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PRなぜ、インライン分析がいま重要なのか?人手不足や労働時間規制に対応する…
無料オンラインセミナーのご招待です。 フォスのインライン成分分析装置について深掘りし、 製造プロセスの最適化と生産性の向上にどのように寄与するかをご紹介。 技術トレンドや、各業界でお使い頂けるアプリケーションを中心とした活用事例や応用例も紹介し、 人手不足や労働時間規制に対応するための製造プロセス改善のヒントを得られます。 乳業や食肉、飼料、穀物分野などの担当者の方に特におススメのセ...
メーカー・取り扱い企業: フォス・ジャパン株式会社
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PR新規AIベースの細胞形態データ分析手法を利用した、新しいアプローチで、…
『VisionSort』は、ゴーストサイトメトリー技術を搭載したセルソーターです。 独自に開発した光学技術により、細胞の形態的特徴を包括的かつ高速に測定・解析することができます。 取得した形態情報を機械学習(AI)によって分析することによって、細胞を染色せずに、ラベルフリーで分析することができます。 細胞治療/再生医療、疾患プロファイリング、創薬といった幅広い分野での研究開発にご利用い...
メーカー・取り扱い企業: シンクサイト株式会社
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ppmオーダーの微量金属も評価可能です
各種材料の特性を設計・制御するにあたって、母材に微量含まれている元素の種類や量、またそれらの存在状態を明らかにするのは非常に重要です。このうち元素の種類や量に関してはSIMS(二次イオン質量分析法)やICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析法)などによって評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GC/MS:ガスクロマトグラフィー質量分析法
ンルームでは、パーティクルだけでなく分子レベルの化学汚染(分子状汚染)を把握することが重要です。浮遊分子状汚染物質としては酸・塩基性ガスや凝集性有機物質、ドーパント、金属などが挙げられ、成分に応じて分析方法は異なります。 ここでは凝集性有機物質の詳細と、代表的な捕集方法である“吸着剤捕集”と“ウエハ暴露捕集”について紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング
代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice&Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx(a-SiNx)膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツー...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能
半導体の製造工程において表面改質を目的としたイオン照射を行うことがあります。その中で、単結晶 Si表面に不活性元素のイオンを照射することで構造の損傷が生じ、アモルファス層が形成されることが 知られています。 高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されること を利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます
TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例
パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm~20mm程度の複数の空隙があることを確認しました。本手法によって、貼り合わせウエハ内部の密着性評価が可能となります。...詳しいデータはカタログをご...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です
走査イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope:SIM)は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。...詳しいデータ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料断面における応力分布を確認することが可能です
単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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AFM :原子間力顕微鏡法
AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GaN RF半導体デバイス市場は2036年までに約152 億米ドルの収…
6%のCAGRで成長すると予想されています。 SDKI のアナリストは、世界中でモノのインターネット (IoT) の利用が拡大しているため、GaN RF 半導体デバイスの市場シェアが大幅な拡大すると分析しました。 日本のGaN RF半導体デバイス市場規模は、国内における無線ネットワークの普及の増加により、さらに拡大すると考えられます。...
メーカー・取り扱い企業: SDKI Inc.
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フリート管理市場は2036年までに584 億米ドルの収益を生み出すと予…
間(つまり2024―2036年)にわたって3.2%のCAGRで成長すると予想されています。SDKI Inc. のアナリストは、テレマティクスの技術進歩によりフリート管理の市場シェアが大幅な拡大すると分析しました。 日本のフリート管理市場規模は、国内の規制遵守の結果として拡大するはずです。...
メーカー・取り扱い企業: SDKI Inc.
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【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価
基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です
角度分解XPS(ARXPS)はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜(数nm程度)のデプスプロファイル評価に有効です。 本...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析
像シミュレーションを併用した結晶形の評価
高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM(走査 型非線形誘電率顕微鏡)にてキャリア極性判定をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)にてキ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析(破壊分析)をご提案します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつ…
株式会社イオンテクノセンターは、時代の求めるプロフェッショナル 集団として、前身であるイオン工学研究所の事業を引き継いだ形で 誕生いたしました。 特にイオン注入、成膜、分析を中心とした技術と設備を備えた先端の 研究開発を行い、日本を代表する創造的ラボラトリーをめざします。 【事業内容】 ■イオン工学に関する研究開発受託 ■イオン工学に関する装置による金属、...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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サンプル販売から工業生産まで対応!純度アップや追加分析などのカスタム対…
待されています。 ナード研究所では自社昇華精製装置を使い、ピセンなど高純度の有機半導体を 製造販売しています。 研究用のサンプル販売から工業生産まで対応しており、純度アップや 追加分析などのカスタム対応が可能。 また、自社昇華精製装置を使い、純度99.9%以上の高純度有機半導体を 製造しています。研究用のサンプル販売から工業生産まで対応します。 【特長】 ■ピセン...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ナード研究所
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カスタマイズ可能な拡がり抵抗測定器
がり抵抗測定システムです。 試料の深さ方向の抵抗率分布、エピタキシャル層の厚さ、PN接合の深さ、 キャリア濃度分布を求めることが可能です。 数mm角の領域から、数百μm程度のパターン領域の分析ができます。 測定した拡がり抵抗から、較正曲線を用いて低効率を算出します。 お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です。 【特長】 ■2探針法 ■パターン領域の分析が可能 ■...
