオンは試料中の原子によって弾性散乱されます。散乱イオンのエネルギーは衝突した原子の質量数と表面からの位置(深さ)に依存しますので、このエネルギーを分析することにより薄膜を構成する元素の同定と深さ方向の組成を調べることができます。定量に用いる散乱断面積や試料中のエネルギーロス(阻止能)などのデータの信頼...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによるDLCの評価

C1s波形解析を使用したsp2/(sp2+sp3)比の評価

高硬度・高耐摩耗性等の特長から、幅広い分野で活用されてるDLC（ダイヤモンドライクカーボン）膜は、グラファイトとダイヤモンドの中間に位置した材料であり、膜中のsp2（グラファイト構造）とsp3（ダイヤモンド構造）を分離して求められるsp2/(sp2+sp3)比は、膜の特性を決定する重要な要因の一つとなります。 このsp2/(sp2...

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