エスキューは、肌診断機の研究者と販売部門の【橋渡し役】です！

PR肌のポテンシャルをタイプ別に診断する「ポテンシャルファインダー」など、…

当社では、肌化粧品を製造するメーカー様に向けた『肌診断機を用いた化粧品の販売支援サービス』を提供しております。 美容理論に基づき、敏感肌向けの製品から特定のニーズに対応した化粧品まで、肌診断機を用いた多様な拡販支援策にお役立て頂いてきました。肌診断機を用いた新しいアイデアやコンセプトの提供からテスト、市場投入までの一連のプロセスをサポートいたします。 【導入事例（抜粋）】 ・販売現場で、まだ不慣...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エスキュー

AI駆動型ラベルフリーイメージングセルソーター

PR新規AIベースの細胞形態データ分析手法を利用した、新しいアプローチで、…

『VisionSort』は、ゴーストサイトメトリー技術を搭載したセルソーターです。 独自に開発した光学技術により、細胞の形態的特徴を包括的かつ高速に測定・解析することができます。 取得した形態情報を機械学習（AI）によって分析することによって、細胞を染色せずに、ラベルフリーで分析することができます。 細胞治療/再生医療、疾患プロファイリング、創薬といった幅広い分野での研究開発にご利用い...

メーカー・取り扱い企業： シンクサイト株式会社

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

SIMS(二次イオン質量分析法)は数 kV の 1次イオンビーム(O2+, Cs+)を試料 表面に照射し、スパッタされた二次イオンを質量分析して試料中の微量 不純物を分析する事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

分析『二次イオン質量分析』

優れた測定が可能にする分析手法です！

eVのCsやO2イオンをサンプルに照射して 放出される二次イオンの質量分析により、水素を含む全元素の組成分析を 行う手法です。 高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が 可能になっています。 【特長】 ■水素を含む全元素の組成分析を行う ■元素分析が可能 ■低エネルギーイオンによる深さ分解能の測定が可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

表面分析　二次イオン質量分析（SIMS）

物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行ってい…

○数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される2次イオンの質量分析によって、水素を含む全元素の組成分析を行う手法。 ○高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

半導体分析

各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能！

半導体の微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析など　各種手法により研究開発のサポートを致します。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

分析装置『ESCA』

当社のESCAはX線プローブ径を5μmまで絞れます！面分析も可能です。

線プローブ径を5μmまで絞ることが可能な X線光電子分光分析装置です。 X線を走査しながら照射することによって発生する二次電子像 （SXI：Scanning X-ray Image）により測定場所を特定して、局所的な 組成および化学結合状態の分析が可能です。また、面分析も可能です。 【特長】 ■X線プローブ径を5μmまで絞ることが可能 ■局所的な組成の分析が可能 ※詳し...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集

化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

SiC 基板へのAl イオン注入深さ分析

SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介…

によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスで...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

アルミイオン注入深さ分析

検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分…

DEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を 1E16n/cm3に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：180keV ■ドーズ量 ：1E15n/cm2 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

砒素イオン注入深さ分析

SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。

6O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく、質量分離が困難です。 しかしシリコンと砒素の複合分子イオンを測定することによって検出下限を 2×1015 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：700 [keV] ■ドーズ量 ：1×1015 [atoms/...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター