【デモ機あり】 粉体溶解機 / 粉末溶解ポンプ

PR様々な粉体を液体中に分散・溶解が可能！　ダマや溶け残りなし・短時間処理…

粉体の液体中への分散・溶解というと、タンク内の大型撹拌機で攪拌する、もしくはハンドミキサーで小容量の攪拌を何回も繰り返す、というのが一般的かと思います。ただ、これらの方法ではダマや粉体の溶け残り、処理時間が遅い、作業者に負担がかかるなど、お悩みはありませんか？ 弊社の粉体溶解機を使用すれば粉体投入口が腰の位置にあるため、作業者の負担が軽減され効率的な作業が可能です。また、短時間で処理ができ、ダマ...

メーカー・取り扱い企業： 関西乳機株式会社

【分析事例】燃料電池等の窒素ドープカーボン材料窒素の置換位置評価

ケミカルシフトを利用して窒素の置換位置の同定や定量的な分離が可能です

燃料電池の電極触媒であるPtに替わる材料として、窒素（N）原子を導入したカーボン材料が注目を集めており、その触媒活性にはカーボン材料中に存在するNの置換位置が大きく関わっています。XPS分析では、Nの結合状態や置換位置の違いによりケミカルシフトが生じるN1sスペクトルの評価を行うことで、Nがどの位置のCと置換されたのかの同定や定量的な分離が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［EBIC］電子線誘起電流

試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができる手…

でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。 この起電流をEBIC（Electron Beam Induced Current）と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可視化することが可能です。 ・ｐｎ接合部や結晶欠陥(転位、積層欠陥など)の評価が可能。 ・SEM像と重ねることで、接合や結晶欠陥の位置を特定可能。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

HAXPESでは、試料表面から深い位置まで（～約50nm）の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、...

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【分析事例】バンプの広域断面観察

イオンポリッシュによる断面作製で微小特定箇所の広域観察が可能です

イオンポリッシュ(IP)法では、機械研磨法で問題となっていた加工ダメージ（界面の剥離・硬さの違いによる段差・研磨による傷など）が少ない断面の作製が可能です。加工位置精度も向上し、微小部位を含む広域断面作製も可能です。結晶の損傷が少ないため、綺麗な結晶パターンが得られます。また、機械的応力の影響がないため、内部構造を忠実に保存したまま、AES分析・SEM観察・E...

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【分析事例】バイポーラトランジスタの拡散層構造評価

ｐｎ判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能

イポーラトランジスタについて全景からエミッタ部の拡大まで詳細に観察が可能です。 エミッタ電極の中心を通る断面を露出させ、AFM観察、SCM測定を行った事例です。 AFM像と重ねることで、配線との位置関係がはっきりします。...

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【分析事例】半導体のイオン化ポテンシャル評価

UPS：紫外光電子分光法

半導体では、価電子帯立ち上がり位置(VBM)と高束縛エネルギー側の立上り位置(Ek(min))より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。 表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。 ■価...

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【分析事例】二次電池正極活物質の構造評価

活物質の粒径・結晶方位評価、原子レベル観察が可能

るLi（NiCoMn)O2（NCM）の構造評価として、EBSDにより一次粒子の粒径や配向性を評価しました。更に、方位を確認した一次粒子について高分解能STEM観察を行 い、軽元素（Li,O）の原子位置をABF-STEM像で、遷移金属（Ni,Co,Mn）の原子位置をHAADF-STEM像で可視化した事例を紹介いたします。 測定法：SEM・EBSD・TEM 製品分野：二次電池 分析目的：形...

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【分析事例】界面および深さ方向分解能について

SIMS：二次イオン質量分析法

シングとスパッタ表面の凹凸（ラフネス）の影響を受けるためです。検出している不純 物は、混ぜ合わされた深さまでの平均化した情報となり、深さ方向に幅を持った領域のイオンを検出します。 そのため、界面位置は一般に主成分元素のイオン強度が50％になる位置と定義しています。...

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【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

PL（フォトルミネッセンス）マッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察（HAADF-STEM像）を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとS...