メーカー・取り扱い企業: ナプソン株式会社
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ウェットケミカルと洗浄剤市場を調査!市場概況、サプライヤー情報などを掲…
の調査会社テクセット社の調査レポートです。 半導体工程で使用されているウェットケミカル(液体化学薬品)と洗浄剤 市場を調査し、市場概況、サプライヤー情報、技術動向などについて詳細に 調査・分析した結果を提供。 主要な半導体ウェットケミカルサプライヤーに関する情報、ウェットケミカル 材料のサプライチェーンにおける問題や動向などを掲載しております。 【掲載内容(抜粋)】 ■エ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社データリソース
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少量ウェーハに対応!研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス! ハ…
おります。 *各種加工:成膜・グラインダー(30μm以下も可能)ダイシング・エッジ部面取り加工・サイズダウン・パターニング・シリコン及び化合物半導体ウェーハ再生(リクレイム)・再洗浄、測定及び分析サービス等も対応可能。 シリコン単結晶/多結晶/合成石英の各種加工品も取り扱っております。 化合物半導体や各種電子材料・ウェーハケース、トレイ、ダイシングテープなどの周辺用品もお問合せ下さ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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企画段階よりお客様のニーズに応じた装置を設計・製作致します!
力機械の設計・製作 ■半導体製造装置の設計・製作 ■各種検査装置の設計・製作 ■精密部品・精密金型の設計・製作 ■各種治工具の設計・製作 ■ソフトウェア開発販売(装置制御、画像処理、データ分析収集) ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業: システムセイコー株式会社
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業界の動向、需給状況を把握!クォーツ製品の市場に焦点を当てた市場調査レ…
場 2022:材料分野、加工部品、半導体用母材』は、テクセット 社のマテリアル市場調査レポートです。 クォーツ(石英)材料や石英部品を含むクォーツ製品の市場に焦点を当てて います。技術動向分析、高純度砂、基材メーカー、およびクォーツ加工 メーカーからのサプライチェーン詳細を掲載。 業界の動向、需給状況を把握し、業界が抱える欠点や問題点を浮き彫りにします。 【掲載内容(抜粋)...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社データリソース
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SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます(拡散層構造の高感度評価)
いても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SNDM分析を行った事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価
STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます
試料の測定によって得られた結果と、シミュレーションの併用により、結晶構造の評価が可能です。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の比較から結晶構造の考察を行った事例を紹介します。測定結果と計算シミュレーション結果の併用により、結晶構造に対する理解を深めることが可能となります...詳しいデ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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熱分解GC/MS法によりグラフェンの官能基の評価が可能
グラファイトの単層品であるグラフェンは、強靭性、高導電性、高熱安定性などの優れた特性から、電池、透明電極、センサー等、幅広い分野への応用が期待されています。また製法によって表面に存在する官能基の種類や量が異なると言われており、その構造を明らかにすることは性能向上を図る上で重要なポイントとなります。 本事例では熱分解GC/MS法により、2種のグラフェンの官能基を比較した事例を紹介します。...詳し...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM(原子間力顕微鏡)を用い...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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テカンはインターフェックスへ出展します!
医薬品・化粧品の研究・製造に関わる製品・技術・サービスが出展す…
テカンジャパン株式会社 -
【エコで安全!】ノンフロン汎用機器ソリューションのご紹介
エコなノンフロン汎用機器へ更新しませんか?※「ノンフロンソリュ…
サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社/Thermo Fisher Scientific K.K. -
中分子(オリゴ核酸・ペプチド)原薬の受託開発製造(CDMO)事業
充実の設備と高い技術力で開発段階に応じた好適なCDMOサービス…
株式会社日本触媒 -
医療業界向け『産業用カメラ』※ホワイトペーパー無料進呈
高精度・高解像度で耐久性に優れ、診断装置や研究・開発装置などに…
アイ・ディー・エス株式会社 -
3M(TM)ハーベスト RC BT500
ボトルトップ型クロマトグラフィーデバイス!簡単10分*、500…
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リニアポンプ『LRシリーズ』【優れた定量性と送液精度!】
医薬・研究・食品・環境分析など幅広い用途に応える高機能!独自開…
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AIで超効率化!バッチリリース/出荷判定完全自動化ソリューション
スキャンデータをクラウドに送るだけ!…人力による膨大な工数がか…
株式会社エステックエンジニアリング