【書籍】造粒プロセスの最適化と設計・操作事例集（No.2227）

PR【試読できます】★ 各種造粒のメカニズム、プロセス、操作パラメータ設定…

★ シミュレーション、AIを駆使した造粒プロセス最適化、連続生産システムの構築！ －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ■　本書のポイント ●　造粒のスケールアップに必要な操作パラメータの適切な設定 ●　造粒装置・操作におけるトラブルと対策 ●　造粒物の粒度分布・粒子径・流動性・付着性の評価 ●　造粒のリアルタイムモニタリング、固形製剤連続生産システムの構築 ......

メーカー・取り扱い企業： 株式会社技術情報協会

実験用プラスチック消耗品

PR【リフィルピペットチップ・未滅菌ピペットチップの特別セール実施中】 …

バイオアライフサイエンスジャパンの『実験用プラスチック消耗品』をご紹介します。 PCRチューブ、プレート、チップ等のプラスチック製品をラインナップ！ 高純度の原材料を使用し、清浄度レベル：ISO/JIS8 （class100,000）のダストフリー工場で製造しています。 日本ブランドの射出成型機と高精度な金型を使用して製造され、 安定した品質を確保しています。 【特長】 ...

メーカー・取り扱い企業： バイオアライフサイエンスジャパン株式会社

ドイツ diondo工業CT測定サービス-繊維複合材料分析

低価格・高精度・正確な非破壊検査 5万円～/1 検体

繊維複合材料の複雑な内部構造と性能要件により、非破壊検査が重要になります diondo の工業用 CT 検査システムは、複合材料の繊維構造や内部欠陥などを明確に表示し、研究者が材料の構造特性、機械的特性、熱伝...

メーカー・取り扱い企業： ND GROUP 日本支社

蛍光寿命測定

Fluorescence lifetime measurement

れるものであり、得られたスペクトルを解析することにより、蛍光寿命を算出します。 物質の蛍光寿命を測定することにより発光過渡現象をよりダイナミックに把握できます。このため、蛍光寿命測定は有機EL材料などの有機材料、太陽電池、光触媒、生化学等の物性研究における有効な手段の一つです。本装置では、ピコ秒レーザーと分光器及びストリークカメラを組み合わせることにより、ナノ秒やマイクロ秒スケールの時間分解...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

角度分解HAXPES測定

HAXPES：硬X線光電子分光法

、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が極表面のみに留まらずバルクの中まで進んでいるような材料の評価に有効です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM

誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化

誘電体層内に形成される低抵抗な伝導パスを可視化することは絶縁劣化現象を解明する重要な手がかりとなります。本資料では、SSRM測定(高電界)と加熱機構(高温)を組み合わせることで、温度変化に伴う誘電体材料の絶縁劣化を可視化した事例を紹介します。 測定法：SSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡) 製品分野：誘電体材料、コンデンサ、MLCC 分析目的：抵抗値分布、電流分布、絶縁劣化評価 詳しくは資...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

分析装置を導入し、非破壊分析の受託サービスを開始します。 ●X線CT X線照射により試料内部構造の二次元透過像を取得。試料を回転させた連続撮影データから、三次元CT画像を生成します。 金属材料はもとより、樹脂やカーボン素材等の有機系素材に威力を発揮します。 ●超音波顕微鏡 試料に超音波を照射し、その反射波を検出。超音波は空気層で強い反射を起こすため、試料内部の空隙やクラックの観察...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】エポキシ樹脂硬化剤の分析

2液性エポキシ樹脂の硬化剤成分の構造推定

する必要があります。本資料では、ポリメルカプタン硬化剤を硬化前の溶液状態で測定し、イオン化法(EI法とFI法)を併用することで構造推定した事例を紹介します。 測定法：GC/MS 製品分野：高分子材料・電子部品・日用品 分析目的：組成評価・同定・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Oリングの使用履歴による形状評価