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［SEM］走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

で装置に搬入可能（装置による） ・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能 　EDX検出器による元素分析が可能 　電子線誘起電流（EBIC）を測定し、半導体の接合位置・形状を評価 　電子後方散乱回折（EBSD)法により、結晶情報を取得可能 　FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能（Slice & View） 　冷却観察・雰囲気制...

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ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。...

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［IC］イオンクロマトグラフ法

イオンクロマトグラフ法は液体試料中のイオン成分を検出する手法です

る方法です。 検出器には電気伝導度検出器、電気化学検出器、UV検出器、蛍光検出器、質量分析計等が用いられます。 カラムで分離した各イオン成分の保持時間はイオン成分ごとに異なるため、ピーク位置（保持時間）を標準試料と比較することで定性分析を行うことができます。また、測定強度と溶液中のイオン成分濃度が比例関係となるため、濃度既知の標準溶液との比較によりイオン成分の定量分析が可能です。...

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［AFM］原子間力顕微鏡法

ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測

。 走査の過程で、探針が試料表面に近づくと探針の振動振幅は減少し、逆に遠ざかると増加します。この変化を打ち消して、ある一定の振動振幅を保つように探針の高さを制御しながら走査する方法です。 探針の位置は、探針にレーザーを照射し、その反射光をフォトディテクタで検出することで行います。...

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OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗…

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。 ・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。 ・コンタクトの抵抗異常を特定可能。 ・配線ショート箇所を特定可能。 ・DC電流経路を可視化。 ・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。...

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【分析事例】化学修飾XPSによる水酸基の定量

高分子フィルムの水酸基評価

高分子フィルムの接着性や濡れ性といった特性を制御するにあたって、表面に存在する極性官能基(アルコール基)を定量的に評価することは非常に重要です。XPSは定量的な評価に最適ですが、ピーク位置が隣接している酸化状態(C-O-C)と水酸化状態(C-OH)を切り分けて定量することが困難です。 MSTではポリビニルアルコール（PVA）について化学修飾法を用いてアルコール基のみを選択的に反応さ...

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【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

ピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結晶の表面物性・化学反応性も異なります。 本資料では、GaNの極性を環状明視野(ABF)-STEM観察により評価しました。その結果、Gaサイト・Nサイトの位置を特定することができ、視覚的にGa極性、N極性の様子を明らかにすることができました。 測定法：TEM 製品分野：パワーデバイス・光デバイス 分析目的：形状評価・構造評価・膜厚評価 詳しく...

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【分析事例】チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラム観察

Csコレクタ付STEMによる高分解能STEM観察

ABF-STEM像（走査透過環状明視野像）により軽元素の原子位置を直接観察することができます。 HAADF-STEM像との同時取得で、より詳細な構造解析が可能となりました。 本事例では、チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラムを観察した事例をご紹介しま...

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【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化

FFTM法による格子像解析

Fast Fourier Transform Mapping法は、高分解能TEM像をフーリエ変換し、FFTパターンのスポット位置から結晶の微小な格子歪みを解析、可視化する方法です。FFＴＭ解析により、(1)画像のx, ｙ方向の格子歪みの解析、(2)結晶面方向の格子歪みの解析、(3)結晶面間隔分布、結晶面方位分布の解析、(4)...

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【分析事例】多結晶シリコン太陽電池のPLマッピング

太陽電池セルの欠陥の位置を非破壊で特定することができます

太陽電池に禁制帯幅以上のエネルギーの光を照射するとキャリアが生成し、一部は発光性再結合をします。その際の発光をフォトルミネッセンス（PL）と呼びます。しかし、欠陥が存在する箇所では、キャリアが捕捉されPL強度が弱くなります。このことから、PLマッピング測定をすることで、非破壊かつ簡便に欠陥箇所を特定することができます。多結晶シリコン太陽電池セルにおいて、PLマッピング測定を行い、欠陥箇所を特定した...

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【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析

前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能

積層構造試料のSIMS分析において、試料表面から深い位置に着目層がある構造では、着目層で深さ方向分解能の劣化や上層の濃度分布の影響を受ける懸念があります。このような場合には、前処理により上層を除去してから分析することが有効です。本資料では、 InP/In...

