測定 | イプロス医薬食品技術

PR期待の再生医療技術ダイレクトリプログラミング研究を加速させた測定装置と…

再生医療は、アンメットメディカルニーズの高い疾患への治療法になることが期待されているが、中でも、ダイレクトリプログラミング技術は多能性幹細胞を介さず体細胞から目的の細胞に誘導でき、従来の技術に比べて時間的・経済的コストを抑えられる可能性もある。ダイレクトリプログラミングによる1型糖尿病患者の再生治療の確立を目指して研究を進める順天堂大学大学院医学研究科難病の診断と治療研究センター（難治性疾患診断...

メーカー・取り扱い企業：シスメックス株式会社再生医療事業分野

ソーラーシミュレーター『G2009B1』

PRLED光により必要な範囲の波長の光を、キセノンランプより長寿命でかつ安…

『G2009B1』は、小面積セルの太陽電池特性評価に好適なソーラーシミュレーターです。 AM1.5Gの太陽光スペクトルを高精度に再現し、自然光に限りなく近い精度を実現しています。太陽電池の効率測定や光起電力デバイスの研究に活用できます。【特長】 ■直径15mmのエリアでクラスAAAのスペクトル性能、直径25mmのエリアで　クラスABAのスペクトル性能(IEC規格...

メーカー・取り扱い企業：重松貿易株式会社大阪本社

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

分析『二次イオン質量分析』

優れた測定が可能にする分析手法です！

eVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される二次イオンの質量分析により、水素を含む全元素の組成分析を行う手法です。高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が可能になっています。【特長】 ■水素を含む全元素の組成分析を行う ■元素分析が可能 ■低エネルギーイオンによる深さ分解能の測定が可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

表面分析　二次イオン質量分析（SIMS）

物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

○数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される2次イオンの質量分析によって、水素を含む全元素の組成分析を行う手法。 ○高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

半導体分析

各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能！

半導体の微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析など　各種手法により研究開発のサポートを致します。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

分析装置『ESCA』

当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます！面分析も可能です。

線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像（SXI：Scanning X-ray Image）により測定場所を特定して、局所的な組成および化学結合状態の分析が可能です。また、面分析も可能です。【特長】 ■X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能 ■局所的な組成の分析が可能 ※詳し...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

株式会社イオンテクノセンター　会社案内

イオン注入・成膜・分析の技術と設備をさまざまな分野のイノベーションにつ…

■物理分析評価サービス業務 ■技術情報提供サービス業務 ■大学及び研究機関における研究成果および特許権、実用新案権、意匠権、　商標権等の産業財産権その他無形財産権の事業支援とその仲介 ■測定器、分析器等精密機械器具の企画、開発、製造、販売並びに技術指導　及び研究に関する業務の受託 ■電子部品及び自動制御機器の企画、開発、製造、販売並びに技術指導及び　研究に関する業務の受託 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定事例集

化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントのサービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで正確な測定が行えるようになりました。アルミニウムの質量数(27)はマトリックスで...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

DEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムをイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を 1E16n/cm3に下げることが出来ました。【注入条件】 ■エネルギー：180keV ■ドーズ量：1E15n/cm2 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

6O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく、質量分離が困難です。しかしシリコンと砒素の複合分子イオンを測定することによって検出下限を 2×1015 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。【注入条件】 ■エネルギー：700 [keV] ■ドーズ量：1×1015 [atoms/...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター