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36件 - メーカー・取り扱い企業
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薄膜光学特性を非破壊で測定！ 手軽に高精度測定できる分光エリプソメト…
日本セミラボの分光エリプソメーター『GES5E』は、従来の光学測定器では不可能だった薄膜光学特性の測定を非破壊で実現しました。 薄膜、多層膜の膜厚、各層の屈折率（N,K値）波長分散を算出。研究開発からインライン生産品質管理ほかあらゆる分野で活躍しています。 【測定可能な物理特性】 ■厚さ光学屈折率 ■屈折率の勾配と材料組成 ■ドーパント濃度...【豊富な製品バリエーション】 ○...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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不良及び結晶欠陥の解析に有効！幅広いクライオスタット用のインターフェイ…
『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能な バルク内欠陥・界面準位測定装置です。 「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な 測定に対応。ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 高感度アナログ／デジタル（測定はアナログ、データ処理はデジタル） ロックイン平均法を採用したユニークなシステ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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表面とナノ構造を測定する機能！ミリメートルから原子レベルまでをカバーし…
走査電子顕微鏡(SEM)と原子間力顕微鏡(AFM)の複合システムをご紹介します。 SEMのズーム機能を使い、AFMチップを対象領域に直接移動可能。 表面の形状や、機械・電気・磁気特性に関する情報をナノメートル分解能で 入手できます。 AFMは、MerlinシリーズとCrossbeamシリーズにご利用でき、既存のシステムを 簡単なドア交換で更新できます。 【特長】 ■SEM...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はD…
世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。...【特徴】 ■非接触CV/IVインライン測定 ■超高感度汚染管理（E8レベル鉄濃度測定） ■パタ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lo…
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非…
半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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広い範囲で優れた測定直線性！三次元グラフィックマップとしてPCモニター…
『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。 ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。 四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を 解決します。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてシート抵抗を測定します。 【...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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IR反射率測定ヘッドを使用可能！高スループットのエピ膜厚測定を実現した…
『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自の エピ膜厚測定装置です。 高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に 準拠しています。 また、EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、 装置の稼働時間を向上してメンテナンスの必要性を減らします。 【特長】 ■ウェハーサイズ：4～12インチ ...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測…
当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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圧痕を直接観察することも可能！硬度、弾性率、耐摩耗性、耐傷性などの測定…
『IND-1000』は、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの 様々な物質の硬度や弾性率を測定するナノインデンターです。 AFMにナノインデンターのヘッドを搭載することで、圧痕を直接観察する ことも可能。 また、高精度顕微鏡による正確な自動位置調整ができ、変位測定、負荷力の リアルタイムフィードバックコントロールもできます。 【特長】 ■ワイドレンジ（最大荷重...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…
『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上させ、幅広い密度とアプリケーションを カバーすることで、表面近傍では確認ができない深さ方向の...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ…
『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパント濃度”です。 【主な評価・測定項目】 ■薄膜の膜厚値 ■エピ膜厚値 ■屈折率、消衰係...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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非接触でエピウェハの抵抗率をモニター可能！
QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ（ＳＰＶ）法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。 ...■特徴 ■非破壊・非接触測...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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超高感度DLTSシステム／ バルク内欠陥・界面準位測定装置
108 cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応（DLS-1000)。 又、ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。 【特徴】 ●高感度な汚染検出が可能 （2x108 atoms/cm3 ）。 ●幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備。 ●温度、周波数スキャン、C-V特性 等の測定が可能。 ●簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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回転補償子型 分光エリプソメータ『SE-2000』※セミナー開催
多層膜の膜厚・屈折率を非接触で高精度測定。本体の操作や解析作業が容易 …
『SE-2000』は、薄膜の膜厚・屈折率を“非接触”で高精度に測定できる回転補償子型の分光エリプソメータです。 ユーザーフレンドリーな解析ソフトを備えており、解析作業が容易。 深紫外から近赤外領域まで幅色い波長領域の測定に対応しています。 材料の組成比、異方性、Mueller Matrix、偏光解消度、反射率・透過率、ドーパント濃度、 リタデーション(R0、Rth)などに関する検査にも...
メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社
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