X線CTにより部品の非破壊観察・厚さ分布解析が可能

タと比較しました。その結果、長時間使用品は局所的にリングの太さが細くなっている箇所が検出され、そこからリークが起きていることが示唆されました。 測定法：X線CT 製品分野：製造装置・部品、高分子材料、日用品 分析目的：形状評価、膜厚評価、構造評価、故障解析・不良解析、劣化調査・信頼性評価、製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice＆Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice＆Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法：Slice＆View・EMS 製品分野：パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

超低温プローブによる高感度NMR分析

微量成分のNMR分析が可能です

核磁気共鳴分光法(NMR)は、有機物をはじめとした様々な化合物を対象として、分子構造や分子間相互作用、分子の運動性などの多様な情報を得ることができる分析手法です。本資料では超低温プローブを用いることで、汎用的な室温プローブに比べてより高感度な測定を行った事例を紹介します。...詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

X線CTを用いたin situ測定の 受託分析サービス

加熱/冷却や応力・圧縮の負荷状態での三次元構造観察が可能です。

様々な負荷状態下での三次元構造観察...●引張り試験 試料を引張る方向に応力を印加した状態でX線CT測定をすることが可能です。 ●圧縮試験 試料を圧縮する方向に圧力を印加した状態でX線CT測定をすることが可能です。 ●温度調節 ステージの温度を調節した状態でX線CT測定をすることが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バッテリー正極材の活物質抽出およびデータ解析

深層学習×データ解析によりSEM像から活物質の粒径を求めました

深層学習により、画像から目的の対象物を抽出することが可能です。また、得られた対象ごとに領域を解析することで数値として情報を得ることができます。 今回、バッテリー正極材の断面SEM像に対して、深層学習を用いて活物質粒子の抽出、クラックの検出をしました。Slice&Viewデータのような3Dデータに対しても同様に抽出が可能です。3Dデータからクラック有、クラック無粒子を抽出し、それぞれの粒径を算出し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】加熱・冷却過程における経時変化のAFM動画観察

サンプル表面の形状変化をin situで評価

高分子には、温度や湿度・溶媒等の環境によって形状が変化する素材があり、評価する際の環境条件を変化させることで物性の知見を深めることができます。 今回は生分解性プラスチックで知られているポリカプロラクトン(PCL)を用いて加熱・冷却実験を行いました。ポリカプロラクトンは融点が約60℃であり、加熱により結晶状態からアモルファス状態へと変化する様子を、また冷却により再結晶化する様子を連続測定により動画...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

SIMS分析で不純物濃度を求めるためには、分析試料と同じ組成の標準試料を使うことが必要です。紫外LEDやパワーデバイスに使われているAlGaNについて、様々なAl組成のAlGaN標準試料を取りそろえることで、MSTではより精度の高い不純物の定量が可能です。 市販深紫外LEDを解体後、SIMS分析を行い、ドーパントのMgの濃度、及び主成分のAl組成の分布を求めた事例を紹介いたします。 測定法：S...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析

Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。 測定法：Slice＆View・SEM-EDX・EMS 製品分野：パワーデバ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例】XRDを用いた負荷印加前後における金属材の残留応力測定

非破壊で引張・圧縮応力を定量することが可能です

残留応力測定は部材が様々な応力条件下に耐えられるかを調べる重要な方法の一つです。XRD（X線回折法）では、格子面間隔を測定することで残留応力を求めることが可能です。本資料では引張試験用にアルミニウム板の左右をＶ字加工した試料を作製し、引張試験用装置で引張負荷を印加する前後の残留応力の比較および、印加後の試料で残留応力の分布を確認した事例について紹介します。なお、残留応力値はsin2ψ法を用いて求め...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

nanoTAによる局所熱特性評価

局所熱分析システム（Nanoscale Thermal Analysi…

試料表面の局所における、熱特性（ガラス転移,軟化温度,融解温度,膨張傾向）を測定する熱分析法です。試料表面に接地するプローブを加熱し、試料表面の温度を変化させます。図中では1. 昇温時試料膨張がはじまり、2. 転移温度に到達するまでDeflectionが変化、3. 転移温度後変化した試料へプローブの侵入を示しております。温度変化時のDeflectionをモニタリングし、測定点ごとに転移温度をマッピ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】細菌の画像からの細胞周期評価