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【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量

赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H,N-Hを定量

SIMS等の分析でも、水素濃度を求めることは可能ですが、全水素濃度であり、Siと結合した水素及びNと結合した水素をそれぞれ求めることは出来ません。FT-IRではSi-H伸縮振動とN-H伸縮振動が別の位置にピークを持つため、それらのピークを利用して、それぞれの水素濃度を求めることが出来ます。 Si基板上SiN膜中のSi-H及びN-H濃度を求めた分析事例を下記に示します。...

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【分析事例】表面酸化膜のある異物の状態評価

水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の評価が可…

したい場合、最表面のみを分析すると異物表面に存在する酸化膜の情報となってしまうため、異物そのものの情報が得られないことがあります。 TOF-SIMSにより深さ方向に分析を行うことで、酸化膜より深い位置にある異物そのものの組成・状態評価が可能です。 本資料では、Al系の異物と思われる3箇所の状態を評価した事例をご紹介します。...

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【分析事例】リチウムイオン電池の高分解能X線CT観察

非破壊で電池内部の層構造・異常箇所を確認できます

本資料では、ラミネート型のリチウムイオンポリマー電池をX線CTで分析した事例を紹介します。X線CTを用いることで、20mmx40mmの電池を破壊せずに内部構造を観察し、数μmの異物や空隙の有無・位置を確認することが可能です。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】リライト材料の層構造分析

無機・有機成分の層構造解析と分子情報の可視化が可能

質量を可視化した事例をご紹介します。 ポイントカードの断面を、TOF-SIMSを用いて分析を行いました。イメージ像により、構成分子や添加剤の存在が確認できました。また、重ね合わせ像によりそれぞれの位置関係が明確となり、構造の把握ができました。...

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【分析事例】素子分離領域の歪解析

NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解…

NBD法では電子線が試料中で回折する角度（電子回折スポット位置）の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域（LOCOS周辺）のSi基板について測定した結果、熱処理温度・...

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【分析事例】DRAMチップの解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...

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【分析事例】MSDMについて

TOF-SIMS：飛行時間型二次イオン質量分析法

TOF-SIMSの深さ方向分析では平面上の位置情報(x,y)を無視すると、各深さ(z)で質量スペクトルが存在するため、深さ・質量・スペクトル強度の3次元データが得られます。この3次元データを1枚の画像として可視化したものが、MSDM(Mass ...

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［RBS］ラザフォード後方散乱分析法

固体試料にイオンビームを照射し、ラザフォード散乱によって後方に散乱され…

Heなどのイオンを加速して固体表面に照射すると、一部のイオンは試料中の原子によって弾性散乱されます。散乱イオンのエネルギーは衝突した原子の質量数と表面からの位置(深さ)に依存しますので、このエネルギーを分析することにより薄膜を構成する元素の同定と深さ方向の組成を調べることができます。定量に用いる散乱断面積や試料中のエネルギーロス(阻止能)などのデータの信頼...

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［ED］電子回折法

EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を…

、電子は弾性散乱されます。 散乱された電子は互いに干渉しあいますが、ブラッグ条件を満たした電子だけが特定の方向に回折波として強度を持ち、回折スポットを形成します。 透過光と複数の回折スポット間の位置関係を解析することで、試料の結晶構造に関する情報を得ることができます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSによるDLCの評価

C1s波形解析を使用したsp2/(sp2+sp3)比の評価

高硬度・高耐摩耗性等の特長から、幅広い分野で活用されてるDLC（ダイヤモンドライクカーボン）膜は、グラファイトとダイヤモンドの中間に位置した材料であり、膜中のsp2（グラファイト構造）とsp3（ダイヤモンド構造）を分離して求められるsp2/(sp2+sp3)比は、膜の特性を決定する重要な要因の一つとなります。 このsp2/(sp2...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価

SCMによる特定箇所の拡散層評価

はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ることもできます。また、拡散層のp/n極性も識別可能です。さらに、同一箇所のSEM観察を行い、SCM分析結果と画像合成を行うことで、拡散層と上部配線構造との位置関係を明確にできます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST