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36件 - メーカー・取り扱い企業
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トレンチ深さ測定装置
パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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【技術資料】分光エリプソメーター測定原理～偏光とは？ ※資料進呈
偏光・エリプソメーター・ブリュースター角など！図やグラフと共に分かりや…
当資料は、分光エリプソメーターの測定原理についてご紹介しています。 電場および磁場の振動方向が規則的な光のことをいう「偏光」をはじめ、 エリプソメーターの原理、光学干渉についてなどを掲載。 図やグラフと共に分かりやすくご紹介しているので、ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■偏光とは ■サンプル表面の変更 ■エリプソメーターとは ■エリプソメーターの原理 ■ブリ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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全自動拡がり抵抗測定装置
SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 ...・簡単なキーボード操作によるオペレーションのみで測定が可能となり、熟練作業が不要。 全自動による複数サンプル...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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高効率太陽電池開発用測定装置
PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。 ...測定機能 - QSS-u-pCD (Injection level毎のライフタイム測定） - Ultimate-SPV (ウェハー厚4倍までの拡散長測定９ - ALID（高速光劣化測定） ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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薄膜膜厚・ヤング率測定装置
非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。 ...パルスレーザーを薄膜表面に 照射し、薄膜上で熱に変換されたエネルギーが 薄膜を熱膨張させる。 局所的に膨張した薄膜表面では音響振動が発生する。この音響振動の周波数 を物理モデルに導入し薄膜の膜厚やヤング率、ポアソン比を算出する。 ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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世界唯一の分光エリプソメーター技術でのEP(光学式ポロシメーター）細孔…
■ 前処理が必要がなく、 20分/ポイントと従来型に比べて高速に測定が可能です。 ...【アプリケーション】 ・Low-k膜の細孔率測定 ・色素増感太陽電池のTiO2細孔率測定 ・細孔サイズ（0.5~65nm)、厚さ（50nm～５um)のサンプル 【特徴】 ・膜厚、屈折率、表面積、浸透率、ヤング率、CTE計測も測定可能 ・従来の方式に比べ、短時間での測定が可能（２０分/point...
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表面電荷分析装置
表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、ＣＶＤ膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。 ...ウェハー表面電荷量及び界面準位密度の測定 ■酸化膜工程 ・ウェハー汚染やプラズマ損傷による酸化膜中 電荷量の変化 ・熱ストレス等による界面準位密度の変化 ・窒化酸化膜中の固定電...
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u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケッ…
オプションにて様々な電気的測定のマッピング測定が可能です。 (拡散長、鉄濃度、比抵抗、シート抵抗、LBIC、反射率、IQE、PN判定)...ライフタイム測定装置 WT-2000は、u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります。 シリコン・ブロック/ウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。 ※ シリコンウェハー/ブロック...
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結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)
ウェハーを割らずにそのままで測定可能です。...結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。 ...
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結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)
シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。...LSTは、CCDカメラを使用し、切断されたウェハーサンプル断面の結晶欠陥を測定します。...
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薄膜太陽電池パネル測定装置
フラットパネルディスプレイ製造マーケットでは、品質管理用途にて非常に多くの実績がございます。...太陽電池で必要な様々な光学系、電気系測定が1台で可能です。 - 分光エリプソ(膜厚、光学特性) - ライフタイム測定 - シート抵抗測定 - 比抵抗測定 - ラマン分光 第10世代パネル対応まで対応可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵…
太陽電池のブロック/ウェハー/セルのマッピング測定可能な装置もご提供可能です。...比抵抗測定器 RT-1000は、ベストセラー機 RT-1000の後継機種となり、渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵抗を瞬時に測定いたします。(測定範囲: 0.001〜100 Ωcm)...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置
ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...
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シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます
シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます。 非接触／非破壊にてＰ／Ｎ判定ができる持ち運びにも便利なペンタイプの判定器です。...PN判定器 PN-100は、半導体材料を非接触/非破壊にて P/Nタイプ判定いたします。 シリコン端材、スクラップを含むシリコンインゴット原料のPN判別用途に最適です。...
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シリコンブロック内部異物検査装置
ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前にIRB-30にて内部異物箇所を検査し、対応して頂くことによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。 ...IRB-30は、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を 検査する装置です。 ...
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