深層学習×データ解析により、多量のデータを活用して試料特性を評価できま…

3種類の乳酸菌を混合させた試料をSEM観察し、得られた画像から深層学習を用いて種類ごとに乳酸菌を抽出しました。さらに、データ解析を行い、乳酸菌の形状をもとに細胞周期上の存在比を求めました。 測定法：SEM、計算科学・AI・データ解析 製品分野：バイオテクノロジ、医薬品、日用品、化粧品、食品 分析目的：形状評価、製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。......

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

X線CTによるスティッチング撮影－広視野観察と高分解能観察の両立

複数のCT像を縦に連結して撮影することができます

一般的に、X線CTの視野サイズと解像度はトレードオフの関係にあり、解像度を上げるほど視野サイズは小さくなります。 そこで、X線CTには、複数のCT像を縦に連結することができる”スティッチング”という撮影法があります。スティッチング撮影法により、高解像度条件でも広い視野サイズで観察可能です。...詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

[TEM ED-Map]TEM電子回折マッピング法

TEMの電子回折を利用して、結晶性試料の方位分布解析を行う手法です。

電子線プローブを走査しながら各点の電子回折パターンを測定することで、高空間分解能な結晶情報を取得できます。この手法では、SEMのEBSD法よりも小さい結晶粒の情報を得ることが可能です。ACOM（Automated Crystal Orientation Mapping）-TEM法とも呼ばれます。 結晶粒径解析が可能 測定領域の配向測定が可能 双晶粒界（対応粒界）の観察が可能 特定結晶方...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

粉体摩擦試験装置/粉体強度試験装置

電池材料/AM材料/医薬材料など様々な粉体の”摩擦特性””強度特性””…

●会社案内 電池材料や金属AM材料をはじめとした、あらゆる粉体の特性を評価することができます。 先端技術でお客様の製品開発に最新ソリューションをご提供します。 ●サービス内容 受託測定～装置販売まで行っており...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ハイテクノライズ

ドイツ diondo工業CT測定サービス-積層造形

低価格・高精度・正確な非破壊検査 5万円～/1 検体

▪ 品質モニタリング: 製品の品質と性能を保証するために、表面および内部の欠陥、寸法精　　度、気孔率、密度分布などを含む、積層造形の原材料、中間製品、および最終製品テスト ▪ プロセスの最適化: 積層造形のプロセス パラメーターと形成メカニズムを分析して、レーザー出力、スキャン速度、層の厚さ、粉末の特性など、製品の品質に影響...

メーカー・取り扱い企業： ND GROUP 日本支社

【DL可：DSC/TG-DTA】熱分析における事例集1

高分子材料などの材料の実体に触れたい方へ硬化度測定や融解測定などDSC…

熱分析とは、物質の温度を変化させながらその物質のある物理的性質の温度依存を測定する技法です 手法の一例： ●DSC：試料の融解、ガラス転移、熱履歴、結晶化、硬化、キュリー点等の分析や比熱の測定に利用可能 ●TG/DTA：試料の水分量、灰分量の分析や分解、酸化、耐熱性の評価などに利用可能 ● TMA：試料の膨張率、ガラス転移、軟化点の測定等に利用可能 当事例集では、その『熱分析』...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

半導体分析

各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能！

半導体材料分析項目 原子レベルの構造観察、結晶構造、転位密度、膜厚 表面形状、断面構造(膜厚) 結晶性(面方位)、積層膜の周期構造 表面組成、結合状態、深さ方向分布 不純物濃度、深さ方向分析 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター