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36件 - メーカー・取り扱い企業
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薄膜光学特性を非破壊で測定！ 手軽に高精度測定できる分光エリプソメト…
日本セミラボの分光エリプソメーター『GES5E』は、従来の光学測定器では不可能だった薄膜光学特性の測定を非破壊で実現しました。 薄膜、多層膜の膜厚、各層の屈折率（N,K値）波長分散を算出。研究開発からインライン生産品質管理ほかあらゆる分野で活躍しています。 【測定可能な物理特性】 ■厚さ光学屈折率 ■屈折率の勾配と材料組成 ■ドーパント濃度...【豊富な製品バリエーション】 ○...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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不良及び結晶欠陥の解析に有効！幅広いクライオスタット用のインターフェイ…
『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能な バルク内欠陥・界面準位測定装置です。 「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な 測定に対応。ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 高感度アナログ／デジタル（測定はアナログ、データ処理はデジタル） ロックイン平均法を採用したユニークなシステ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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表面とナノ構造を測定する機能！ミリメートルから原子レベルまでをカバーし…
走査電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡(AFM)の複合システムをご紹介します。 SEMのズーム機能を使い、AFMチップを対象領域に直接移動可能。 表面の形状や、機械・電気・磁気特性に関する情報をナノメートル分解能で 入手できます。 AFMは、MerlinシリーズとCrossbeamシリーズにご利用でき、既存のシステムを 簡単なドア交換で更新できます。 【特長】 ■SEM...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…
世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。...【特徴】 ■非接触CV/IVインライン測定 ■超高感度汚染管理（E8レベル鉄濃度測定） ■パタ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非…
半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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広い範囲で優れた測定直線性！三次元グラフィックマップとしてPCモニター…
『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。 ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。 四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を 解決します。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてシート抵抗を測定します。 【...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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IR反射率測定ヘッドを使用可能！高スループットのエピ膜厚測定を実現した…
『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自の エピ膜厚測定装置です。 高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に 準拠しています。 また、EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、 装置の稼働時間を向上してメンテナンスの必要性を減らします。 【特長】 ■ウェハーサイズ：4～12インチ ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…
当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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圧痕を直接観察することも可能！硬度、弾性率、耐摩耗性、耐傷性などの測定…
『IND-1000』は、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの 様々な物質の硬度や弾性率を測定するナノインデンターです。 AFMにナノインデンターのヘッドを搭載することで、圧痕を直接観察する ことも可能。 また、高精度顕微鏡による正確な自動位置調整ができ、変位測定、負荷力の リアルタイムフィードバックコントロールもできます。 【特長】 ■ワイドレンジ（最大荷重...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…
『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上させ、幅広い密度とアプリケーションを カバーすることで、表面近傍では確認ができない深さ方向の...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ…
『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパント濃度”です。 【主な評価・測定項目】 ■薄膜の膜厚値 ■エピ膜厚値 ■屈折率、消衰係...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！
QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ（ＳＰＶ）法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。 ...■特徴 ■非破壊・非接触測...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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超高感度DLTSシステム／ バルク内欠陥・界面準位測定装置
108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 （2x108 atoms/cm3 ）。 ●幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備。 ●温度、周波数スキャン、C-V特性 等の測定が可能。 ●簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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回転補償子型 分光エリプソメータ『SE-2000』※セミナー開催
多層膜の膜厚・屈折率を非接触で高精度測定。本体の操作や解析作業が容易 …
『SE-2000』は、薄膜の膜厚・屈折率を“非接触”で高精度に測定できる回転補償子型の分光エリプソメータです。 ユーザーフレンドリーな解析ソフトを備えており、解析作業が容易。 深紫外から近赤外領域まで幅色い波長領域の測定に対応しています。 材料の組成比、異方性、Mueller Matrix、偏光解消度、反射率・透過率、ドーパント濃度、 リタデーション(R0、Rth)などに関する検査にも...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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トレンチ深さ測定装置
パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。 ...広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調する。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から（...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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【技術資料】分光エリプソメーター測定原理～偏光とは？ ※資料進呈
偏光・エリプソメーター・ブリュースター角など！図やグラフと共に分かりや…
当資料は、分光エリプソメーターの測定原理についてご紹介しています。 電場および磁場の振動方向が規則的な光のことをいう「偏光」をはじめ、 エリプソメーターの原理、光学干渉についてなどを掲載。 図やグラフと共に分かりやすくご紹介しているので、ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■偏光とは ■サンプル表面の変更 ■エリプソメーターとは ■エリプソメーターの原理 ■ブリ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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全自動拡がり抵抗測定装置
SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は，斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に２探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル，EPI層の厚み，PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 ...・簡単なキーボード操作によるオペレーションのみで測定が可能となり、熟練作業が不要。 全自動による複数サンプル...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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高効率太陽電池開発用測定装置
