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薄膜光学特性を非破壊で測定! 手軽に高精度測定できる分光エリプソメト…
日本セミラボの分光エリプソメーター『GES5E』は、従来の光学測定器では不可能だった薄膜光学特性の測定を非破壊で実現しました。 薄膜、多層膜の膜厚、各層の屈折率(N,K値)波長分散を算出。研究開発からインライン生産品質管理ほかあらゆる分野で活躍しています。 【測定可能な物理特性】 ■厚さ光学屈折率 ■屈折率の勾配と材料組成 ■ドーパント濃度...【豊富な製品バリエーション】 ○...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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不良及び結晶欠陥の解析に有効!幅広いクライオスタット用のインターフェイ…
『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能な バルク内欠陥・界面準位測定装置です。 「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な 測定に対応。ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 高感度アナログ/デジタル(測定はアナログ、データ処理はデジタル) ロックイン平均法を採用したユニークなシステ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能!マイウロウェーブ反射による非…
半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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広い範囲で優れた測定直線性!三次元グラフィックマップとしてPCモニター…
『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。 ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。 四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を 解決します。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてシート抵抗を測定します。 【...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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IR反射率測定ヘッドを使用可能!高スループットのエピ膜厚測定を実現した…
『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自の エピ膜厚測定装置です。 高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に 準拠しています。 また、EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、 装置の稼働時間を向上してメンテナンスの必要性を減らします。 【特長】 ■ウェハーサイズ:4~12インチ ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定!オプションにより表面抵抗測…
当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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圧痕を直接観察することも可能!硬度、弾性率、耐摩耗性、耐傷性などの測定…
『IND-1000』は、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの 様々な物質の硬度や弾性率を測定するナノインデンターです。 AFMにナノインデンターのヘッドを搭載することで、圧痕を直接観察する ことも可能。 また、高精度顕微鏡による正確な自動位置調整ができ、変位測定、負荷力の リアルタイムフィードバックコントロールもできます。 【特長】 ■ワイドレンジ(最大荷重...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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薄膜膜厚・ヤング率測定装置
非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。 ...パルスレーザーを薄膜表面に 照射し、薄膜上で熱に変換されたエネルギーが 薄膜を熱膨張させる。 局所的に膨張した薄膜表面では音響振動が発生する。この音響振動の周波数 を物理モデルに導入し薄膜の膜厚やヤング率、ポアソン比を算出する。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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世界唯一の分光エリプソメーター技術でのEP(光学式ポロシメーター)細孔…
■ 前処理が必要がなく、 20分/ポイントと従来型に比べて高速に測定が可能です。 ...【アプリケーション】 ・Low-k膜の細孔率測定 ・色素増感太陽電池のTiO2細孔率測定 ・細孔サイズ(0.5~65nm)、厚さ(50nm~5um)のサンプル 【特徴】 ・膜厚、屈折率、表面積、浸透率、ヤング率、CTE計測も測定可能 ・従来の方式に比べ、短時間での測定が可能(20分/point...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケッ…
オプションにて様々な電気的測定のマッピング測定が可能です。 (拡散長、鉄濃度、比抵抗、シート抵抗、LBIC、反射率、IQE、PN判定)...ライフタイム測定装置 WT-2000は、u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります。 シリコン・ブロック/ウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。 ※ シリコンウェハー/ブロック...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)
ウェハーを割らずにそのままで測定可能です。...結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)
シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。...LSTは、CCDカメラを使用し、切断されたウェハーサンプル断面の結晶欠陥を測定します。...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵…
太陽電池のブロック/ウェハー/セルのマッピング測定可能な装置もご提供可能です。...比抵抗測定器 RT-1000は、ベストセラー機 RT-1000の後継機種となり、渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵抗を瞬時に測定いたします。(測定範囲: 0.001〜100 Ωcm)...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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薄膜太陽電池パネル測定装置
フラットパネルディスプレイ製造マーケットでは、品質管理用途にて非常に多くの実績がございます。...太陽電池で必要な様々な光学系、電気系測定が1台で可能です。 - 分光エリプソ(膜厚、光学特性) - ライフタイム測定 - シート抵抗測定 - 比抵抗測定 - ラマン分光 第10世代パネル対応まで対応可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置
ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...
メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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