• 除染ガス発生装置『steriXcure』 製品画像

    除染ガス発生装置『steriXcure』

    PR養生なしで電子機器などを除染可能。残留も少なく拭き上げ作業も不要。除染…

    『steriXcure』は、核酸(DNA・RNA)を分解可能な複合ガスを発生させる装置です。 ドライガスによる除染が行えるため、除染前の電子機器などの養生がいらず、 低濃度で残留もほとんど無いため、除染後の拭き上げ作業も不要。 病原体を扱う実験室の除染のほか、動物実験施設内パスルームに持ち込む 電子機器やゲージ等の除染など、様々な場面で活用できます。 【特長】 ■養生や拭き...

    メーカー・取り扱い企業: 水戸工業株式会社

  • 品質向上・装置トラブル防止に!鉄粉捕捉装置『マグトラップ』 製品画像

    品質向上・装置トラブル防止に!鉄粉捕捉装置『マグトラップ』

    PRフラット、チューブ、棒など様々なタイプをご用意!頑丈構造&高耐久性の鉄…

    『マグトラップ』は、パイプライン内液中の鉄、ニッケル、磁化された SUS400シリーズを強力なレアアース磁石(希土類磁石)で捕捉する装置です。 品質向上、PL法対策、装置トラブル防止、外部購入原料チェック、 捕捉金属による故障原因の早期発見等に広く利用されいます。 また当社では、フラットプレートタイプの「MODEL 115」をはじめ、 チューブタイプの「MODEL 135」など、...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アキュレックス 本社、大阪営業所

  • エピ膜厚測定装置『EIR-2500』 製品画像

    エピ膜厚測定装置『EIR-2500』

    IR反射率測定ヘッドを使用可能!高スループットのエピ膜厚測定を実現した…

    『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自の エピ膜厚測定装置です。 高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に 準拠しています。 また、EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、 装置の...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』 製品画像

    非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』

    様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能!マイウロウェーブ反射による非…

    、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が 測定できます...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』 製品画像

    拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

    PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定!オプションにより表面抵抗測…

    当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式) 製品画像

    結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

    結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

    結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 超高感度DLTS バルク内欠陥・界面準位測定装置 製品画像

    超高感度DLTS バルク内欠陥・界面準位測定装置

    不良及び結晶欠陥の解析に有効!幅広いクライオスタット用のインターフェイ…

    『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能な バルク内欠陥・界面準位測定装置です。 「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な 測定に対応。ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 高感度アナログ/デジタ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • ライフタイム測定装置 製品画像

    ライフタイム測定装置

    u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケッ…

    ライフタイム測定装置 WT-2000は、u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります。 シリコン・ブロック/ウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW3300 製品画像

    薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW3300

    薄膜膜厚・ヤング率測定装置

    非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。 ...パルスレーザーを薄膜表面に 照射し、薄膜上で熱に変換されたエネルギーが 薄膜を熱膨張させる。 局所的に膨張した薄膜表面では音響振動が発生する。この音響振動の周波数 を物理モデルに導入し薄膜の膜厚やヤング率、ポアソン比を算出する。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 光学式細孔率・細孔分布測定装置 製品画像

    光学式細孔率・細孔分布測定装置

    世界唯一の分光エリプソメーター技術でのEP(光学式ポロシメーター)細孔…

    ■ 前処理が必要がなく、 20分/ポイントと従来型に比べて高速に測定が可能です。 ...【アプリケーション】 ・Low-k膜の細孔率測定 ・色素増感太陽電池のTiO2細孔率測定 ・細孔サイズ(0.5~65nm)、厚さ(50nm~5um)のサンプル 【特徴】 ・膜厚、屈折率、表面積、浸透率、ヤング率、CTE計測も測定可能 ・従来の方式に比べ、短時間での測定が可能(20分/point...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式) 製品画像

    結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)

    結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)

    シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。...LSTは、CCDカメラを使用し、切断されたウェハーサンプル断面の結晶欠陥を測定します。...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 薄膜太陽電池パネル測定装置 製品画像

    薄膜太陽電池パネル測定装置

    薄膜太陽電池パネル測定装置

    フラットパネルディスプレイ製造マーケットでは、品質管理用途にて非常に多くの実績がございます。...太陽電池で必要な様々な光学系、電気系測定が1台で可能です。  - 分光エリプソ(膜厚、光学特性)  - ライフタイム測定  - シート抵抗測定  - 比抵抗測定  - ラマン分光 第10世代パネル対応まで対応可能です。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置 製品画像

    単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置

    単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置

    ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 比抵抗測定器 製品画像

    比抵抗測定器

    渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵…

    太陽電池のブロック/ウェハー/セルのマッピング測定可能な装置もご提供可能です。...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

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