PV-2000は、Semilab社とＳＤＩの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。 ...測定機能 - QSS-u-pCD (Injection level毎のライフタイム測定） - Ultimate-SPV (ウェハー厚4倍までの拡散長測定９ - ALID（高速光劣化測定） ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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薄膜膜厚・ヤング率測定装置
非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。 ...パルスレーザーを薄膜表面に 照射し、薄膜上で熱に変換されたエネルギーが 薄膜を熱膨張させる。 局所的に膨張した薄膜表面では音響振動が発生する。この音響振動の周波数 を物理モデルに導入し薄膜の膜厚やヤング率、ポアソン比を算出する。 ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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世界唯一の分光エリプソメーター技術でのEP(光学式ポロシメーター）細孔…
■ 前処理が必要がなく、 20分/ポイントと従来型に比べて高速に測定が可能です。 ...【アプリケーション】 ・Low-k膜の細孔率測定 ・色素増感太陽電池のTiO2細孔率測定 ・細孔サイズ（0.5~65nm)、厚さ（50nm～５um)のサンプル 【特徴】 ・膜厚、屈折率、表面積、浸透率、ヤング率、CTE計測も測定可能 ・従来の方式に比べ、短時間での測定が可能（２０分/point...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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表面電荷分析装置
表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、ＣＶＤ膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。 ...ウェハー表面電荷量及び界面準位密度の測定 ■酸化膜工程 ・ウェハー汚染やプラズマ損傷による酸化膜中 電荷量の変化 ・熱ストレス等による界面準位密度の変化 ・窒化酸化膜中の固定電...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケッ…
オプションにて様々な電気的測定のマッピング測定が可能です。 (拡散長、鉄濃度、比抵抗、シート抵抗、LBIC、反射率、IQE、PN判定)...ライフタイム測定装置 WT-2000は、u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります。 シリコン・ブロック/ウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。 ※ シリコンウェハー/ブロック...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)
ウェハーを割らずにそのままで測定可能です。...結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。 ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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結晶欠陥測定装置 (光散乱断層撮影式)
シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。...LSTは、CCDカメラを使用し、切断されたウェハーサンプル断面の結晶欠陥を測定します。...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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薄膜太陽電池パネル測定装置
フラットパネルディスプレイ製造マーケットでは、品質管理用途にて非常に多くの実績がございます。...太陽電池で必要な様々な光学系、電気系測定が1台で可能です。 - 分光エリプソ(膜厚、光学特性) - ライフタイム測定 - シート抵抗測定 - 比抵抗測定 - ラマン分光 第10世代パネル対応まで対応可能です。 ...
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渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵…
太陽電池のブロック/ウェハー/セルのマッピング測定可能な装置もご提供可能です。...比抵抗測定器 RT-1000は、ベストセラー機 RT-1000の後継機種となり、渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵抗を瞬時に測定いたします。(測定範囲: 0.001〜100 Ωcm)...
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単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置
ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。...
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シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます
シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます。 非接触／非破壊にてＰ／Ｎ判定ができる持ち運びにも便利なペンタイプの判定器です。...PN判定器 PN-100は、半導体材料を非接触/非破壊にて P/Nタイプ判定いたします。 シリコン端材、スクラップを含むシリコンインゴット原料のPN判別用途に最適です。...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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シリコンブロック内部異物検査装置
ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前にIRB-30にて内部異物箇所を検査し、対応して頂くことによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。 ...IRB-30は、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を 検査する装置です。 ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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インライン型ウェハー測定モジュール
インラインでのウェハー/セルの全数検査、ソーティングが可能です。...結晶系太陽電池向け品質管理、製造歩留向上のためのインライン全自動ウェハー測定モジュールです。 搬送用ベルト上でノンストップにてライフタイム、比抵抗/厚さ、シート抵抗を測定します。 ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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赤外分光エリプソメトリー
- FTIR測定においても、偏光しているので、より多くの情報をとることが可能です。 - レファレンス測定が必要ないので高速に測定が可能です。 ...分光エリプソメーターにFTIRがついたモデルです。...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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ロールツーロール分光エリプソメータ
QCモニタリングにて非常に多くの実績があります。...ロールツーロールにてノンストップで膜厚を多点測定可能です。...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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FastGateインライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置ECV-2500
FastGate インライン向けＣＶ・ＩＶ測定装置
電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 ...ＵＳＬ（極浅層<40nm）のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜（<20Å）の電気的膜厚測定 SiON 膜，High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。 主な測定・評価項目 ・電気的膜厚（CET/EOT) ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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インプラ後のドーズ量モニタリングとアニール処理前後のジャンクション深度…
【装置の原理】 ■Generation Laserは過剰少数キャリアを発生させ、明らかなダメージが存在するところを熱します ■過剰少数キャリア勾配は屈折勾配のインデックスを形成します ■Probe Laserはジャンクション深さ、ドーズレベル、PAI深さを測定するために屈折勾配インデックスまたは表面の熱情報を利用します ■Generation Laserは2kHzに変調され、これにより...
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JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…
JPV法（ジャンクション・フォト・ボルテッジ法）を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための特別な試料準備は不必要 - 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能 - 空間分解能の高い分布測定（マッピング）が高速で可能 - 再現性の高い測定が可能 - セミラボ社のベンチトッププラ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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